Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2003
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862613390376042496 |
|---|---|
| author | Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. |
| author_facet | Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. |
| citation_txt | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| first_indexed | 2025-11-29T08:58:02Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101844 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-29T08:58:02Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. 2016-06-08T10:58:16Z 2016-06-08T10:58:16Z 2003 Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ Осинский, В.И. Гончаренко, Т.И. Ляхова, Н.Н. |
| title | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_full | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_fullStr | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_full_unstemmed | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_short | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ |
| title_sort | влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах ingan/al₂o₃ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844 |
| work_keys_str_mv | AT osinskiivi vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 AT gončarenkoti vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 AT lâhovann vliânieobrabotkipoverhnostičipovnaékstrakciûizlučeniâsverhʺârkihsvetodiodovnageterostrukturahinganal2o3 |