Осинский, В., Гончаренко, Т., & Ляхова, Н. (2003). Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃. Физическая инженерия поверхности.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Осинский, В.И, Т.И Гончаренко, und Н.Н Ляхова. "Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃." Физическая инженерия поверхности 2003.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Осинский, В.И, et al. "Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃." Физическая инженерия поверхности, 2003.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.