Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101844 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. 2016-06-08T10:58:16Z 2016-06-08T10:58:16Z 2003 Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| spellingShingle |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. |
| title_short |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_full |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_fullStr |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_full_unstemmed |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_sort |
влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах ingan/al₂o₃ |
| author |
Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. |
| author_facet |
Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844 |
| citation_txt |
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT osinskiivi vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 AT gončarenkoti vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 AT lâhovann vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 |
| first_indexed |
2025-11-29T08:58:02Z |
| last_indexed |
2025-11-29T08:58:02Z |
| _version_ |
1850854699197005824 |