Buchumschlag

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия

Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5—20,0)•10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Исследовано влияние...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Дружинин, А.А., Марьямова, И.И., Кутраков, А.П., Лях-Кагуй, Н.С.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Schlagworte:	Сенсоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100543
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Емкостный датчик давления для АЭС и нефтехимической промышленности
von: Лепих, Я.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Датчик давления с тензочувствительным преобразователем на поверхностных акустических волнах
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2004)

Прецизионный датчик давления с пневмомеханическим резонатором для бортового оборудования ЛА
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Датчик скорости газового потока
von: Годованюк, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Трехпараметрический генераторный датчик
von: Филинюк, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Дистанционный оптико-электронный датчик с растровой решеткой
von: Иванченко, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Датчик угла поворота генераторного типа с элементом на поверхностных акустических волнах
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2009)

Пассивный датчик на поверхностных активных волнах для дистанционного контроля параметров
von: Карапетьян, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Исследование функций преобразования и чувствительности радиоизмерительного преобразователя давления
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
von: Карапетьян, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Экспериментальные исследования датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптико-электронный метод избыточных измерений давления: особенности реализации
von: Кондратов, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)