Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны
Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровне...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101872 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101872 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. 2016-06-08T16:41:14Z 2016-06-08T16:41:14Z 2012 Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101872 539.21: 621.315.592 Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровней, в запрещенной зоне вблизи разрешенных зон. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. Моделюванням процесу термічного розширення щільності станів напівпровідника, досліджена температурна залежність ширини забороненої зони Ge. Чисельним аналізом установлено, що нелінійна залежність ширини забороненої зони Ge при низьких температурах зумовлена наявністю енергетичних рівнів, у забороненій зоні поблизу дозволених зон. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними. Modeling of a thermal broadening of the density of states of the semiconductor temperature dependence of the band gap of Ge. The numerical analysis showed that the nonlinear dependence of the band gap Ge at low temperatures due to the presence of energy levels in the forbidden zone near the allowed bands. Results are in good agreement with the experimental data. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| spellingShingle |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| title_short |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_full |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_fullStr |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_full_unstemmed |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_sort |
тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| author |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| author_facet |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровней, в запрещенной зоне вблизи разрешенных зон. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.
Моделюванням процесу термічного розширення щільності станів напівпровідника, досліджена температурна залежність ширини забороненої зони Ge. Чисельним аналізом установлено, що нелінійна залежність ширини забороненої зони Ge при низьких температурах зумовлена наявністю енергетичних рівнів, у забороненій зоні поблизу дозволених зон. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними.
Modeling of a thermal broadening of the density of states of the semiconductor temperature dependence of the band gap of Ge. The numerical analysis showed that the nonlinear dependence of the band gap Ge at low temperatures due to the presence of energy levels in the forbidden zone near the allowed bands. Results are in good agreement with the experimental data.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101872 |
| citation_txt |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gulâmovg teplovoeuširenieplotnostisostoâniiitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennoizony AT šaribaevnû teplovoeuširenieplotnostisostoâniiitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennoizony AT érkaboevui teplovoeuširenieplotnostisostoâniiitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennoizony |
| first_indexed |
2025-12-07T17:54:37Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:54:37Z |
| _version_ |
1850873036197068800 |