Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметр...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101884 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859980729338822656 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Боледзюк, В.Б. Шевчик, В.В. Дубик, О.М. Камінський, В.М. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Боледзюк, В.Б. Шевчик, В.В. Дубик, О.М. Камінський, В.М. |
| citation_txt | Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметрів гратки, а також проявляється немонотонний характер температурних залежностей електричних параметрів у порівнянні із нелегованим InSe.
Исследованы структурные особенности и температурные зависимости електросопротивления, термоэлектродвижущей силы, концентрации носителей заряда и фототока InSe<VSe₇>. Показано, что при легировании InSe селенидом ванадия происходит образование твердого раствора замещения с незначительными изменениями параметров решетки, а также проявляется немонотонный характер температурных зависимостей электрических параметров в сравнении с нелегированным InSe.
Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the concentration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe₇> was investigated. It is shown that the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters in comparison with undoped InSe.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:25:53Z |
| format | Article |
| fulltext |
448
ВСТУП
Моноселенід індію InSe є яскравим представ-
ником напівпровідників групи А3В6. Він во-
лодіє шаруватою структурою, де кожний шар
лежить в площині, яка перепндикулярна до
вісі с кристалу і містить в собі групу атомних
площин Se-In-In-Se. Між цими атомними
площинами діє сильний ковалентний зв’язок,
тоді як між окремими шарами InSe діють слаб-
кі сили Ван-дер-Ваальса, які і є причиною си-
льної анізотропії властивостей напівпровід-
ника вздовж і впоперек шарів, а також їх ско-
люванням в напрямку площини шарів [1, 2].
Моноселенід індію може використовуватись
в якості твердотільних електродів, детекторів
випромінювання, а також для виготовлення
фотоперетворювачів та інших приладів радіа-
ційностійкої електроніки [3].
Залежно від концентрації, впроваджені до-
мішки можуть локалізуватись як у незапов-
нених октаедричних позиціях міжшарового
простору, так і проникати всередину криста-
лічних шарів. Цілеспрямоване впровадження
в шаруваті напівпровідники 3d-перехідних
елементів дозволяє створювати структури із
почерговими металічними й напівпровідни-
ковими прошарками, товщина яких становить
кілька нанометрів і, відповідно, одержувати
матеріали, у яких об’єднані властивості як ме-
талів, так і напівпровідникові [4]. Легування
кристалів домішками перехідних елементів
дозволяє, з однієї сторони, вивчати кристали
та їх вплив на домішкові іони та, з іншої сто-
рони, досліджувати вплив домішок на влас-
тивості напівпровідникового матеріалу.
УДК: 537.216, 537.226
ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОСЕЛЕНІДУ ІНДІЮ, ЛЕГОВАНОГО
СЕЛЕНІДОМ ВАНАДІЮ
З.Д. Ковалюк1, В.Б. Боледзюк1, В.В. Шевчик1, О.М. Дубик2, В.М. Камінський1
1Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
Україна
2Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка
Україна
Надійшла до редакції 12.11.2012
Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектро-
рушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe7>. Показано, що при легуванні
InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними
змінами основних параметрів гратки, а також проявляється немонотонний характер темпера-
турних залежностей електричних параметрів у порівнянні із нелегованим InSe.
Ключові слова: моно селенід індію, селенід ванадію, твердий розчин заміщення, електричні
властивості.
Исследованы структурные особенности и температурные зависимости електросопротивления,
термоэлектродвижущей силы, концентрации носителей заряда и фототока InSe<VSe7>. Пока-
зано, что при легировании InSe селенидом ванадия происходит образование твердого раствора
замещения с незначительными изменениями параметров решетки, а также проявляется немоно-
тонный характер температурных зависимостей электрических параметров в сравнении с не-
легированным InSe.
Ключевые слова: моноселенид индия, селенид ванадия, твердый раствор замещения, элект-
рические свойства.
Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the con-
centration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe7> was investigated. It is shown that
the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in
the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters
in comparison with undoped InSe.
Keywords: indium monoselenide, vanadium selenide, substitution solution, electrical properties.
З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський, 2012
449ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4
В даній роботі досліджені властивості кри-
сталів InSe<VSe7>, а саме кристалічну струк-
туру одержаних легованих кристалів, темпе-
ратурні залежності електричних характерис-
тик, фотоструму.
ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНА ЧАСТИНА
Монокристали InSe та InSe<VSe7> вирощу-
вали методом Бріджмена із розплаву нестехіо-
метричного складу. Легування домішкою про-
водилось шляхом додавання попередньо син-
тезованого селеніду ванадію (VSe7) із розра-
хунку 0.1 мас. % перед синтезом моноселеніду
індію. Вирощені кристали InSe та InSe<VSe7>
володіли n-типом провідності. При кімнатній
температурі концентрація вільних електронів
n знаходилась в межах 2 ÷ 4⋅1015 см–3, а хол-
лівська рухливість вздовж шарів становила
~200 см2/(В⋅с). Методом Вайсенберга вста-
новлено, що монокристали InSe володіють
ромбоедричною структурою γ-політипу (пр.
гр. 5
3C V ), виміряні періоди гратки а = 4.003 ±
0.001 D, с = 24.9553 ± 0.0006 D (в гексагональ-
них осях).
Зразки для вимірів отримували шляхом
сколюванням з шайби монокристалічного
зливку. Температурні залежності електроп-
ровідності вздовж шарів (σ⊥ с), концентрації
носіїв заряду, термо-ЕРС вивчали в діапазоні
80 – 400 К. Експерименти проводили при по-
стійному струмі та магнітному полі для крис-
талів у формі паралелепіпеда розмірами
12×2,5×0,8 мм3. Індієві контакти виконані згід-
но методики [5] та розміщені в класичній кон-
фігурації для зразків такої форми.
РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ
Контроль кристалічної структури вирощених
кристалів InSe<VSe7> проводився на устано-
вці ДРОН-3 в Cu-Kα-випромінюванні. Для
аналізу одержаних рентгенограм використо-
вувалось програмне забезпечення LATTIK-
KARTA. Згідно отриманих дифрактограм по-
верхні сколу легованого селенідом ванадію
InSe (рис. 1), наявність ванадію в його струк-
турі підтверджується розширенням дифрак-
ційних ліній і, отже, деформацією кристалічної
ґратки моноселеніду індію. Також слід зазна-
чити появу крім основних 00l відбивань
(l = 3, 6, 9, 12), додаткових піків 420, 221, 260,
00.18, 00.21 00.22 піків. Додаткові піки
Θ1 = 13,95°, Θ2 = 14,5°, Θ3 = 23.1°, які відпо-
відають дифракційним лініям 420, 221, 260 є
свідченням мікровключень фази In4Se3. Ви-
міряні параметри елементарної комірки лего-
ваних зразків а = 4.0020 D, с = 24.9543 D трохи
менші ніж параметри нелегованого моноселе-
ніду індію. Наявність слабкого ван-дер-вааль-
сівького зв’язку між шаровими пакетами та
сильного іоно-ковалентного всередині остан-
ніх припускає можливість локалізації домішки
в тетраедричних та октаедричних пустотах
міжшарового простору кристалу. Атомний
радіус ванадію становить 1,35 D, і є значно
меншим за атомний радіус індію (rIn = 1.66 D).
Цей факт, а також подібність значень парамет-
рів кристалічних граток InSe та InSe<VSe7>
дає можливість припустити, що в процесі ле-
гування та вирощування легованих кристалів
відбувається заміщення атомів індію атомами
ванадію всередині шарового простору InSe, а
також їх локалізація в октаетдричних пустотах
міжшарового простору. В цьому випадку, мож-
ливе утворення додаткового донорного рівня
в забороненій зоні InSe<VSe7>.
На рис. 2 представлені результати вимірів
електропровідності (а) та концентрації вільних
електронів (б) для чистих та легованих селе-
нідом ванадію кристалів InSe. Для чистих мо-
нокристалів InSe електропровідність має мета-
левий характер та із пониженням температу-
ри дещо зменшується. В роботі [6] показано,
що у шаруватих кристалах провідність вздовж
шарів обумовлена протяжними станами зони
провідності. Вплив легування ванадієм прояв-
ляється в пониженні як електропровідності
вздовж шарів так і концентрації електронів в
Рис. 1. Дифрактограма моноселеніду індію легованого
VSe7.
З.Д. КОВАЛЮК, В.Б. БОЛЕДЗЮК, В.В. ШЕВЧИК, О.М. ДУБИК, В.М. КАМІНСЬКИЙ
450
зоні провідності. Температурна залежність
електропровідності для InSe<VSe7> носить
немонотонний характер, а її характер зміню-
ється із металевого на напівпровідниковий.
Зменшення величини провідності в легова-
них селенідом ванадію монокристалах InSe (в
порівнянні із нелегованими зразками) у всьому
температурному діапазоні, може бути пов’я-
зане з утворенням в InSe<VSe7> додаткових
потенціальних бар’єрів для руху носіїв заряду
в площині шарів внаслідок неоднорідності
розподілу домішки в легованих кристалах, а
також зменшенням рухливості носіїв заряду
внаслідок розсіювання носіїв заряду на про-
сторових неоднорідностях кристалічної грат-
ки, які виникають в результаті утворення твер-
дого розчину заміщення.
Незначна зміна концентрації вільних носіїв
заряду в області низьких температур для крис-
талів InSe та InSe<VSe7> практично не відріз-
няється, що вказує на наявність в забороненій
зоні досліджуваних зразків мілких донорних
рівнів, які іонізовані при температурі рідкого
азоту та відповідають атомам міжвузлового ін-
дію [7, 8]. При підвищенні температури (Т >
300 К) концентрація електронів у зоні провід-
ності InSe істотно зростає за рахунок іонізації
глибокого донора [9]. Для легованих кристалів
ситуація з n(T) дещо інша. Для InSe<VSe7> n(T)
носить немонотонний стрибкоподібний ха-
рактер в інтервалі температур 250 – 350 К
(рис. 2б). Зростання концентрації носіїв заряду
при Т ≈ 250 К ймовірно пов’язане з іонізацією
донорних рівнів, утворених атомами ванадію,
локалізованими всередині шарового простору
InSe.
Дослідження температурних залежностей
електроопору (рис. 3а) та термоелектрорушій-
ної сили (рис. 3б) кристалів InSe, легованого
селенідом ванадію, показали їх подібність до
відповідних залежностей для невироджених
феромагнітних напівпровідників з невисокою
концентрацією донорів [10], для яких харак-
терний максимум електроопору при темпера-
а)
б)
Рис. 2. Температурні залежності електропровідності
вздовж шарів та концентрації вільних електронів для
монокристалів InSe та InSe<VSe7>.
а)
б)
Рис. 3. Температурні залежності електроопору (3а) та
термоелектрорушійної сили (3б) для InSe та легованого
зразка InSe<VSe7>.
ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОСЕЛЕНІДУ ІНДІЮ, ЛЕГОВАНОГО СЕЛЕНІДОМ ВАНАДІЮ
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4
451ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4
турі Кюрі ТК. На відміну від зразків InSe, за-
лежність ρ(Т) для InSe<VSe7> при низьких
температурах проходить через мінімум, а по-
тім через максимум в ТК, і тільки вже потім
починається звичний експоненціальний спад
опору з температурою. Відмінністю досліджу-
ваних зразків InSe<VSe7> від феромагнітних
напівпровідників є значення ТК, яке в нашому
випадку відповідає діапазону кімнатних тем-
ператур. Спостережувані аномалії в поведінці
ρ(Т) в легованих селенідом ванадію монокрис-
талах InSe можна пояснити існуванням лока-
лізованих індивідуальних та колективізованих
домішкових атомів V в міжшаровому просторі
та на дефектах.
Немонотонна залежність носіїв заряду є на-
слідком того, що при Т < TK дно зони провід-
ності зміщується вверх швидше ніж локальний
рівень. При температурах Т > TK локальний
рівень знову наближається до дна зони про-
відності, а концентрація носіїв заряду змен-
шується з ростом температури. Піки в темпе-
ратурних залежностях питомого електро-
опору та термо-ЕРС в районі 330 – 340 К обу-
мовлені збільшенням відстані між донорним
рівнем і дном зони провідності внаслідок різ-
ного характеру їх температурних залежнос-
тей (енергія активації домішки зменшується з
ростом Т).
На рис. 4 представлена температурна за-
лежність величини фотоструму.
З рис. 4 видно, що з ростом температури
величина фотоструму починає зменшуватись
і в інтервалі температур 330 – 340 К спосте-
рігається мінімальне значення його величини.
Причиною даного явища є захоплення носіїв
дефектами. Рівноважні носії в цьому випадку
захоплюються іонізованими донорами, а фо-
тоелектрони – неіонізованими. Останні в
свою чергу стають пастками для електронів,
оскільки в околі донорної домішки утворю-
ються мікрообласті з підвищеним ступенем
магнітного порядку. Захоплення фотоелект-
ронів неіонізованого донорами поблизу ТК
неможливе із-за нехтовно малого їх числа при
цій температурі.
ВИСНОВКИ
З рентгенівських досліджень встановлено, що
при легуванні монокристалів InSe cеленідом
ванадію відбувається утворення твердого роз-
чину заміщення InSe<VSe7> з мікровключен-
нями фази In4Se3.
Зменшення величини провідності зразків
InSe<VSe7> в порівнянні з чистим InSe у всьо-
му температурному діапазоні пов’язане з ут-
воренням додаткових потенціальних бар’єрів
для руху носіїв заряду в площині шарів
InSe<VSe7> внаслідок неоднорідності розпод-
ілу домішки в легованих кристалах. Немоно-
тонний стрибкоподібний характер темпера-
турної залежності концентрації носіїв заряду
обумовлений іонізацією донорних рівнів,
утворених атомами ванадію, локалізованими
всередині шарового простору InSe.
В зразках InSe<VSe7>, на відміну від чис-
того InSe, температурна залежність питомого
електроопору характеризується мінімумом
при низьких температурах та максимумом при
TK з подальшим експоненційним зменшення
опору. Припускається, що наявність даних
аномалій викликана існуванням локалізованих
індивідуальних та колективізованих домішко-
вих атомів V в міжшаровому просторі та на
дефектах монокристалів InSe.
Немонотонність температурної залежності
фотоструму InSe<VSe7> пояснюється малою
кількістю неіонізованих донорних центрів при
TK, що є пастками для генерованих світлом
фотоелектронів.
ЛІТЕРАТУРА
1. Товстюк К.Д. Полупроводниковое материало-
ведение. – К.: Наукова думка, 1984. – 264 с.
2. Медведева З.С. Халькогениды элементов
ІІІ-Б подгруппы периодической системы. –
М.: Наука, 1968. – 216 с.
Рис. 4. Температурні залежності фотоструму кристалів
InSe та легованих зразків InSe<VSe7>.
З.Д. КОВАЛЮК, В.Б. БОЛЕДЗЮК, В.В. ШЕВЧИК, О.М. ДУБИК, В.М. КАМІНСЬКИЙ
452
3. Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Литовчен-
ко П.Г., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П.,
Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейт-
ронного облучения на фотоэлектрические па-
раметры структур р-n-InSe//Письма в ЖТФ.
– 2007. – Т. 33, Вып. 18. – С. 14-22.
4. Магнетизм наносистем на основе редкозе-
мельных и 3d-переходных металлов. Хресто-
матия/Под ред. В.О. Васьковского. – Екате-
ринбург, 2007. – 266 с.
5. Демчина Л., Ковалюк З., Минтянский И. Изг-
отовление омических контактов к слоистым
монокристаллам типа А3В6//Приборы и тех-
ника эксперимента. – 1980. – № 2. – C. 219.
6. Беленький Г.Л., Абдуллаев Н.А., Зверев В.Н.,
Штейншрайбер В.Я. Природа анизотропии
проводимости и особенности локализации
электронов в слоистом селениде индия//
Письма в ЖЭТФ. – 1988. – Т. 47, Вып. 10. –
С. 498-500.
7. Segura A., Pomer F., Cantarero A., et al. Electron
scattering mechanism in n-type indium selenide
//Phys. Rev. B. – 1984. – Vol. 29, №10. –
P. 5708-5717.
8. Segura A., Wunstel K., Chevy A. Investigation
of impurity levels in n-type indium selenide by
means of Hall effect and deep level transient
spectroscopy//Appl. Phys. A. – 1983. – Vol. 31,
№ 2. – P. 139-145.
9. Zaslonkin A.V., Kovalyuk Z.D., Mintyanskii I.V.,
and Savitskii P.I. Electrical properties of fast
cooled InSe single crystals//Semiconductor
Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics.
– 2008. – Vol. 11, № 1. – P. 54-58.
10. Нагаев Э.Л. Физика магнитних полупровод-
ников. – М.: Наука, 1979. – 432 с.
LІTERATURA
1. Tovstyuk K.D. Poluprovodnikovoe materialove-
denie. – K.: Naukova dumka, 1984. – 264 s.
2. Medvedeva Z.S. Halkogenidy elementov ІІІ-B
podgruppy periodicheskoj sistemy. – M.: Nauka,
1968. – 216 s.
3. Kovalyuk Z.D., Politanskaya O.A., Litovchen-
ko P.G., Lastoveckij V.F., Litovchenko O.P., Du-
bovoj V.K., Polivcev L.A. Vliyanie nejtronnogo
oblucheniya na fotoelektricheskie parametry
struktur р-n-InSe//Pis’ma v ZhTF. – 2007. –
T. 33, Vyp. 18. – S. 14-22.
4. Magnetizm nanosistem na osnove redkozemelnyh
i 3d-perehodnyh metallov. Hrestomatiya/Pod
red. V.O. Vaskovskogo. – Ekaterinburg, 2007. –
266 s.
5. Demchina L.A., Kovalyuk Z.D., Mintyanskij I.V.
Izgotovlenie omicheskih kontaktov k sloistym
monokristallam tipa A3V6//Pribory i tehnika
eksperimenta. – 1980. – № 2. – C. 219.
6. Belenkij G.L., Abdullaev N.A., Zverev V.N.,
Shtejnshrajber V.Ya. Priroda anizotropii provo-
dimosti i osobennosti lokalizacii elektronov v
sloistom selenide indiya//Pisma v ZhETF. – 1988.
– T. 47, Vyp. 10. – S. 498-500.
7. Segura A., Pomer F., Cantarero A., et. al. Elect-
ron scattering mechanism in n-type indium sele-
nide//Phys. Rev. B. – 1984. – Vol. 29, №10. –
P. 5708-5717.
8. Segura A., Wunstel K., Chevy A. Investigation
of impurity levels in n-type indium selenide by
means of Hall effect and deep level transient
spectroscopy//Appl. Phys. A.– 1983. – Vol. 31,
№ 2. – P. 139-145.
9. Zaslonkin A.V., Kovalyuk Z.D., Mintyanskii I.V.,
and Savitskii P.I. Electrical properties of fast co-
oled InSe single crystals//Semiconductor Physics,
Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2008.
– Vol. 11, № 1. – P. 54-58.
10. Nagaev E.L. Fizika magnitnih poluprovodnikov.
– M.: Nauka, 1979. – 432 s.
ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОСЕЛЕНІДУ ІНДІЮ, ЛЕГОВАНОГО СЕЛЕНІДОМ ВАНАДІЮ
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101884 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:25:53Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Боледзюк, В.Б. Шевчик, В.В. Дубик, О.М. Камінський, В.М. 2016-06-08T17:14:55Z 2016-06-08T17:14:55Z 2012 Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101884 537.216, 537.226 Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметрів гратки, а також проявляється немонотонний характер температурних залежностей електричних параметрів у порівнянні із нелегованим InSe. Исследованы структурные особенности и температурные зависимости електросопротивления, термоэлектродвижущей силы, концентрации носителей заряда и фототока InSe<VSe₇>. Показано, что при легировании InSe селенидом ванадия происходит образование твердого раствора замещения с незначительными изменениями параметров решетки, а также проявляется немонотонный характер температурных зависимостей электрических параметров в сравнении с нелегированным InSe. Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the concentration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe₇> was investigated. It is shown that the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters in comparison with undoped InSe. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію Article published earlier |
| spellingShingle | Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію Ковалюк, З.Д. Боледзюк, В.Б. Шевчик, В.В. Дубик, О.М. Камінський, В.М. |
| title | Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію |
| title_full | Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію |
| title_fullStr | Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію |
| title_full_unstemmed | Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію |
| title_short | Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію |
| title_sort | електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101884 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû AT boledzûkvb električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû AT ševčikvv električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû AT dubikom električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû AT kamínsʹkiivm električnívlastivostímonoseleníduíndíûlegovanogoselenídomvanadíû |