Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2015
• Main Authors: Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Кулиев, Ш.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100544
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном...