Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температ...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100566 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862543730188222464 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Кудринский, З.Р. Кушнир, Б.В. Нетяга, В.В. Хомяк, В.В. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Кудринский, З.Р. Кушнир, Б.В. Нетяга, В.В. Хомяк, В.В. |
| citation_txt | Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температурные зависимости ВАХ гетероперехода до и после отжига. Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры n-ZnO—p-InSe.
Методом високочастотного магнетронного напилення була сформована тонка оксидна плівка ZnO на ван-дер-ваальсовій поверхні моноселеніда індію. Досліджено вплив вакуумного низькотемпературного відпалу на електричні та фотоелектричні характеристики гетеропереходу n-ZnO—p-InSe. Наведено температурні залежності ВАХ гетеропереходу до і після відпалу. Встановлена область спектральної фоточутливості гетероструктури n-ZnO—p-InSe.
The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO-p-InSe heterostructure.Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A³B⁶ group of layered compounds. The basic unit consists of two planes of metal atoms sandwiched between two planes of chalcogen atoms (Se-In-In-Se). The absence of dangling bonds on InSe cleaved surface makes it possible to use this semiconductor as a substrate for fabrication of heterostructures based on semiconductor materials with different symmetries and lattice spacings. Zinc oxide (ZnO) is the most suitable material for window materials and solar cells buffer layers application due to its marvelous transparency in the range of visible region.InSe single crystals were grown by the Bridgman technique from a nonstoichiometric melt and characterized by a pronounced layered structure along the whole length of a sample. ZnO thin oxide film was formed on freshly cleaved van der Waals surface of InSe layered crystal. n-ZnO-p-InSe heterostructure was prepared by the method of high-frequency magnetron sputtering. Sensitivity spectral areas were identified by MDR-3 monochromator with a resolution of 2.6 nm/mm. The current-voltage characteristics of the n-ZnO-p-InSe heterostructures showed a clearly pronounced diode character. In the forward bias of the initial samples, the diode factor had the value 3.7 at room temperature. It is shown that vacuum low-temperature annealing reduces shunt currents of the heterojunction, which is reflected in the decrease in the values of n from 3.7 to 2.7.
|
| first_indexed | 2025-11-24T23:34:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100566 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T23:34:07Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Кудринский, З.Р. Кушнир, Б.В. Нетяга, В.В. Хомяк, В.В. 2016-05-23T19:49:52Z 2016-05-23T19:49:52Z 2015 Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.5-6.50 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100566 544.225.2, 621.315.592 Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температурные зависимости ВАХ гетероперехода до и после отжига. Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры n-ZnO—p-InSe. Методом високочастотного магнетронного напилення була сформована тонка оксидна плівка ZnO на ван-дер-ваальсовій поверхні моноселеніда індію. Досліджено вплив вакуумного низькотемпературного відпалу на електричні та фотоелектричні характеристики гетеропереходу n-ZnO—p-InSe. Наведено температурні залежності ВАХ гетеропереходу до і після відпалу. Встановлена область спектральної фоточутливості гетероструктури n-ZnO—p-InSe. The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO-p-InSe heterostructure.Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A³B⁶ group of layered compounds. The basic unit consists of two planes of metal atoms sandwiched between two planes of chalcogen atoms (Se-In-In-Se). The absence of dangling bonds on InSe cleaved surface makes it possible to use this semiconductor as a substrate for fabrication of heterostructures based on semiconductor materials with different symmetries and lattice spacings. Zinc oxide (ZnO) is the most suitable material for window materials and solar cells buffer layers application due to its marvelous transparency in the range of visible region.InSe single crystals were grown by the Bridgman technique from a nonstoichiometric melt and characterized by a pronounced layered structure along the whole length of a sample. ZnO thin oxide film was formed on freshly cleaved van der Waals surface of InSe layered crystal. n-ZnO-p-InSe heterostructure was prepared by the method of high-frequency magnetron sputtering. Sensitivity spectral areas were identified by MDR-3 monochromator with a resolution of 2.6 nm/mm. The current-voltage characteristics of the n-ZnO-p-InSe heterostructures showed a clearly pronounced diode character. In the forward bias of the initial samples, the diode factor had the value 3.7 at room temperature. It is shown that vacuum low-temperature annealing reduces shunt currents of the heterojunction, which is reflected in the decrease in the values of n from 3.7 to 2.7. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe Вплив відпалу на ВАХ гетеропереходу n-ZnO—p-InSe Annealing effect on I-V characteristic of n-ZnO-p-InSe heterojunction Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Кудринский, З.Р. Кушнир, Б.В. Нетяга, В.В. Хомяк, В.В. Материалы электроники |
| title | Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe |
| title_alt | Вплив відпалу на ВАХ гетеропереходу n-ZnO—p-InSe Annealing effect on I-V characteristic of n-ZnO-p-InSe heterojunction |
| title_full | Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe |
| title_fullStr | Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe |
| title_full_unstemmed | Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe |
| title_short | Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe |
| title_sort | влияние отжига на вах гетероперехода n-zno—p-inse |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100566 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse AT katerinčukvn vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse AT kudrinskiizr vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse AT kušnirbv vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse AT netâgavv vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse AT homâkvv vliânieotžiganavahgeteroperehodanznopinse AT kovalûkzd vplivvídpalunavahgeteroperehodunznopinse AT katerinčukvn vplivvídpalunavahgeteroperehodunznopinse AT kudrinskiizr vplivvídpalunavahgeteroperehodunznopinse AT kušnirbv vplivvídpalunavahgeteroperehodunznopinse AT netâgavv vplivvídpalunavahgeteroperehodunznopinse AT homâkvv vplivvídpalunavahgeteroperehodunznopinse AT kovalûkzd annealingeffectonivcharacteristicofnznopinseheterojunction AT katerinčukvn annealingeffectonivcharacteristicofnznopinseheterojunction AT kudrinskiizr annealingeffectonivcharacteristicofnznopinseheterojunction AT kušnirbv annealingeffectonivcharacteristicofnznopinseheterojunction AT netâgavv annealingeffectonivcharacteristicofnznopinseheterojunction AT homâkvv annealingeffectonivcharacteristicofnznopinseheterojunction |