Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Осинский, В.И., Гончаренко, Т.И., Ляхова, Н.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2003
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.