Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Мінтянський, І.В., Савицький, П.І., Ковалюк, З.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100590
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe / І.В. Мінтянський, П.І. Савицький, З.Д. Ковалюк // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 326–337. — Бібліогр.: 33 назв. — укр.

В температурній області 80 ÷ 400 К досліджено електричні властивості кристалів селеніду індію InSe, опромінених електронами з енергією 9,2 МеВ. Спостережені екстремуми на температурних залежностях коефіцієнта Холла та холлівської рухливості електронів вздовж шарів пояснені в рамках моделі, яка пере...