Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію

Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних пара...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2012
Hauptverfasser: Ковалюк, З.Д., Боледзюк, В.Б., Шевчик, В.В., Дубик, О.М., Камінський, В.М.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101884
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862695672311971840
author Ковалюк, З.Д.
Боледзюк, В.Б.
Шевчик, В.В.
Дубик, О.М.
Камінський, В.М.
author_facet Ковалюк, З.Д.
Боледзюк, В.Б.
Шевчик, В.В.
Дубик, О.М.
Камінський, В.М.
citation_txt Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Физическая инженерия поверхности
description Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметрів гратки, а також проявляється немонотонний характер температурних залежностей електричних параметрів у порівнянні із нелегованим InSe. Исследованы структурные особенности и температурные зависимости електросопротивления, термоэлектродвижущей силы, концентрации носителей заряда и фототока InSe<VSe₇>. Показано, что при легировании InSe селенидом ванадия происходит образование твердого раствора замещения с незначительными изменениями параметров решетки, а также проявляется немонотонный характер температурных зависимостей электрических параметров в сравнении с нелегированным InSe. Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the concentration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe₇> was investigated. It is shown that the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters in comparison with undoped InSe.
first_indexed 2025-12-07T16:25:53Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101884
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1999-8074
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T16:25:53Z
publishDate 2012
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Ковалюк, З.Д.
Боледзюк, В.Б.
Шевчик, В.В.
Дубик, О.М.
Камінський, В.М.
2016-06-08T17:14:55Z
2016-06-08T17:14:55Z
2012
Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101884
537.216, 537.226
Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметрів гратки, а також проявляється немонотонний характер температурних залежностей електричних параметрів у порівнянні із нелегованим InSe.
Исследованы структурные особенности и температурные зависимости електросопротивления, термоэлектродвижущей силы, концентрации носителей заряда и фототока InSe<VSe₇>. Показано, что при легировании InSe селенидом ванадия происходит образование твердого раствора замещения с незначительными изменениями параметров решетки, а также проявляется немонотонный характер температурных зависимостей электрических параметров в сравнении с нелегированным InSe.
Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the concentration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe₇> was investigated. It is shown that the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters in comparison with undoped InSe.
uk
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
Article
published earlier
spellingShingle Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
Ковалюк, З.Д.
Боледзюк, В.Б.
Шевчик, В.В.
Дубик, О.М.
Камінський, В.М.
title Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
title_full Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
title_fullStr Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
title_full_unstemmed Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
title_short Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
title_sort електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101884
work_keys_str_mv AT kovalûkzd električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû
AT boledzûkvb električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû
AT ševčikvv električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû
AT dubikom električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû
AT kamínsʹkiivm električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû