Buchumschlag

Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2003
ISSN:	1999-8074
Hauptverfasser:	Осинский, В.И., Гончаренко, Т.И., Ляхова, Н.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2003
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
von: Горох, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Расчет элементного состава варизонных структур А³В⁵ для белых светодиодов
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
von: Деминский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
von: Вакуленко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)

The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE
von: Yildiz, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
von: G. G. Gorokh, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
von: Филь, Д.В.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние органических оснований и маскирующих агентов на экстракцию карбоксилатов празеодима
von: Пятницкий, И.В., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
von: Zinovchuk, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Влияние растворителей на экстракцию комплексов металлов с дибензо-18-краун-6 и сульфофталеиновыми красителями
von: Пятницкий, И.В., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Использование гибридных органно-неорганических фотолюминофоров для повышения индекса цветопередачи белых светодиодов
von: Хмиль, Д.Н., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
von: Руденко, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование влияния гидростатического давления на экстракцию компонентов из семян энотеры двулетней (Oenothéra biénnis L.)
von: Букин, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
von: V. I. Osinskij, et al.
Veröffentlicht: (2003)

Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах
von: Vainberg, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
von: Хижный, В.И.
Veröffentlicht: (2008)

Расчет изменения микрорельефа в процессе электрохимической обработки поверхности
von: Городыский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Алгоритм обработки результатов измерений ослабления оптического излучения наночастицами
von: Кокодий, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Спектроскопия бозонных возбуждений в гетероструктурах на основе манганитов
von: Белоголовский, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование подстилающей поверхности при помощи излучения глобальной навигационной спутниковой системы
von: Луценко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах
von: Тимофеев, В.Б.
Veröffentlicht: (2012)

Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах
von: Шатерник, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній
von: Milovanov, Yu.S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов
von: Гончаров, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Применение магнетронных устройств в комплексной плазменно-иммерсионной технологии обработки поверхности
von: Гришкевич, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2019)