Маматкаримов, О., Хамидов, Р., Жабборов, Р., Туйчиев, У., & Кучкаров, Б. (2012). Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления. Физическая инженерия поверхности.
Chicago Style (17th ed.) CitationМаматкаримов, О.О, Р.Х Хамидов, Р.Г Жабборов, У.А Туйчиев, and Б.Х Кучкаров. "Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления." Физическая инженерия поверхности 2012.
MLA (8th ed.) CitationМаматкаримов, О.О, et al. "Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления." Физическая инженерия поверхности, 2012.