Зображення обкладинки

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2015
Автори:	Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Кулиев, Ш.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100544
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
за авторством: Гурбанниязов, М.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
за авторством: Габа, В.М.
Опубліковано: (2009)

Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
за авторством: Коган, Л.М.
Опубліковано: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Форш, П.А., та інші
Опубліковано: (2009)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)