Влияние режима магнетронного распыления и состава реакционного газа на структуру и свойства пленок ITO

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Бажин, А.И., Троцан, А.Н., Чертопалов, С.В., Стипаненко, А.А., Ступак, В.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101869
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние режима магнетронного распыления и состава реакционного газа на структуру и свойства пленок ITO / А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, А.А. Стипаненко, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 342-349. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Изучено влияние температуры подложки, состава рабочего газа и режимов DC и MF реактивного магнетронного распыления сплава 90%In + 10%Sn на структурное состояние, электрическое сопротивление, прозрачность и ширину запрещенной зоны пленок ITO, осажденных на стеклянные подложки. Установленная зависимость электронно-оптических свойств пленок ITO от условий их получения поясняется влиянием степени релаксации внутренних напряжений и кристалличности. Вивчено вплив температури підкладки, складу робочого газу і режимів DC і MF реактивного магнетронного розпилення сплаву 90%In + 10%Sn на структурний стан, електричний опір, прозорість і ширину забороненої зони плівок ITO, осаджених на скляні підкладки. Встановлена залежність електронно-оптичних властивостей плівок ITO від умов їх отримання пояснюється впливом ступеню релаксації внутрішніх напруг і кристалічності. The influence of substrate temperature, composition of the working gas and DC and MF modes of reactive magnetron sputtering of an alloy 90%In + 10%Sn on the structural state, electrical resistance, transparency, and the band gap of the films ITO, deposited on glass substrates have been studied. The dependence of electron-optical properties of ITO films on the conditions of their production explains by the influence of the relaxation of internal stresses and crystallinity.