Новые книги
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100570 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Новые книги // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 21, 27, 34. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100570 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
2016-05-23T19:54:32Z 2016-05-23T19:54:32Z 2015 Новые книги // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 21, 27, 34. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100570 ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новые книги Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Новые книги |
| spellingShingle |
Новые книги |
| title_short |
Новые книги |
| title_full |
Новые книги |
| title_fullStr |
Новые книги |
| title_full_unstemmed |
Новые книги |
| title_sort |
новые книги |
| publishDate |
2015 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100570 |
| citation_txt |
Новые книги // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 21, 27, 34. — рос. |
| first_indexed |
2025-11-26T17:35:26Z |
| last_indexed |
2025-11-26T17:35:26Z |
| _version_ |
1850765793071988736 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2015, ¹ 5–6
21
ÑÂ×-ÒÅÕÍÈÊÀ
ISSN 2225-5818
À. M. PYLYPENKO, I. K. SUNDUCHKOV,
V. V. CHMIL, V. M. CHMIL, P. O. YATSYK
Ukraine, Kyiv, “Saturn” Research and Development Company PJSC
E-mail: chmil@nbi.com
RADIOMETRIC RECEIVING COMPLEX AND WAYS TO REDUCE
THE RADIOMETRIC MEASUREMENTS ERROR
The authors formulate criteria for building a structural scheme and developing design and technological
solutions for a reception complex for full-power compensation radiometers. The paper presents the results of
development of the reception complex within the framework of equipping small telescopes created according
to the program VLDI2010.
Keywords: radio telescope, receiving complex, full power radiometer, fluctuation sensitivity, measuring path
error.
DOI: 10.15222/TKEA2015.5-6.14
UDC 621.396.677:621.396.965
REFERENCES
1. Ipatov A. V. [New generation radio interferometer for
fundamental and applied investigations]. Uspekhi fizicheskikh
nauk, 2013, vol. 183, no. 7, pp. 769-777.
2. The Global Geodetic Observing System: meeting the
requirements of a Global Society on a changing planet in
2020. Ed. by H. P. Plag, M. Pearlman. Berlin: Springer
Verlag, 2009, 332 p.
3. Hase H., Dassing R., Kronschnabl G., Schluter W.,
Schwarz W., Kilger R., Lauber P., Neidhardt A., Pausch A.,
Gbldi W. Twin Telescope Wettzell — a VLBI2010 Radio
Telescope Project. Proc. of the fifth IVS General Meeting,
Russia, St. Petersburg, 2008, pp.109-113.
4. Kronschnabl G., Neidhardt A., Pausch K., Goldi W.,
Rayet R., Emrich A. The TWIN-Wettzell. IVS TecSpec
Workshop, Germany, Bad Kotzting, 2012.
5. López-Fernández J. A. The RAEGE VLBI radio telescope.
IVS TecSpec Workshop, Germany, Bad Kotzting, 2012.
6. Ipatov A. B., Chmil V. M., Skresanov V. N., Ivanov
D. V., Mardyshkin V. V., Chernov V. K., Pilipenko A. M.,
Kirilenko A. A. [Cryogenic focalreceiving unit for telescopes
of new-generation radio interferometric complex]. Radiofizika
i radioastronomiya, 2014, vol. 19, no. 1, pp. 81-96.
7. Mikhailov V. F., Bragin I. V., Bragin S. I.
Mikrovolnovaya sputneykovaya apparatura distantsionnogo
zondirovaniya Zemli [Microwave satellite equipment for Earth
remote sensing]. Saint-Petersburg: GUAP, 2003.
ñòâîðþâàíèõ çà ïðîãðàìîþ VLDI2010. Ðîçãëÿíóòî ñïðîåêòîâàíó ïðèéìàëüíó ñèñòåìó äëÿ ìàëèõ
ðàä³îòåëåñêîï³â, ïîáóäîâàíèõ â ðàìêàõ âèêîíàííÿ ïðîãðàìè VLDI2010.
Êëþ÷îâ³ ñëîâà: ðàä³îòåëåñêîï, ïðèéìàëüíèé êîìïëåêñ, ðàä³îìåòð ïîâíî¿ ïîòóæíîñò³, ôëóêòóàö³éíà
÷óòëèâ³ñòü, ïîìèëêà âèì³ðþâàëüíîãî òðàêòó.
ÍÎÂÛÅ ÊÍÈÃÈ
Í
Î
Â
Û
Å
Ê
Í
È
Ã
È
Àùåóëîâ À. À., Îõðåì Â. Ã., Ðîìàíþê È. Ñ. Íîâûå òåðìîýëåêòðè÷åñêèå
ýôôåêòû è ýëåìåíòû (íà óêðàèíñêîì ÿçûêå).— ×åðíîâöû: Èçäàòåëüñêèé
äîì «Ðîäîâ³ä», 2015.
Ïðåäñòàâëåíû ðåçóëüòàòû òåîðåòè÷åñêèõ è ýêñïåðè-
ìåíòàëüíûõ èññëåäîâàíèé íåêîòîðûõ íîâûõ ôèçè÷å-
ñêèõ ÿâëåíèé è ýôôåêòîâ â òåðìîýëåêòðè÷åñêè íåîä-
íîðîäíûõ è àíèçîòðîïíûõ ñðåäàõ. Ê íèì îòíîñÿòñÿ
Umkehr-ýôôåêò, à òàêæå ÿâëåíèÿ îáúåìíîé òåðìî-ýäñ è
Áðèäæìåíà. Èõ èñïîëüçîâàíèå ïîçâîëèëî ïðåäëîæèòü è
ñîçäàòü ðÿä îðèãèíàëüíûõ õîëîäèëüíûõ ýëåìåíòîâ. Ðàññìî-
òðåíû òàêæå íîâûå àñïåêòû ÿâëåíèÿ âèõðåâûõ òåðìîýëåêòðè-
÷åñêèõ òîêîâ, ïîçâîëèâøèå ïðåäëîæèòü îðèãèíàëüíûé ïîä-
õîä ê ïðîáëåìå òåðìîýëåêòðè÷åñêîãî ïðåîáðàçîâàíèÿ ýíåð-
ãèè. Ïîëó÷åííûå ðåçóëüòàòû îáóñëîâèëè ïîÿâëåíèå ðÿäà
ïåðñïåêòèâíûõ ãåíåðàòîðíûõ è õîëîäèëüíûõ ýëåìåíòîâ.
Äëÿ ó÷åíûõ, çàíèìàþùèõñÿ òåðìîýëåêòðè÷åñòâîì, èíæåíåðîâ-ðàçðàáîò÷èêîâ òåð-
ìîýëåêòðè÷åñêèõ ïðèáîðîâ, à òàêæå äëÿ ïðåïîäàâàòåëåé, àñïèðàíòîâ è ñòóäåíòîâ
ñîîòâåòñòâóþùèõ ñïåöèàëüíîñòåé.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2015, ¹ 5–6
27
ÑèÑòåìû ïåðåäàЧè è îáðàáîòêè Ñèãíàëîâ
ISSN 2225-5818
REFERENCES
1. Balakshii V. I., Parygin V. N., Chirkov L. E. Fizicheskie
osnovy akustooptiki [Physical principles of acousto-optics].
Moscow, Radio i svyaz’, 1985, 278 p.
2. Magdich L.N., Molchanov V.Ya. Akustoopticheskie
ustroistva i ikh primenenie [Acoustooptic devices and their
applications]. Moscow, Sov. radio, 1978, 112 p.
3. Goutzolis A.P., Pape D.R. Design and Fabrication
of Acousto-optic Devices. New York, Dekker, 1994, 318 p.
4. Robert F. Milsom, N. H. C. Reilly, Martin Redwood.
Analysis of generation and detection of surface and bulk
acoustic waves by interdigital transducers. IEEE Transactions
on Sonics and Ultrasonics, 1977, vol. 24, nî 3, ðð. 147-164.
http://dx.doi.org/10.1109/T-SU.1977.30925
5. Morgan D. Ustroistva obrabotki signalov na poverkh-
nostnykh akusticheskikh volnakh [The devices of the signal
processing on surface acoustic waves]. Moscow, Radio i svyaz’,
1990, 416 p.
6. Poverkhnostnye akusticheskie volny [Surface acoustic
wave]. Ed. By A. Oliner, Moscow, Mir, 1981, 390 p.
7. Volik D.P., Rozdobud’ko V.V. [Analysis of amplitude-
frequency characteristics of acousto-optic deflector with the
surface apodized transducer]. Journal of Applied Physics,
2009, vol. 70, no 6, pp. 124-128.
8. Honkanen K., Koskela J., Plessky V. P., Salomaa M. M.
Parasitic BAW excitation in LSAW transducers. IEEE
Ultrasonics Symposium, 1998, vol. 1, pp. 949-952. http://
dx.doi.org/10.1109/ULTSYM.1998.762299.
9. Alexandre S. Shcherbakov, Ana V. Hanessian de la
Graza, Vahram Chavushyan, Sergey A. Nemov. A multi-phonon
light scattering and resolution of acousto-optic devices. Proc.
SPIE 8240, 2012. http://dx.doi.org/10.1117/12.910057
10. Mingxi Deng. Simulation of generation of bulk
acoustic waves by interdigital transducers. IEEE Ultrasonics
Symposium, 2001, vol. 1, pp. 855-858. http://dx.doi.
org/10.1109/ULTSYM.2001.991854
11. Ashish Kumar Namdeo, Harshal B. Nemade and
Ramakrishnan N. FEM Simulation of Generation of Bulk
Acoustic Waves and Their Effects in SAW Devices. Excerpt
from the Proceedings of the COMSOL Conference, 2010,
India.
12. Vynnyk D.M., Reshotka A.G., Sugak D.Yu., Vakyv
M.M. [The excitation of the bulk acoustic wave by inter-
digital transducer in crystals]. Proceedings of the National
University “Lviv Polytechnic”. Electronics, 2013, no. 764,
pp. 23-29.
13. Vynnyk D.M., Voronjak T.I. [Propagation of the
microwave ultrasonic bulk waves in the devices on lithium nio-
bate crystals]. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi
Apparature, 2007, no 2, pp. 17-20.
14. Belyiy V.N., Voytenko I.G., Gorelyiy N.N., Kulak
G.V., [Wideband acoustooptic deflector on the bulk acoustic
waves]. Journal of Applied Physics, 1989, vol. 59, no. 5,
pp. 82-85.
15. Grigorev M.A., Tolstikov A.V., Navrotskaya Yu.N.
[The interaction of light with acoustic waves excited by the
multi-element in-phase transducer in the range of 1.0-2.5
GHz]. Journal of Applied Physics, 2006, vol. 76, no. 5,
pp. 88-93.
zone for IDT is located at distances much greater than the actual size of the LiNbO3 crystals. This peculiarity
is not always taken into account when calculating diffraction. The achieved results can be used to design
high-frequency acousto-optic devices, as well as in the development of devices based on surface acoustic waves.
Keywords: acousto-optic devices, bulk acoustic wave, transducer array, piezoelectric transducer, diffraction
of light waves.
ÍÎÂÛÅ ÊÍÈÃÈ
Í
Î
Â
Û
Å
Ê
Í
È
Ã
È
â. ì. òеслюк, à. І. ïукач, ð. â. Загарю ìетоди, моделі та засоби
автоматизації визначення ємнісних і резистивних параметрів елементів
ìåìÑ.— ëьвів: âидавництво ëьвівської політехніки, 2015.
Пðоàíàлізовàíо методè, моделі тà зàсобè вèзíàчеííя елеê-
тðèчíого опоðу ðезèстèвíèх пàðàметðів елеêтðèчíèх êіл, à
тàêож ðозгляíуто ðезèстèвíі тà ємíісíі пàðàметðè МЕМС тà
особлèвості àвтомàтèзàції вèзíàчеííя їх зíàчеííя. Нàведеíо
ðозðоблеíі методè для àвтомàтèчíого вèзíàчеííя елеêтðèчíого
опоðу тà ємíості ðезèстèвíèх тà ємíісíèх пàðàметðів МЕМС,
що вðàховують особлèвості тà спецèфіêу МЕМС-техíологій.
Здійсíеíо моделювàííя ðоботè ðозðоблеíèх методів тà àíàліз
отðèмàíèх ðезультàтів.
Äля ðàдіоіíжеíеðів, íàуêовців і студеíтів, яêі спеціàлізуються
у сфеðі àвтомàтèзàції вèміðювàííя тà êоíтðолю ємíісíèх і ðе-
зèстèвíèх пàðàметðів міêðоелеêтðоííèх пðèстðоїв тà сèстем.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2015, ¹ 5–6
34
ÝíåðãåòèЧåñêàя Ýëåêòðîíèêà
ISSN 2225-5818
REFERENCES
1. Luque A., Hegedus S. handbook of photovoltaic sci-
ence and engineering. John Wiley & Sons Ltd, 2003, 1138 p.
2. Ringel S.A., Carlin J.A., Andre C.L., Hudait M.K.,
Gonzalez M., Wilt D.M., Clark E.B., Jenkins P., Scheiman
D., Allerman A., Fitzgerald E.A., Leitz C.W. Single-junction
InGaP/GaAs solar cells grown on Si substrates with SiGe
buffer layers. Progress in Photovoltaics: Research and
Applications, 2002, vol. 10, iss. 6, pp. 417-426. http://
dx.doi.org/10.1002/pip.448
3. Putyato M.A., Semyagin B.R., Emel’yanov E.A.,
Pakhanov N.A., Preobrazhenskii V.V. [GaAs/Si(001) mo-
lecular beam epitaxy for high-performance tandem AIIIBV/
Si sun energy converters on active Si substrate]. izvestiya
vuzov: Fizika, 2010, no. 9, pp. 26-33. (Rus)
4. Fitzgerald E.A., Currie M.T., Samavedam S.B.,
Langdo T.A., Taraschi G., Yang V., Leitz C.W., Bulsara
M.T. Dislocations in relaxed SiGe/Si heterostructures. Phys.
Status Solidi (a), 1999, no. 171, pp. 227-238. http://dx.doi.
org/10.1002/(SICI)1521-396X(199901)171:1<227::AID-
PSSA227>3.0.CO;2-Y
5. Zulkefle A.A., Zainon M., Zakaria Z., Sopian K., Amin
N. Numerical modeling of silicon/germanium (Si/Ge) super-
lattice solar cells. Proc. of the 7-th WSeAS int. Conf. on
Renewable energy sources, Kuala Lumpur, Malaysia, 2013,
pp. 233-237.
6. Varonides A.C. High Efficiency Solar Cells via Tuned
Superlattice Structures: Beyond 42,2%. In book: Solar cells —
new aspects and solutions, chapter 15, ed. by L. Kosyachenko,
InTech, 2011. http://dx.doi.org/10.5772/23510
7. Sun G., Chang F., Soref R.A. High efficiency thin-film
crystalline Si/Ge tandem solar cell. optics express, 2010,
vol. 18, iss. 4, pp. 3746-3753. http://dx.doi.org/10.1364/
OE.18.003746
8. Glushko A.A., Rodionov I.A., Makarchuk V.V.
[Simulating submicron KMOP SBIS technology using TCAD].
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi Apparature,
2007, no. 4, pp. 32-34. (Rus)
9. Simulation Standard: Simulating Solar Cell Devices
Using Silvaco TCAD. 2008, vol. 18, no.2, pp. 1-3.
10. ATLAS User’s Manual. Santa Clara, CA, Silvaco, 2004.
11. Gnilenko A.B., Dzenzersky V.A., Plaksin S.V.,
Pogorelaya L.M. [The investigation of silicon wafer thickness
influence on characteristics of multijunction solar cells with
vertical p—n junctions]. Tekhnologiya i konstruirovanie v
elektronnoi Apparature, 2012, no. 1. pp. 27-29.
12. Gnilenko A.B., Dzenzersky V.A., Plaksin S.V.,
Pogorelaya L.M. [Simulating Si Solar Cell with vertical
p—n junction]. vidnovlyuvana energetyka, 2013, no. 2, pp.
37-44. (Rus)
13. Pol’skii B.C. Chislennoe modelirovanie poluprovod-
nikovykh priborov [Numerical simulating semiconductor
devicis]. Riga, Zinatne, 1986, 168 p. (Rus)
ÍÎÂÛÅ ÊÍÈÃÈ
Í
Î
Â
Û
Å
Ê
Í
È
Ã
È
Матвійків М. Д., Вус Б. ñ., Матвійків î. М. åлементи та компоненти елек-
тронних пристроїв.— ëьвів: Видавництво ëьвівської політехніки, 2015.
викладено основні відомості про сучасні та перспективні елементи і компонен-
ти електронних пристроїв, зокрема наведено визначення різних видів елементів
та компонентів, розглянуто їх призначення, класифікацію, умовні зображення і
ïîзíàчåííÿ, бóдîâó, ðîбîòó, âëàñòèâîñòі, зàñòîñóâàííÿ.
Для студентів вищих навчальних закладів, які навчаються за напрямом
“радіоелектронні апарати”, та фахівців, які проектують, виготовляють або об-
слуговують різноманітні електронні апарати, зокрема аудіо- та відеотехніку,
åëåêòðîííі îбчèñëюâàëьíі мàшèíè, міêðîïðîцåñîðè òà ïåðñîíàëьíі êîмï’юòåðè,
мåдèчíі àïàðàòè, зàñîбè зâ’ÿзêó, êîíòðîëьíî-âèміðюâàëьíі ïðèëàдè, ðîбîòîòåõíіêó,
àâòîмàòèзîâàíі ñèñòåмè ïðîåêòóâàííÿ òà óïðàâëіííÿ òîщî.
Í
Î
Â
Û
Å
Ê
Í
È
Ã
È Баришніков ã. В., Волинюк Д. Ю., ãельжинський І. І., ãотра З. Ю.,
Мінаєв Б. П., ñтахіра П. Й., Черпак В. В. îрганічна електроніка.—
ëьвів: Видавництво ëьвівської політехніки, 2015.
Нàâåдåíî îñíîâíі ïîñòóëàòè êâàíòîâîї мåõàíіêè дëÿ îðãàíічíîї åëåêòðîíіêè. Оïè-
сано базові структури та особливості функціонування нанорозмірних елементів,
пристроїв електронної техніки: сонячних фотоелементів, світловипромінювальних
ñòðóêòóð, òðàíзèñòîðíèõ ñòðóêòóð, ñåíñîðіâ òîщî. Рîзãëÿíóòî фізèêî-õімічíі îñíî-
âè òåõíîëîãії ñòâîðåííÿ åëåêòðîííèõ ñòðóêòóð îðãàíічíîї åëåêòðîíіêè.
Äëÿ ñòóдåíòіâ òà àñïіðàíòіâ, ÿêі íàâчàюòьñÿ зà íàïðÿмîм åëåêòðîíіêè.
|