Buchumschlag

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх

Проведено компьютерное моделирование тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх, получены вольт-амперные характеристики, рассчитаны фотовольтаические параметры и найдено распределение основных физических величин. Показано, что добавление второго германиевого каскада п...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Гниленко, А.Б., Лаврич, Ю.Н., Плаксин, С.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Schlagworte:	Энергетическая электроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100562
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх / А.Б. Гниленко, Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 28-34. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Изменения характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей после токовых перегрузок
von: Иванченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Магний-воздушный первичный источник тока
von: Короленко, С.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Ерохов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Схемотехника источников питания для импульсно-дуговой сварки с хаотическими колебаниями тока
von: Сидорец, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Управление многофазным импульсным преобразователем постоянного напряжения с гранично-разрывным режимом функционирования
von: Гунченко, Ю.А.
Veröffentlicht: (2007)

Формирователи импульсов тока для контактной сварки
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Определение энергетических и массогабаритных показателей пассивных элементов импульсных преобразователей
von: Афанасьев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Моделирование термоэлектрической системы генерирования тепловой и электрической энергии
von: Михайловский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Гибридные энергонакопители на основе аккумуляторов и суперконденсаторов для контактной микросварки
von: Бондаренко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Анализ энергетических и магнитных процессов в дросселях импульсных преобразователей электрической энергии
von: Кадацкий, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Вдосконалена методика оцінки втрат в імпульсних перетворювачах установок контактного мікрозварювання
von: Бондаренко, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Балансування напруги модульного накопичувача енергії джерела живлення для контактного мікрозварювання
von: Кожушко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
von: Kozyrev, Yu.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
von: Хижный, В.И.
Veröffentlicht: (2008)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
von: Дарсавелидзе, Г.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
von: A. P. Dolgolenko
Veröffentlicht: (2013)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
von: Amer, H.H., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Total energy, equation of states and bulk modulus of Si and Ge
von: Jivani, A.R., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
von: H. H. Amer, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
von: O. I. Tkachuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: Kondratenko, S.V.
Veröffentlicht: (2015)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: Baranskii, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
von: A. P. Dolgolenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)