Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)
Расчет элементного состава варизонных структур А³В⁵ для белых светодиодов
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
за авторством: Деминский, П.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Деминский, П.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE
за авторством: Yildiz, A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Yildiz, A., та інші
Опубліковано: (2010)
Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)
Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
за авторством: Филь, Д.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Филь, Д.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние органических оснований и маскирующих агентов на экстракцию карбоксилатов празеодима
за авторством: Пятницкий, И.В., та інші
Опубліковано: (1983)
за авторством: Пятницкий, И.В., та інші
Опубліковано: (1983)
Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
за авторством: Zinovchuk, A. V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Zinovchuk, A. V., та інші
Опубліковано: (2020)
Влияние растворителей на экстракцию комплексов металлов с дибензо-18-краун-6 и сульфофталеиновыми красителями
за авторством: Пятницкий, И.В., та інші
Опубліковано: (1983)
за авторством: Пятницкий, И.В., та інші
Опубліковано: (1983)
Использование гибридных органно-неорганических фотолюминофоров для повышения индекса цветопередачи белых светодиодов
за авторством: Хмиль, Д.Н., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Хмиль, Д.Н., та інші
Опубліковано: (2014)
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2016)
Исследование влияния гидростатического давления на экстракцию компонентов из семян энотеры двулетней (Oenothéra biénnis L.)
за авторством: Букин, Г.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Букин, Г.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)
Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах
за авторством: Vainberg, V. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vainberg, V. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
Расчет изменения микрорельефа в процессе электрохимической обработки поверхности
за авторством: Городыский, А.В., та інші
Опубліковано: (1983)
за авторством: Городыский, А.В., та інші
Опубліковано: (1983)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Алгоритм обработки результатов измерений ослабления оптического излучения наночастицами
за авторством: Кокодий, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Кокодий, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2016)
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
Спектроскопия бозонных возбуждений в гетероструктурах на основе манганитов
за авторством: Белоголовский, М.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Белоголовский, М.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Исследование подстилающей поверхности при помощи излучения глобальной навигационной спутниковой системы
за авторством: Луценко, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Луценко, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)
О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах
за авторством: Тимофеев, В.Б.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Тимофеев, В.Б.
Опубліковано: (2012)
Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2016)
Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній
за авторством: Milovanov, Yu.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Milovanov, Yu.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов
за авторством: Гончаров, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Гончаров, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Применение магнетронных устройств в комплексной плазменно-иммерсионной технологии обработки поверхности
за авторством: Гришкевич, А.Д., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Гришкевич, А.Д., та інші
Опубліковано: (2019)