Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Ковалюк, З.Д., Боледзюк, В.Б., Шевчик, В.В., Дубик, О.М., Камінський, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101884
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметрів гратки, а також проявляється немонотонний характер температурних залежностей електричних параметрів у порівнянні із нелегованим InSe. Исследованы структурные особенности и температурные зависимости електросопротивления, термоэлектродвижущей силы, концентрации носителей заряда и фототока InSe<VSe₇>. Показано, что при легировании InSe селенидом ванадия происходит образование твердого раствора замещения с незначительными изменениями параметров решетки, а также проявляется немонотонный характер температурных зависимостей электрических параметров в сравнении с нелегированным InSe. Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the concentration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe₇> was investigated. It is shown that the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters in comparison with undoped InSe.