Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Якубов, Э.Н., Юлдашев, Ш.Ш., Тураев, А.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101868
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Э.Н. Якубов, Ш.Ш. Юлдашев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 336-341. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого изменения перераспределения напряжения в дополнительном управляющем p-n-переходе. Наведено результати дослідження динамічної модуляції каналу польового транзистора за допомогою другого послідовно з’єднаного до джерела польового транзистора виконуючого функцію подвійного затвора за рахунок керованої зміни перерозподілу напруги в додатковому керуючому p-n-переході. The results of the research of dynamic modulation of the field-effect transistor’s channel with a second field-effect transistor series connected to the source of the first one acting as a dual-gate by controlled changes in the voltage distribution in auxiliary control p-n-junction are given.