Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2012
• Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Якубов, Э.Н., Юлдашев, Ш.Ш., Тураев, А.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101868
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Э.Н. Якубов, Ш.Ш. Юлдашев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 336-341. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого изменения перераспределения напряжения в дополнительном управляющем p-n-переход...