Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2012
• Автори: Маматкаримов, О.О., Хамидов, Р.Х., Жабборов, Р.Г., Туйчиев, У.А., Кучкаров, Б.Х.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101880
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамиче...