Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы
Отработана методика легирования TiN покрытий путём одновременного распыления мишеней
 из Ti и Si ионами азота и аргона, генерируемыми источником газовой плазмы (ИГП). Наибольшее значение твёрдости (∼33 ГПа) достигалось при СSi ∼ 7 вес %. За счёт образования на поверхности Ti и Si стойких к...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100597 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы / В.А. Белоус, В.М. Лунёв, Г.И. Носов, А.С. Куприн, Г.Н. Толмачёва, И.В. Колодий // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 412–419. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862624667493203968 |
|---|---|
| author | Белоус, В.А. Лунёв, В.М. Носов, Г.И. Куприн, А.С. Толмачёва, Г.Н. Колодий, И.В. |
| author_facet | Белоус, В.А. Лунёв, В.М. Носов, Г.И. Куприн, А.С. Толмачёва, Г.Н. Колодий, И.В. |
| citation_txt | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы / В.А. Белоус, В.М. Лунёв, Г.И. Носов, А.С. Куприн, Г.Н. Толмачёва, И.В. Колодий // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 412–419. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Отработана методика легирования TiN покрытий путём одновременного распыления мишеней
из Ti и Si ионами азота и аргона, генерируемыми источником газовой плазмы (ИГП). Наибольшее значение твёрдости (∼33 ГПа) достигалось при СSi ∼ 7 вес %. За счёт образования на поверхности Ti и Si стойких к распылению соединений скорость их травления снижалась, по
сравнению с распылением в чистом аргоне, соответственно, в ∼10 и ∼7 раз. Рентгеноструктурный анализ показал, что на поверхности Ti мишени присутствует гексагональный нитрид
титана (TiN₀,₃). На дифрактограмме Si мишени присутствует только одна линия Si (111). Глубина
модифицированного слоя для Ti составляла более 3 мкм, а для Si < 0,5 мкм.
Відпрацьована методика легування TiN покриттів шляхом одночасного розпилення мішеней з
Ti та Si іонами азоту і аргону, генерованими джерелом газової плазми ( ДГП ). Найбільше значення твердості ( ∼33 ГПа ) досягнуто при СSi ∼7 ваг. %. За рахунок утворення на поверхні Ti
та Si стійких до розпилення сполукшвидкість їх травлення знижувалася, порівняно з розпиленням
в чистому аргоні, відповідно, в ∼10 та ∼7 разів. Рентгеноструктурний аналіз показав, що на поверхні Ti мішені присутній гексагональний нітрид титану (TiN₀,₃). На дифрактограмі Si мішені
присутня тільки одна лінія Si (111). Глибина модифікованого шару для Ti становила понад 3
мкм, а для Si < 0,5 мкм.
Technique of doping TiN coatings by simultaneous sputtering of Ti and Si targets by nitrogen and argon
ions generated from the gas plasma source (GPS) was developed. The highest value of hardness
(∼33 GPa) was achieved at the CSi ∼ 7 wt%. The etching rate of Si and Ti, compared to sputtering in
pure argon, are decreased due to the formation on their surfaces resistant to sputtering compounds
∼10 and ∼7, respectively. XRD analysis showed that the surface of the Ti target contains hexagonal
titanium nitride (TiN₀,₃). At diffractogram of Si target there is only one line of Si (111). The depth of
the modified layer of Ti is over 3 мm and for Si < 0,5 microns.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:32:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100597 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:32:54Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Белоус, В.А. Лунёв, В.М. Носов, Г.И. Куприн, А.С. Толмачёва, Г.Н. Колодий, И.В. 2016-05-24T13:01:11Z 2016-05-24T13:01:11Z 2013 Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы / В.А. Белоус, В.М. Лунёв, Г.И. Носов, А.С. Куприн, Г.Н. Толмачёва, И.В. Колодий // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 4. — С. 412–419. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100597 533.915:539.23 Отработана методика легирования TiN покрытий путём одновременного распыления мишеней
 из Ti и Si ионами азота и аргона, генерируемыми источником газовой плазмы (ИГП). Наибольшее значение твёрдости (∼33 ГПа) достигалось при СSi ∼ 7 вес %. За счёт образования на поверхности Ti и Si стойких к распылению соединений скорость их травления снижалась, по
 сравнению с распылением в чистом аргоне, соответственно, в ∼10 и ∼7 раз. Рентгеноструктурный анализ показал, что на поверхности Ti мишени присутствует гексагональный нитрид
 титана (TiN₀,₃). На дифрактограмме Si мишени присутствует только одна линия Si (111). Глубина
 модифицированного слоя для Ti составляла более 3 мкм, а для Si < 0,5 мкм. Відпрацьована методика легування TiN покриттів шляхом одночасного розпилення мішеней з
 Ti та Si іонами азоту і аргону, генерованими джерелом газової плазми ( ДГП ). Найбільше значення твердості ( ∼33 ГПа ) досягнуто при СSi ∼7 ваг. %. За рахунок утворення на поверхні Ti
 та Si стійких до розпилення сполукшвидкість їх травлення знижувалася, порівняно з розпиленням
 в чистому аргоні, відповідно, в ∼10 та ∼7 разів. Рентгеноструктурний аналіз показав, що на поверхні Ti мішені присутній гексагональний нітрид титану (TiN₀,₃). На дифрактограмі Si мішені
 присутня тільки одна лінія Si (111). Глибина модифікованого шару для Ti становила понад 3
 мкм, а для Si < 0,5 мкм. Technique of doping TiN coatings by simultaneous sputtering of Ti and Si targets by nitrogen and argon
 ions generated from the gas plasma source (GPS) was developed. The highest value of hardness
 (∼33 GPa) was achieved at the CSi ∼ 7 wt%. The etching rate of Si and Ti, compared to sputtering in
 pure argon, are decreased due to the formation on their surfaces resistant to sputtering compounds
 ∼10 and ∼7, respectively. XRD analysis showed that the surface of the Ti target contains hexagonal
 titanium nitride (TiN₀,₃). At diffractogram of Si target there is only one line of Si (111). The depth of
 the modified layer of Ti is over 3 мm and for Si < 0,5 microns. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы Синтез TiSiN покриттів при одночасному розпиленні мішеней з Ti та Si в азот-аргоновій плазмі Synthesis of TiSiN coatings by simultaneous sputtering of Ti and Si targets in nitrogen-argon plasma Article published earlier |
| spellingShingle | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы Белоус, В.А. Лунёв, В.М. Носов, Г.И. Куприн, А.С. Толмачёва, Г.Н. Колодий, И.В. |
| title | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_alt | Синтез TiSiN покриттів при одночасному розпиленні мішеней з Ti та Si в азот-аргоновій плазмі Synthesis of TiSiN coatings by simultaneous sputtering of Ti and Si targets in nitrogen-argon plasma |
| title_full | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_fullStr | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_full_unstemmed | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_short | Иссдедование процессов формирования TiSiN покрытий путём распыления мишений из Ti и Si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| title_sort | иссдедование процессов формирования tisin покрытий путём распыления мишений из ti и si ионами, генерируемыми источником газовой плазмы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100597 |
| work_keys_str_mv | AT belousva issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytiiputemraspyleniâmišeniiiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovoiplazmy AT lunevvm issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytiiputemraspyleniâmišeniiiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovoiplazmy AT nosovgi issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytiiputemraspyleniâmišeniiiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovoiplazmy AT kuprinas issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytiiputemraspyleniâmišeniiiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovoiplazmy AT tolmačevagn issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytiiputemraspyleniâmišeniiiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovoiplazmy AT kolodiiiv issdedovanieprocessovformirovaniâtisinpokrytiiputemraspyleniâmišeniiiztiisiionamigeneriruemymiistočnikomgazovoiplazmy AT belousva sinteztisinpokrittívpriodnočasnomurozpilennímíšeneiztitasivazotargonovíiplazmí AT lunevvm sinteztisinpokrittívpriodnočasnomurozpilennímíšeneiztitasivazotargonovíiplazmí AT nosovgi sinteztisinpokrittívpriodnočasnomurozpilennímíšeneiztitasivazotargonovíiplazmí AT kuprinas sinteztisinpokrittívpriodnočasnomurozpilennímíšeneiztitasivazotargonovíiplazmí AT tolmačevagn sinteztisinpokrittívpriodnočasnomurozpilennímíšeneiztitasivazotargonovíiplazmí AT kolodiiiv sinteztisinpokrittívpriodnočasnomurozpilennímíšeneiztitasivazotargonovíiplazmí AT belousva synthesisoftisincoatingsbysimultaneoussputteringoftiandsitargetsinnitrogenargonplasma AT lunevvm synthesisoftisincoatingsbysimultaneoussputteringoftiandsitargetsinnitrogenargonplasma AT nosovgi synthesisoftisincoatingsbysimultaneoussputteringoftiandsitargetsinnitrogenargonplasma AT kuprinas synthesisoftisincoatingsbysimultaneoussputteringoftiandsitargetsinnitrogenargonplasma AT tolmačevagn synthesisoftisincoatingsbysimultaneoussputteringoftiandsitargetsinnitrogenargonplasma AT kolodiiiv synthesisoftisincoatingsbysimultaneoussputteringoftiandsitargetsinnitrogenargonplasma |