Cover Image

Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe

В температурній області 80 ÷ 400 К досліджено електричні властивості кристалів селеніду індію InSe, опромінених електронами з енергією 9,2 МеВ. Спостережені екстремуми на температурних залежностях коефіцієнта Холла та холлівської рухливості електронів вздовж шарів
 пояснені в рамках моделі,...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2013
Main Authors: Мінтянський, І.В., Савицький, П.І., Ковалюк, З.Д.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100590
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe / І.В. Мінтянський, П.І. Савицький, З.Д. Ковалюк // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 326–337. — Бібліогр.: 33 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items