Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого изменения перераспределения напряжения в дополнительном управляющем p-n-переход...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| ISSN: | 1999-8074 |
| Hauptverfasser: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Якубов, Э.Н., Юлдашев, Ш.Ш., Тураев, А.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101868 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Э.Н. Якубов, Ш.Ш. Юлдашев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 336-341. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2006)
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2006)
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2005)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
Модель алмазного транзистора
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Ионный инжектор полевого типа
von: Возный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Возный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Когнитивная фразеология: опыт полевого анализа
von: Эмирова, А.М.
Veröffentlicht: (2002)
von: Эмирова, А.М.
Veröffentlicht: (2002)
Модель алмазного транзистора
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оптимальное проектирование системы последовательно установленных пластинчатых теплообменников
von: Хавин, Г.Л.
Veröffentlicht: (2011)
von: Хавин, Г.Л.
Veröffentlicht: (2011)
ПРОЦЕССЫ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ МЕЖДУ ПАРАЛЛЕЛЬНО СОЕДИНЕННЫМИ КОНДЕ
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Процессы перераспределения электрической энергии между параллельно соединенными конденсаторами
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
ПРОЦЕССЫ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ МЕЖДУ ПАРАЛЛЕЛЬНО СОЕДИНЕННЫМИ КОНДЕ
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Задача типа Гурса для уравнения высокого порядка
von: Юсубов, Ш.Ш.
Veröffentlicht: (2013)
von: Юсубов, Ш.Ш.
Veröffentlicht: (2013)
Регіональні й глобальні наслідки незалежності Косово
von: Гахраманова, Ш.Ш.
Veröffentlicht: (2010)
von: Гахраманова, Ш.Ш.
Veröffentlicht: (2010)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Yodgorova, D. М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Yodgorova, D. М.
Veröffentlicht: (2006)
Оптимизация периодичности частичного календарного технического обслуживания системы последовательно–параллельной структуры
von: Песчанский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Песчанский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Гидролокаторы бокового обзора с фазометрическими каналами
von: Голод, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Голод, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Теория стохастического насыщения ферромагнитного резонанса
von: Угулава, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Угулава, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Динамика насыщения ткани плаценты диметилсульфоксидом
von: Боброва, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Боброва, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Принципы полнофакторного численно-полевого анализа режима нагрузки турбогенератора
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2004)
Полевая ионная микроскопия сплавов в условиях стимулированного полевого испарения
von: Ксенофонтов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ксенофонтов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
ОСОБЕННОСТИ ТИРИСТОРНОГО УПРАВЛЕНИЯ СОЕДИНЕННЫМИ ПО СХЕМЕ “ТРЕУГОЛЬНИКА” РЕАКТОРАМИ ДЛЯ ИМИТАЦИИ НЕЛИНЕЙНОЙ НАГРУЗКИ
von: Шитов, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Шитов, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Особенности тиристорного управления соединенными по схеме "треугольника" реакторами для имитации нелинейной нагрузки
von: Шитов, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Шитов, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2017)
ОСОБЕННОСТИ ТИРИСТОРНОГО УПРАВЛЕНИЯ СОЕДИНЕННЫМИ ПО СХЕМЕ “ТРЕУГОЛЬНИКА” РЕАКТОРАМИ ДЛЯ ИМИТАЦИИ НЕЛИНЕЙНОЙ НАГРУЗКИ
von: Шитов, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Шитов, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Учет эффекта вытеснения тока и насыщения магнитной цепи в математической модели асинхронного двигателя
von: Цодик, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Цодик, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ähnliche Einträge
-
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006) -
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2006) -
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)