Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамиче...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | Маматкаримов, О.О., Хамидов, Р.Х., Жабборов, Р.Г., Туйчиев, У.А., Кучкаров, Б.Х. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101880 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
за авторством: Жураев, Н., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Жураев, Н., та інші
Опубліковано: (2017)
Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
за авторством: Акбаров, К., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Акбаров, К., та інші
Опубліковано: (2008)
О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
за авторством: Скрипник, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Скрипник, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
за авторством: Aзaренков, Н.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Aзaренков, Н.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда
за авторством: Червоный, И.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Червоный, И.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
за авторством: Кириченко, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Кириченко, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
К теории взаимодействия делокализованных носителей заряда с магнитными возбуждениями в высокотемпературных сверхпроводниках
за авторством: Локтев, В.М., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Локтев, В.М., та інші
Опубліковано: (1995)
Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2003)
О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
за авторством: Сергеева, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Сергеева, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование взаимодействия ДНК с примесными белками
за авторством: Ахрем, А.А., та інші
Опубліковано: (1989)
за авторством: Ахрем, А.А., та інші
Опубліковано: (1989)
Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
за авторством: Богословский, Н.А., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Богословский, Н.А., та інші
Опубліковано: (2019)
Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2002)
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)
Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП
за авторством: Сухаревский, Б.Я., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Сухаревский, Б.Я., та інші
Опубліковано: (1995)
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
за авторством: Kushnirenko, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kushnirenko, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Проведение экспериментальных исследований в районах сопряжений ствола с глубокими горизонтами
за авторством: Колдунов, И.А.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Колдунов, И.А.
Опубліковано: (2013)
Квантовые и поверхностные состояния носителей заряда в оптических спектрах нанокластеров в матрице с низкой диэлектрической постоянной
за авторством: Бондарь, Н.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Бондарь, Н.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
за авторством: Коршунов, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Коршунов, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)
Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
за авторством: Даунов, М.И., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Даунов, М.И., та інші
Опубліковано: (2009)
О международной батиметрической карте Южного океана (IBCSO)
за авторством: Греку, Р.Х.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Греку, Р.Х.
Опубліковано: (2012)
Ядерная релаксация при сверхнизких температурах, стимулированная парамагнитной примесью
за авторством: Сабиров, Р.Х.
Опубліковано: (1996)
за авторством: Сабиров, Р.Х.
Опубліковано: (1996)
Опыт стилистико-синтаксического анализа художественного текста
за авторством: Тиригулова, Р.Х.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Тиригулова, Р.Х.
Опубліковано: (2006)
Специфіка застосування феноменологічного підходу під час дослідження раціонального в релігії
за авторством: Халіков, Р.Х.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Халіков, Р.Х.
Опубліковано: (2011)
Ядерная релаксация при сверхнизких температурах, стимулированная парамагнитной примесью
за авторством: Сабиров, Р.Х.
Опубліковано: (1996)
за авторством: Сабиров, Р.Х.
Опубліковано: (1996)
Термін «канон» та його релевантність щодо текстів позаавраамічного контексту: на прикладі Тіпітаки, Ганчжура і Данчжура
за авторством: Халіков, Р.Х.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Халіков, Р.Х.
Опубліковано: (2011)
Релаксационные перестройки моноатомных слоев на поверхности
за авторством: Долгов, А.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Долгов, А.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Торможение заряженных частиц в двумерном электронном газе с примесными состояниями электронов
за авторством: Ермолаев, А.М., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Ермолаев, А.М., та інші
Опубліковано: (1999)
Особенности импульсного и квазистатического перемагничивания и релаксационные свойства монокристалла .Nd₀.₅Sr₀.₅MnO₃
за авторством: Довгий, В.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Довгий, В.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
Алгоритм сегментации символов номерного знака транспортного средства
за авторством: Хамдамов, Р.Х., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Хамдамов, Р.Х., та інші
Опубліковано: (2019)
Влияние микролегирования иттрием на релаксационные свойства меди
за авторством: Аржавитин, В.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Аржавитин, В.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Релаксационные процессы при пластической деформации металлических материалов
за авторством: Засимчук, О.Е., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Засимчук, О.Е., та інші
Опубліковано: (2015)
Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
за авторством: Кузьменко, В.М., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кузьменко, В.М., та інші
Опубліковано: (2001)
Квантовые осцилляции импеданса слоистых проводников при упругом рассеянии электронов короткодействующими примесными центрами
за авторством: Кириченко, О.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Кириченко, О.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Использование изотахофореза при постоянном напряжении для определения подвижности
за авторством: Жуков, М.Ю., та інші
Опубліковано: (1986)
за авторством: Жуков, М.Ю., та інші
Опубліковано: (1986)
Влияние концентрационной зависимости подвижности на спинодальный распад стекол
за авторством: Стефанович, Л.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Стефанович, Л.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Теоретическая оценка подвижности участков пептидной цепи молекулы сывороточного
за авторством: Щечкин, И.Е., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Щечкин, И.Е., та інші
Опубліковано: (2006)
Схожі ресурси
-
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
за авторством: Жураев, Н., та інші
Опубліковано: (2017) -
Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
за авторством: Акбаров, К., та інші
Опубліковано: (2008) -
О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
за авторством: Скрипник, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2018) -
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008) -
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)