Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100544 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862656297309044736 |
|---|---|
| author | Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Кулиев, Ш.М. |
| author_facet | Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Кулиев, Ш.М. |
| citation_txt | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном режиме при подсветке базовой области приобретает свойства фототранзистора.
The present work is devoted to investigate the photovoltaic characteristics of semiconductor thin base transistor structure based on germanium, which is superior the silicon counterparts by speed and gain.
|
| first_indexed | 2025-12-02T04:09:23Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100544 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T04:09:23Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Кулиев, Ш.М. 2016-05-22T19:57:08Z 2016-05-22T19:57:08Z 2015 Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.4.24 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100544 621.315.592.2:546.681'19 Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном режиме при подсветке базовой области приобретает свойства фототранзистора. The present work is devoted to investigate the photovoltaic characteristics of semiconductor thin base transistor structure based on germanium, which is superior the silicon counterparts by speed and gain. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure Article published earlier |
| spellingShingle | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Кулиев, Ш.М. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_alt | Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure |
| title_full | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_fullStr | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_full_unstemmed | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_short | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_sort | высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100544 |
| work_keys_str_mv | AT abdulhaevoa vysokočuvstvitelʹnyifotopriemniknaosnovegermanievoidvuhbarʹernoistrukturyséffektomsmykaniâ AT edgorovadm vysokočuvstvitelʹnyifotopriemniknaosnovegermanievoidvuhbarʹernoistrukturyséffektomsmykaniâ AT karimovav vysokočuvstvitelʹnyifotopriemniknaosnovegermanievoidvuhbarʹernoistrukturyséffektomsmykaniâ AT kulievšm vysokočuvstvitelʹnyifotopriemniknaosnovegermanievoidvuhbarʹernoistrukturyséffektomsmykaniâ AT abdulhaevoa highlysensitivephotodetectorbasedongedoublebarrierpunchthroughstructure AT edgorovadm highlysensitivephotodetectorbasedongedoublebarrierpunchthroughstructure AT karimovav highlysensitivephotodetectorbasedongedoublebarrierpunchthroughstructure AT kulievšm highlysensitivephotodetectorbasedongedoublebarrierpunchthroughstructure |