Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃

Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃

Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом пов’язується з квантово-розмірними ефектами, які мають місце при наномасштабни...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физическая инженерия поверхности
Дата:2012
Автори: Бахтінов, А.П., Водоп’янов, В.М., Ковалюк, З.Д., Кудринський, З.Р., Нетяга, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101870
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 350-359. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101870
record_format dspace
spelling Бахтінов, А.П.
Водоп’янов, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кудринський, З.Р.
Нетяга, В.В.
2016-06-08T16:37:12Z
2016-06-08T16:37:12Z
2012
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 350-359. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101870
538.956
Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом пов’язується з квантово-розмірними ефектами, які мають місце при наномасштабних деформаціях кристалу і при проявленні ефекту електронного флексоелектричного зв’язку на викривлених нанорозмірних ділянках його шарів, через які здійснюється вертикальний транспорт носіїв заряду. Встановлено значне зростання електричної ємності композитних наноструктур при їх освітленні. Це явище може бути обумовлене екрануванням спонтанної поляризації нанорозмірних сегнетоелектричних включень нерівноважними носіями заряду на границях розділу між включеннями і матрицею GaSe.
Исследованы импедансные спектры композитных наноструктур GaSe<KNO₃> в темноте и при их облучении светом. Зависимость импедансных спектров от приложенного к структурам постоянного напряжения при их облучении светом связывается с квантово-размерными эффектами, которые проявляются при наномасштабных деформациях кристалла и вследствие проявления эффекта электронной флексоэлектрической связи на искривленных наноразмерных участках его слоев, через которые осуществляется вертикальный транспорт носителей заряда. Установлено значительное увеличение электрической емкости композитных наноструктур при их освещении. Это явление обусловлено экранированием спонтанной поляризации наноразмерных сегнетоэлектрических включений неравновесными носителями заряда на границах раздела между включениями и матрицей GaSe.
Impedance spectra of the composite GaSe<KNO₃> nanostructures are investigated in dark and under illumination. Dependence of the impedance spectra of the composite GaSe<KNO₃> nanostructures on dc voltage under light illumination is associated with quantum-confinement effects under nanoscale deformation оf crystal and due to electronic flexoelectricity effect in curved nanoscale layered-crystal regions through vertical transport of carriers occurs. We have found an essential increase of electrical capacity of the composite nanostructures under their illumination. This phenomenon is attributed with screening of spontaneous polarization inside the nanoscale ferroelectric inclusions by the non-equilibrium charge carriers at interfaces between inclusions and GaSe matrix.
uk
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
spellingShingle Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
Бахтінов, А.П.
Водоп’янов, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кудринський, З.Р.
Нетяга, В.В.
title_short Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_full Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_fullStr Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_full_unstemmed Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
title_sort фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-gase і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика kno₃
author Бахтінов, А.П.
Водоп’янов, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кудринський, З.Р.
Нетяга, В.В.
author_facet Бахтінов, А.П.
Водоп’янов, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кудринський, З.Р.
Нетяга, В.В.
publishDate 2012
language Ukrainian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
description Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом пов’язується з квантово-розмірними ефектами, які мають місце при наномасштабних деформаціях кристалу і при проявленні ефекту електронного флексоелектричного зв’язку на викривлених нанорозмірних ділянках його шарів, через які здійснюється вертикальний транспорт носіїв заряду. Встановлено значне зростання електричної ємності композитних наноструктур при їх освітленні. Це явище може бути обумовлене екрануванням спонтанної поляризації нанорозмірних сегнетоелектричних включень нерівноважними носіями заряду на границях розділу між включеннями і матрицею GaSe. Исследованы импедансные спектры композитных наноструктур GaSe<KNO₃> в темноте и при их облучении светом. Зависимость импедансных спектров от приложенного к структурам постоянного напряжения при их облучении светом связывается с квантово-размерными эффектами, которые проявляются при наномасштабных деформациях кристалла и вследствие проявления эффекта электронной флексоэлектрической связи на искривленных наноразмерных участках его слоев, через которые осуществляется вертикальный транспорт носителей заряда. Установлено значительное увеличение электрической емкости композитных наноструктур при их освещении. Это явление обусловлено экранированием спонтанной поляризации наноразмерных сегнетоэлектрических включений неравновесными носителями заряда на границах раздела между включениями и матрицей GaSe. Impedance spectra of the composite GaSe<KNO₃> nanostructures are investigated in dark and under illumination. Dependence of the impedance spectra of the composite GaSe<KNO₃> nanostructures on dc voltage under light illumination is associated with quantum-confinement effects under nanoscale deformation оf crystal and due to electronic flexoelectricity effect in curved nanoscale layered-crystal regions through vertical transport of carriers occurs. We have found an essential increase of electrical capacity of the composite nanostructures under their illumination. This phenomenon is attributed with screening of spontaneous polarization inside the nanoscale ferroelectric inclusions by the non-equilibrium charge carriers at interfaces between inclusions and GaSe matrix.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101870
citation_txt Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 350-359. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT bahtínovap fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
AT vodopânovvm fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
AT kovalûkzd fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
AT kudrinsʹkiizr fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
AT netâgavv fízičnívlastivostíkompozitnihnanostruktursformovanihnaosnovíšaruvatogonapívprovídnikapgaseínanorozmírnihtrivimírnihvklûčenʹsegnetoelektrikakno3
first_indexed 2025-11-28T07:20:54Z
last_indexed 2025-11-28T07:20:54Z
_version_ 1850853384648654849

Схожі ресурси