Зображення обкладинки

Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2003
Автори:	Осинский, В.И., Гончаренко, Т.И., Ляхова, Н.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2003
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
за авторством: Деминский, П.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние органических оснований и маскирующих агентов на экстракцию карбоксилатов празеодима
за авторством: Пятницкий, И.В., та інші
Опубліковано: (1983)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2016)

Использование гибридных органно-неорганических фотолюминофоров для повышения индекса цветопередачи белых светодиодов
за авторством: Хмиль, Д.Н., та інші
Опубліковано: (2014)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Влияние растворителей на экстракцию комплексов металлов с дибензо-18-краун-6 и сульфофталеиновыми красителями
за авторством: Пятницкий, И.В., та інші
Опубліковано: (1983)

Исследование влияния гидростатического давления на экстракцию компонентов из семян энотеры двулетней (Oenothéra biénnis L.)
за авторством: Букин, Г.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Спектроскопия бозонных возбуждений в гетероструктурах на основе манганитов
за авторством: Белоголовский, М.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

Расчет изменения микрорельефа в процессе электрохимической обработки поверхности
за авторством: Городыский, А.В., та інші
Опубліковано: (1983)

Исследование подстилающей поверхности при помощи излучения глобальной навигационной спутниковой системы
за авторством: Луценко, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)

О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах
за авторством: Тимофеев, В.Б.
Опубліковано: (2012)

Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов
за авторством: Гончаров, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Применение магнетронных устройств в комплексной плазменно-иммерсионной технологии обработки поверхности
за авторством: Гришкевич, А.Д., та інші
Опубліковано: (2019)

Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Поляризация теплового излучения статистически неровной поверхности. II. Параметры Стокса. Степень поляризации
за авторством: Исерс, А.Б., та інші
Опубліковано: (1990)

Поляризация теплового излучения статистически неровной поверхности. I. Влияние анизотропии неровностей на коэффициенты излучения вертикально и горизонтально поляризованных составляющих
за авторством: Исерс, А.Б., та інші
Опубліковано: (1990)

Применение метода сечений для контроля формы поверхности пятна излучения в реальном времени
за авторством: Кутаев, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)

Спиновая инжекция и эффект гигантской блокировки туннельного тока в гетероструктурах ферромагнетик–сверхпроводник
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние гамма-излучения на выход водорода при радиолизе воды на поверхности наноциркония
за авторством: Агаев, Т.Н., та інші
Опубліковано: (2017)

Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
за авторством: Балабай, Р.М., та інші
Опубліковано: (2011)

Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
за авторством: Юзефович, О.И., та інші
Опубліковано: (2008)