Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны
Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровне...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101872 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714954588618752 |
|---|---|
| author | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| author_facet | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| citation_txt | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровней, в запрещенной зоне вблизи разрешенных зон. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.
Моделюванням процесу термічного розширення щільності станів напівпровідника, досліджена температурна залежність ширини забороненої зони Ge. Чисельним аналізом установлено, що нелінійна залежність ширини забороненої зони Ge при низьких температурах зумовлена наявністю енергетичних рівнів, у забороненій зоні поблизу дозволених зон. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними.
Modeling of a thermal broadening of the density of states of the semiconductor temperature dependence of the band gap of Ge. The numerical analysis showed that the nonlinear dependence of the band gap Ge at low temperatures due to the presence of energy levels in the forbidden zone near the allowed bands. Results are in good agreement with the experimental data.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:54:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101872 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:54:37Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. 2016-06-08T16:41:14Z 2016-06-08T16:41:14Z 2012 Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101872 539.21: 621.315.592 Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровней, в запрещенной зоне вблизи разрешенных зон. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. Моделюванням процесу термічного розширення щільності станів напівпровідника, досліджена температурна залежність ширини забороненої зони Ge. Чисельним аналізом установлено, що нелінійна залежність ширини забороненої зони Ge при низьких температурах зумовлена наявністю енергетичних рівнів, у забороненій зоні поблизу дозволених зон. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними. Modeling of a thermal broadening of the density of states of the semiconductor temperature dependence of the band gap of Ge. The numerical analysis showed that the nonlinear dependence of the band gap Ge at low temperatures due to the presence of energy levels in the forbidden zone near the allowed bands. Results are in good agreement with the experimental data. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны Article published earlier |
| spellingShingle | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| title | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_full | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_fullStr | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_full_unstemmed | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_short | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_sort | тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101872 |
| work_keys_str_mv | AT gulâmovg teplovoeuširenieplotnostisostoâniiitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennoizony AT šaribaevnû teplovoeuširenieplotnostisostoâniiitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennoizony AT érkaboevui teplovoeuširenieplotnostisostoâniiitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennoizony |