Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого изменения перераспределения напряжения в дополнительном управляющем p-n-переход...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101868 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Э.Н. Якубов, Ш.Ш. Юлдашев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 336-341. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |