Зображення обкладинки

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх

Проведено компьютерное моделирование тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх, получены вольт-амперные характеристики, рассчитаны фотовольтаические параметры и найдено распределение основных физических величин. Показано, что добавление второго германиевого каскада п...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2015
Автори:	Гниленко, А.Б., Лаврич, Ю.Н., Плаксин, С.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Теми:	Энергетическая электроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100562
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх / А.Б. Гниленко, Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 28-34. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Изменения характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей после токовых перегрузок
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)

Магний-воздушный первичный источник тока
за авторством: Короленко, С.Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Ерохов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Схемотехника источников питания для импульсно-дуговой сварки с хаотическими колебаниями тока
за авторством: Сидорец, В.Н., та інші
Опубліковано: (2014)

Управление многофазным импульсным преобразователем постоянного напряжения с гранично-разрывным режимом функционирования
за авторством: Гунченко, Ю.А.
Опубліковано: (2007)

Формирователи импульсов тока для контактной сварки
за авторством: Паэранд, Ю.Э., та інші
Опубліковано: (2008)

Определение энергетических и массогабаритных показателей пассивных элементов импульсных преобразователей
за авторством: Афанасьев, А.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Моделирование термоэлектрической системы генерирования тепловой и электрической энергии
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2005)

Гибридные энергонакопители на основе аккумуляторов и суперконденсаторов для контактной микросварки
за авторством: Бондаренко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Анализ энергетических и магнитных процессов в дросселях импульсных преобразователей электрической энергии
за авторством: Кадацкий, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2016)

Вдосконалена методика оцінки втрат в імпульсних перетворювачах установок контактного мікрозварювання
за авторством: Бондаренко, О.Ф., та інші
Опубліковано: (2018)

Балансування напруги модульного накопичувача енергії джерела живлення для контактного мікрозварювання
за авторством: Кожушко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
за авторством: Дарсавелидзе, Г.Ш., та інші
Опубліковано: (2013)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: Amer, H.H., та інші
Опубліковано: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Total energy, equation of states and bulk modulus of Si and Ge
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2002)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: H. H. Amer, та інші
Опубліковано: (2011)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)