Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления

В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамиче...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2012
Hauptverfasser: Маматкаримов, О.О., Хамидов, Р.Х., Жабборов, Р.Г., Туйчиев, У.А., Кучкаров, Б.Х.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101880
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101880
record_format dspace
spelling Маматкаримов, О.О.
Хамидов, Р.Х.
Жабборов, Р.Г.
Туйчиев, У.А.
Кучкаров, Б.Х.
2016-06-08T17:08:14Z
2016-06-08T17:08:14Z
2012
Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101880
539.21:621.315.592
В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамический тензоэффект этих образцов связан 50% от температуры и 50% от колебательных эффектов кристаллической решетки образцов кремния с примесью никеля.
У роботі досліджена зміна концентрації та рухливості носіїв заряду в зразках n- і p-типу кремнію з домішкою нікелю при впливі імпульсного гідростатичного тиску й при зміні температури за допомогою електричного нагрівача вбудованого в досліджуваний зразок. Показано, що динамічний тензоефект цих зразків зв’язаний 50% від температури й 50% від коливальних ефектів кристалічної решітки зразків кремнію з домішкою нікелю.
In this article have been investigated changes in the concentration and mobility of charge carriers in the samples of n and p type of nickel doped silicon under pulse hydrostatic pressure and with change of temperature by electrical heater integrated to the samples. Has been shown, that the dynamic strain effect of these samples due to 50% of the temperature and 50% of the vibration effects of the crystal lattice of nickel doped silicon.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
spellingShingle Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
Маматкаримов, О.О.
Хамидов, Р.Х.
Жабборов, Р.Г.
Туйчиев, У.А.
Кучкаров, Б.Х.
title_short Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_full Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_fullStr Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_full_unstemmed Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_sort релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
author Маматкаримов, О.О.
Хамидов, Р.Х.
Жабборов, Р.Г.
Туйчиев, У.А.
Кучкаров, Б.Х.
author_facet Маматкаримов, О.О.
Хамидов, Р.Х.
Жабборов, Р.Г.
Туйчиев, У.А.
Кучкаров, Б.Х.
publishDate 2012
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
description В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамический тензоэффект этих образцов связан 50% от температуры и 50% от колебательных эффектов кристаллической решетки образцов кремния с примесью никеля. У роботі досліджена зміна концентрації та рухливості носіїв заряду в зразках n- і p-типу кремнію з домішкою нікелю при впливі імпульсного гідростатичного тиску й при зміні температури за допомогою електричного нагрівача вбудованого в досліджуваний зразок. Показано, що динамічний тензоефект цих зразків зв’язаний 50% від температури й 50% від коливальних ефектів кристалічної решітки зразків кремнію з домішкою нікелю. In this article have been investigated changes in the concentration and mobility of charge carriers in the samples of n and p type of nickel doped silicon under pulse hydrostatic pressure and with change of temperature by electrical heater integrated to the samples. Has been shown, that the dynamic strain effect of these samples due to 50% of the temperature and 50% of the vibration effects of the crystal lattice of nickel doped silicon.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101880
citation_txt Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mamatkarimovoo relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositeleizarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdeistviiimpulʹsnogodavleniâ
AT hamidovrh relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositeleizarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdeistviiimpulʹsnogodavleniâ
AT žabborovrg relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositeleizarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdeistviiimpulʹsnogodavleniâ
AT tuičievua relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositeleizarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdeistviiimpulʹsnogodavleniâ
AT kučkarovbh relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositeleizarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdeistviiimpulʹsnogodavleniâ
first_indexed 2025-12-07T15:53:24Z
last_indexed 2025-12-07T15:53:24Z
_version_ 1850865410252996608

Ähnliche Einträge