Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
Проведено компьютерное моделирование тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх, получены вольт-амперные характеристики, рассчитаны фотовольтаические параметры и найдено распределение основных физических величин. Показано, что добавление второго германиевого каскада п...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100562 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх / А.Б. Гниленко, Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 28-34. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100562 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гниленко, А.Б. Лаврич, Ю.Н. Плаксин, С.В. 2016-05-23T19:39:17Z 2016-05-23T19:39:17Z 2015 Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх / А.Б. Гниленко, Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 28-34. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.5-6.28 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100562 621.383.51 Проведено компьютерное моделирование тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх, получены вольт-амперные характеристики, рассчитаны фотовольтаические параметры и найдено распределение основных физических величин. Показано, что добавление второго германиевого каскада позволяет существенно повысить коэффициент полезного действия кремниевых фотоэлектрических преобразователей. Проведено комп'ютерне моделювання тандемного монолітного сонячного елемента Si/Ge з буферним шаром Si1–хGeх, одержано вольт-амперні характеристики, розраховано фотовольтаїчні параметри і знайдено розподіл основних фізичних величин. Показано, що додатковий германієвий каскад дозволяє суттєво підвищити коефіцієнт корисної дії кремнієвих фотоелектричних перетворювачів. Excitation of bulk and surface acoustic waves with the interdigital transducer (IDT), which is deposited on the surface of piezoelectric crystal, is widely used in the development of devices in acoustoelectronics and in the design of the microwave acousto-optic deflectors. Excitation of bulk acoustic waves by IDT in the devices on surface acoustic waves leads to the appearance of spurious signals. At the same time excitation of bulk acoustic waves with IDT from the surface of lithium niobate crystals allows creating high frequency acousto-optic deflectors, which makes possible to significantly simplify the technology of their production. Therefore, significant attention is paid to the task of excitation and distribution of bulk acoustic waves with IDT including recent times by the method of simulation of their excitation and distribution. The obtained theoretical results require experimental verification. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая электроника Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх Моделюваня характеристик тандемного монолітного сонячного елемента Si/Ge з буферним шаром Si1–хGeх Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх |
| spellingShingle |
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх Гниленко, А.Б. Лаврич, Ю.Н. Плаксин, С.В. Энергетическая электроника |
| title_short |
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх |
| title_full |
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх |
| title_fullStr |
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх |
| title_full_unstemmed |
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх |
| title_sort |
моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента si/ge с буферным слоем si1–хgeх |
| author |
Гниленко, А.Б. Лаврич, Ю.Н. Плаксин, С.В. |
| author_facet |
Гниленко, А.Б. Лаврич, Ю.Н. Плаксин, С.В. |
| topic |
Энергетическая электроника |
| topic_facet |
Энергетическая электроника |
| publishDate |
2015 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Моделюваня характеристик тандемного монолітного сонячного елемента Si/Ge з буферним шаром Si1–хGeх Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer |
| description |
Проведено компьютерное моделирование тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх, получены вольт-амперные характеристики, рассчитаны фотовольтаические параметры и найдено распределение основных физических величин. Показано, что добавление второго германиевого каскада позволяет существенно повысить коэффициент полезного действия кремниевых фотоэлектрических преобразователей.
Проведено комп'ютерне моделювання тандемного монолітного сонячного елемента Si/Ge з буферним шаром Si1–хGeх, одержано вольт-амперні характеристики, розраховано фотовольтаїчні параметри і знайдено розподіл основних фізичних величин. Показано, що додатковий германієвий каскад дозволяє суттєво підвищити коефіцієнт корисної дії кремнієвих фотоелектричних перетворювачів.
Excitation of bulk and surface acoustic waves with the interdigital transducer (IDT), which is deposited on the surface of piezoelectric crystal, is widely used in the development of devices in acoustoelectronics and in the design of the microwave acousto-optic deflectors. Excitation of bulk acoustic waves by IDT in the devices on surface acoustic waves leads to the appearance of spurious signals. At the same time excitation of bulk acoustic waves with IDT from the surface of lithium niobate crystals allows creating high frequency acousto-optic deflectors, which makes possible to significantly simplify the technology of their production. Therefore, significant attention is paid to the task of excitation and distribution of bulk acoustic waves with IDT including recent times by the method of simulation of their excitation and distribution. The obtained theoretical results require experimental verification.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100562 |
| citation_txt |
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх / А.Б. Гниленко, Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 28-34. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gnilenkoab modelirovanieharakteristiktandemnogomonolitnogosolnečnogoélementasigesbufernymsloemsi1hgeh AT lavričûn modelirovanieharakteristiktandemnogomonolitnogosolnečnogoélementasigesbufernymsloemsi1hgeh AT plaksinsv modelirovanieharakteristiktandemnogomonolitnogosolnečnogoélementasigesbufernymsloemsi1hgeh AT gnilenkoab modelûvanâharakteristiktandemnogomonolítnogosonâčnogoelementasigezbufernimšaromsi1hgeh AT lavričûn modelûvanâharakteristiktandemnogomonolítnogosonâčnogoelementasigezbufernimšaromsi1hgeh AT plaksinsv modelûvanâharakteristiktandemnogomonolítnogosonâčnogoelementasigezbufernimšaromsi1hgeh AT gnilenkoab simulatingcharacteristicsofsigetandemmonolithicsolarcellwithsi1xgexbufferlayer AT lavričûn simulatingcharacteristicsofsigetandemmonolithicsolarcellwithsi1xgexbufferlayer AT plaksinsv simulatingcharacteristicsofsigetandemmonolithicsolarcellwithsi1xgexbufferlayer |
| first_indexed |
2025-11-27T12:40:58Z |
| last_indexed |
2025-11-27T12:40:58Z |
| _version_ |
1850852262142803968 |