Buchumschlag

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Кулиев, Ш.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100544
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
von: Гурбанниязов, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)

Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
von: Коган, Л.М.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Краснов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Леонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Форш, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)