Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Ковалюк, Т.Т., Солован, М.Н., Мостовой, А.И., Майструк, Э.В., Пархоменко, Г.П., Марьянчук, П.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100565
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе / Т.Т. Ковалюк, М.Н. Солован, А.И. Мостовой, Э.В. Майструк, Г.П. Пархоменко, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 45-49. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Представлены результаты исследований магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов Cu₂ZnSnTe₄. Методом магнетронного осаждения тонких пленок TiN, TiO₂ и МоОх на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ изготовлены анизотипные гетеропереходы n-TiN/p-Cu₂ZnSnTe₄, n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnTe₄ и n-MoO/p-Cu₂ZnS...