Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом пов’язується з квантово-розмірними ефектами, які мають місце при наномасштабни...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | Бахтінов, А.П., Водоп’янов, В.М., Ковалюк, З.Д., Кудринський, З.Р., Нетяга, В.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101870 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃ / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 350-359. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017) -
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010) -
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017) -
Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
за авторством: Кудринський, З.Р.
Опубліковано: (2013) -
Функція Лагранжа для шаруватого надпровідника скінченних розмірів
за авторством: Бухтатий, А.Є., та інші
Опубліковано: (2024)