Фазовые портреты деформационных эффектов в полупроводниках в импульсном режиме

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2012
• Автори: Дадамирзаев, М.Г., Гулямов, А.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101873
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фазовые портреты деформационных эффектов в полупроводниках в импульсном режиме / М.Г. Дадамирзаев, А.Г. Гулямов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 371-374. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Исследовано токи в компенсированном p-Si<Ni> под воздействием прямоугольного импульса гидростатического давления. Процесс возникновения и установления анализировался методом фазовых траекторий. Показано, что фазовые траектории могут быть рассмотрены как термодинамический круговой процесс. Эти термодинамические циклы деформационных эффектов в полупроводниках удобно изображать на фазовых портретах, которые образованны из совокупности разных изопроцессов. Досліджено струми в компенсованому p-Si<Ni> під впливом прямокутного імпульсу гідростатичного тиску. Процес виникнення та встановлення аналізувався методом фазових траєкторій. Показано, що фазові траєкторії можуть бути розглянуті як термодинамічний круговий процес. Ці термодинамічні цикли деформаційних ефектів у напівпровідниках зручно зображувати на фазових портретах, які створені із сукупності різних ізопроцесів. Investigated currents in compensated p-Si <Ni> exposed rectangular pulse of hydrostatic pressure. The process of establishing and studied by the method of phase trajectories. It is shown that the phase trajectories can be considered as a thermodynamic cyclic process. These thermodynamic cycles of deformation effects in semiconductors is convenient to represent the phase portrait that education of the totality of izoprotsessov.