Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) аппроксимируется прямой линией и по сути она очень близка к известной формуле...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101888 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах / А.З. Рахматов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 392-396. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101888 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Рахматов, А.З. Каримов, А.В. 2016-06-08T17:36:45Z 2016-06-08T17:36:45Z 2012 Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах / А.З. Рахматов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 392-396. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101888 621.315.592.2 На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) аппроксимируется прямой линией и по сути она очень близка к известной формуле для времени жизни неосновных носителей заряда при больших концентрациях ловушек τp = τp0(1 + Nсм/n0). При этом зависимость Kτ от флюенса нейтронов вероятнее всего определяется уменьшением концентрации основных носителей под воздействием облучения. На основі експериментальних даних залежності часу життя неосновних носіїв заряду від радіаційного опромінення зроблено висновок, що залежність Kτ0/Kτ(Ф) від ρ(Ф)/ρ(0) з високим ступенем вірогідності (R² = 0,96) апроксимується прямою лінією й по суті вона дуже близька до відомої формули для часу життя неосновних носіїв заряду при великих концентраціях уловлювачів τp = τp0(1 + Nсм/n0). При цьому залежність Kτ від флюенса нейтронів найімовірніше визначається зменшенням концентрації основних носіїв під впливом опромінення. Based on experimental data of the dependence of the minority carrier lifetime from radiation exposure was concluded that the relationship Kτ0/Kτ (Ф) from ρ(Ф)/ρ(0) with a high degree of confidence (R² = 0,96) is approximated by a straight line and actually it is very close to the well-known formula for the lifetime of minority carriers at high concentration of traps τp0(1 + Nsm/n0). The dependence of the Kτ from neutron fluence probably is determined by decreasing the concentration of majoritycarriers under irradiation. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| spellingShingle |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах Рахматов, А.З. Каримов, А.В. |
| title_short |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_full |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_fullStr |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_full_unstemmed |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| title_sort |
анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах |
| author |
Рахматов, А.З. Каримов, А.В. |
| author_facet |
Рахматов, А.З. Каримов, А.В. |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) аппроксимируется прямой линией и по сути она очень близка к известной формуле для времени жизни неосновных носителей заряда при больших концентрациях ловушек τp = τp0(1 + Nсм/n0). При этом зависимость Kτ от флюенса нейтронов вероятнее всего определяется уменьшением концентрации основных носителей под воздействием облучения.
На основі експериментальних даних залежності часу життя неосновних носіїв заряду від радіаційного опромінення зроблено висновок, що залежність Kτ0/Kτ(Ф) від ρ(Ф)/ρ(0) з високим ступенем вірогідності (R² = 0,96) апроксимується прямою лінією й по суті вона дуже близька до відомої формули для часу життя неосновних носіїв заряду при великих концентраціях уловлювачів τp = τp0(1 + Nсм/n0). При цьому залежність Kτ від флюенса нейтронів найімовірніше визначається зменшенням концентрації основних носіїв під впливом опромінення.
Based on experimental data of the dependence of the minority carrier lifetime from radiation exposure was concluded that the relationship Kτ0/Kτ (Ф) from ρ(Ф)/ρ(0) with a high degree of confidence (R² = 0,96) is approximated by a straight line and actually it is very close to the well-known formula for the lifetime of minority carriers at high concentration of traps τp0(1 + Nsm/n0). The dependence of the Kτ from neutron fluence probably is determined by decreasing the concentration of majoritycarriers under irradiation.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101888 |
| citation_txt |
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах / А.З. Рахматов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 392-396. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT rahmatovaz analizperehodnyhprocessovvradiacionnooblučenyhkremnievyhpnnstrukturah AT karimovav analizperehodnyhprocessovvradiacionnooblučenyhkremnievyhpnnstrukturah |
| first_indexed |
2025-11-25T15:30:28Z |
| last_indexed |
2025-11-25T15:30:28Z |
| _version_ |
1850516851015024640 |
| fulltext |
392
ВВЕДЕНИЕ
Известно, что напряжения пробоя p-n-пере-
ходов силовых диодов могут слабо меняется
даже при облучении большими флюенсами
электронов, нейтронов и гамма-квантов [1].
Это особенно относится к полупроводнико-
вым ограничителям напряжения (ОН) и ста-
билитронам, которые характеризуются ещё
двумя важными параметрами [2]:
– обратным током, который в режиме ожи-
дания определяет энергетические потери в
ОН;
– прямым падением напряжения, что осо-
бенно важно для симметричных стабилит-
ронов и ОН, которые используются в цепях,
где возможны выбросы напряжения обеих
знаков.
Если напряжение пробоя и напряжение
ограничения слабо зависят от времени жизни
неосновных носителей заряда (τ), то обрат-
ный ток и прямое падение напряжения от τ
зависят весьма существенно [2 – 5]. Поэтому
исследованию зависимости τ от воздействия
радиации и от флюенса нейтронов посвящено
большое количество работ [5, 6].
В этих работах принимается, что:
1/(Ф) = 1/(0) + KτФ, (1)
или:
τ(0)/τ(Ф) = 1 + τ(0)KτФ, (2)
где τ(Ф) – время жизни неосновных носи-
телей заряда после воздействия флюенса ней-
тронов Ф; τ(0) – время жизни неосновных но-
сителей заряда до облучения; Kτ – коэффи-
УДК 621.315.592.2
АНАЛИЗ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В РАДИАЦИОННО
ОБЛУЧЕНЫХ КРЕМНИЕВЫХ p+nn+-СТРУКТУРАХ
А.З. Рахматов2, А.В. Каримов1
1Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
Узбекистан
2ОАО “Foton” (Ташкент)
Узбекистан
Поступила в редакцию 12.10.2012
На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей
заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0/Kt(Ф) от
ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R2 = 0,96) аппроксимируется прямой линией и
по сути она очень близка к известной формуле для времени жизни неосновных носителей
заряда при больших концентрациях ловушек τp = τp0(1 + Nсм/n0). При этом зависимость Kτ от
флюенса нейтронов вероятнее всего определяется уменьшением концентрации основных
носителей под воздействием облучения.
Ключевые слова: ограничитель напряжения, радиационное облучение, коэффициент радиаци-
онного изменения времени жизни, кремниевая p+nn+-структура.
На основі експериментальних даних залежності часу життя неосновних носіїв заряду від ра-
діаційного опромінення зроблено висновок, що залежність Kτ0/Kτ(Ф) від ρ(Ф)/ρ(0) з високим
ступенем вірогідності (R2 = 0,96) апроксимується прямою лінією й по суті вона дуже близька
до відомої формули для часу життя неосновних носіїв заряду при великих концентраціях
уловлювачів τp = τp0(1 + Nсм/n0). При цьому залежність Kτ від флюенса нейтронів найімовірніше
визначається зменшенням концентрації основних носіїв під впливом опромінення.
Ключові слова: обмежник напруги, радіаційне опромінення, коефіцієнт радіаційної зміни часу
життя, кремнієва p+nn+-структура.
Based on experimental data of the dependence of the minority carrier lifetime from radiation expo-
sure was concluded that the relationship Kτ0/Kτ(Ф) from ρ(Ф)/ρ(0) with a high degree of confidence
(R2 = 0,96) is approximated by a straight line and actually it is very close to the well-known formula
for the lifetime of minority carriers at high concentration of traps τp0(1 + Nsm/n0). The dependence of
the Kτ from neutron fluence probably is determined by decreasing the concentration of majority
carriers under irradiation.
Keywords: transient voltage suppressor, radiation exposure, coefficient of radiation change in the
lifetime, a silicon p+nn+-structure.
А.З. Рахматов, А.В. Каримов, 2012
393ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4
циент радиационного изменения времени
жизни в кремнии. В формулах (1) и (2) τ(0)
определяется концентрацией рекомбинаци-
онных центров Nr, существующих в кремнии
до облучения, а величина 1/KτФ является по
сути временем жизни неосновных носителей
заряда, которая определяется концентрацией
рекомбинационных центров NrФ, вводимых
облучением. При этом предполагается, что
NrФ ~ Ф. (3)
При определении величины Kτ, необходи-
мо обратить внимание на два обстоятельства:
– во-первых, большинство из них по своей
сути посвящено экспериментальному или
расчётному определению величины Kτ и её
зависимости от степени легирования полу-
проводника, от температуры, уровня инжек-
ции и т.п. и
– во-вторых, ни один из авторов не приво-
дит значения величин флюенса нейтронов,
при котором получены опубликованные ими
значения Kτ. Формула (1) также не содержит
явной зависимости Kτ от флюенса. В то же
время графическая зависимость формулы (1),
приведённая в работе [7], свидетельствует о
наличии зависимости Kτ = f(Ф). Об этом же
упоминают авторы работы [8]. Из работ [1,
5, 9], посвящённых расчёту и прогнозирова-
нию радиационной стойкости конкретных
классов полупроводниковых приборов (дио-
дов, транзисторов и т.п.), следует, что в них
возможная зависимость Kτ от Ф также не учи-
тывается: обычно при расчётах используются
либо экспериментальные значения Kτ, либо
его значение взятое из работы [6] для конкрет-
ных значений концентраций основных носи-
телей и уровня инъекции. Подобный подход,
по-видимому, вполне закономерен в тех слу-
чаях, когда необходимо произвести расчёт или
оценку влияния сравнительно небольшого
флюенса нейтронов на параметры приборов.
Однако, применительно к ограничителям на-
пряжения (или к стабилитронам), чья устой-
чивость к радиационному воздействию ней-
тронов достаточно велика, представляет ин-
терес изучение зависимости Kτ = f(Ф) при бо-
льших флюенсах нейтронного облучения.
В настоящей работе коэффициент радиа-
ционного изменения времени жизни в крем-
нии исследуется в широком диапазоне ней-
тронного облучения на основе эксперимен-
тальной зависимости времени жизни не-
основных носителей заряда τ от дозы облу-
чения.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ОБРАЗЦЫ ИС-
СЛЕДУЕМЫХ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ НА-
ПРЯЖЕНИЯ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЕ-
ВЫХ p+nn+-СТРУКТУР
Исследуемые ОН изготовлены в ОАО “FO-
TON” на основе пакетного метода диффузии
легирующих примесей [7]. В этом методе од-
новременно из двухсторон бор и фосфор со-
держащих источников осуществляется про-
цесс диффузии на подложку кремния n-типа
проводимости при температуре 1250 °С ±
5 °С в течение 45 часов. Толщина исходного
кремния n-типа проводимости с удельным со-
противлением ~ 2 Ом⋅см составляет 200 мкм.
В готовой p+nn+-структуре глубина диффузии
бора – области p+-типа составляет ~50 ± 2 мм,
а глубина диффузии фосфора – области n+-ти-
па составляет ~55 мм. Соответственно тол-
щина базовой области равна 95 мкм. Сечение
структуры, как показано на рис. 1а, в виде
шестигранника с площадью ~9.3⋅10–2 см2; рис.
1а. На обе поверхности p+nn+-структуры с
омическими контактами сформированы мед-
ные термокомпенсаторы сплавлением с по-
мощью серебряного припоя ПСр 2.5, рис. 1б
(двухслойная защита поверхности кристалла
органическими материалами условно не по-
казана). В полученных таким образом ограни-
чительных диодах напряжения ограничения
составляли Uогр= 200 В.
Облучение этих образцов осуществлялось
на исследовательском реакторе ИИН-3М.
Флюенс нейтронов определялся по потоку
нейтронов с энергией E ≥ 100 кэВ. Средняя
энергия нейтронов при этом составляла
~1,5 MэВ, а погрешность дозиметрии – ±20%.
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ НЕЙ-
ТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ВРЕМЯ
ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ
ЗАРЯДА В КРЕМНИЕВЫХ p+nn+-СТРУК-
ТУРАХ
Для изучения зависимости Kτ = f(Ф) в данной
работе экспериментально определялась зави-
симость времени восстановления обратного
сопротивления (τrr) ОН от Ф. Величина τrr из-
мерялась в режиме переключения ОН с пря-
А.З. РАХМАТОВ, А.В. КАРИМОВ
394
мого тока IF = (0.9 ± 0.1) А на обратное напря-
жение 40 В при сопротивлении нагрузки
40 Ом. Режим переключения (величины пря-
мого (IF) и обратного (IR) токов) определялся
при каждом измерении величины τrr. За ве-
личину τrr принимался промежуток времени
от момента перехода тока через нуль до мо-
мента, когда значение обратного тока снижа-
ется до 0.1 от своего максимального значения.
По величине τrr и соотношению IF/IR по графи-
кам приведенным в работах [3, 10] опреде-
ляли время жизни неосновных носителей за-
ряда (τp) и его зависимость от флюенса ней-
тронов Ф, а затем по формулам (1) или (2),
определяли величину коэффициента Kτ и его
зависимость от Ф. Точность измерения τrr –
составляла ±10%.
Экспериментальные и расчётные завимо-
сти, представленные на приведённых ниже
рис. 2, 3, аппроксимировались кривыми, ко-
торые рассчитывались по методу наимень-
ших квадратов, с обязательной оценкой дос-
товерности аппроксимации (R2). На рис. 2
представлена экспериментальная зависи-
мость τp(Φ = 0)/τp(Ф) = f(Ф), где (τp(Ф = 0) –
время жизни неосновных носителей в базе
ОН до облучения, равная ~240 нсек. На ос-
нове данных приведенных на рис. 2 с помо-
щью формулы (2) рассчитывались величины
Kτ (коэффициента радиационного изменения
времени жизни) для заданных флюенсов ней-
тронов Ф.
Полученные данные в виде зависимости
Kτ(Ф)/Kτ0 от флюенса нейтронов приведены
на рис. 3. В качестве Kτ0 принято значение ве-
личины коэффициента радиационного изме-
нения времени жизни в диапазоне значений
флюенса нейтронов (1012 ÷ 2.5⋅1013) н/см2, в
которой эта величина постоянна и равна
~2.15⋅10–7 н/см2.
Из рис. 3 следует, что Kτ(Ф) действительно
зависит от Ф. При этом, эта зависимость с
достаточно хорошей достоверностью (R2 ~
0,9) апроксимируется экспоненциальной
функцией.
Здесь следует отметить, что при допуще-
нии отсутствия взаимодействия существую-
щих в исходном кремнии рекомбинационных
центров Nr с радиационными рекомбинаци-
онными центрами NrФ, вводимыми облуче-
а)
б)
Рис. 1. Схематические изображение кремниевой
p+nn+-структуры диода (а) и (б) его конструкции.
Рис. 2. Экспериментальная зависимость τр(Φ = 0)/τр(Ф)
от флюенса нейтронов.
Рис. 3. Зависимость Kτ(Ф)/Kτ0 от флюенса нейтронов.
АНАЛИЗ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В РАДИАЦИОННО ОБЛУЧЕНЫХ КРЕМНИЕВЫХ p+nn+-СТРУКТУРАХ
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4
395ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4
нием, а также исключении возможности вза-
имодействия их между собой, получим нару-
шения условия (3). То есть практически единс-
твенным известным нам механизмом, кото-
рый может формировать зависимость Kτ(Ф)
является механизм, описанный Шокли, Ридом
и Холлом, который допускает влияние поло-
жения уровня Ферми (или концентрации ос-
новных носителей) на время жизни неоснов-
ных носителей заряда. Действительно в про-
цессе облучения кремния нейтронами умень-
шается концентрация основных носителей
заряда приводя к росту его удельного сопро-
тивления (ρ) [11]. При этом уровень Ферми
смещается к середине запрещённой зоны.
Наиболее подробно этот механизм примени-
тельно к глубоким уровням, которые вводятся
в кремний нейтронным облучением, описан
в работе [6]. Для того чтобы подтвердить (или
опровергнуть) этот механизм формирования
зависимости Kτ от Ф, достаточно проверить
наличие функциональной связи между Kτ(Ф)
и ρ(Ф) в исследуемых образцах ОН.
Как показано в работе [11] и подтверждено
многими другими авторами [12] при ней-
тронном облучении удельное сопротивление
базы изменяется экспоненциально мощности
облучения
ρ(Ф) = ρ(0)exp(KρФ), (4)
где ρ(0) – исходное удельное сопротивление
кремния до облучения, Kρ − коэффициент ра-
диационного изменения удельного сопротив-
ления кремния.
При подстановке экспериментального зна-
чения
Kρ = 3.5⋅10–16(ρ(0))0.5, (5)
приведенного в работе [1] в заданном интер-
вале флюенсов получим изменение удельного
сопротивления от 2 Ом⋅см до 100 Ом⋅см. Для
удельного сопротивления кремния ρ(0) = 2
Ом⋅см, на котором были изготовлены иссле-
дуемые ОН этот коэффициент будет равен
~5⋅1016 н/см2.
Зависимость Kτ0/Kτ(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0)
(рис. 4), в которой использованы значения
ρ(Ф), полученные расчетным путем с помо-
щью (4) и (5) на основе экспериментальных
данных τp(Ф) дает прямую линию, что тож-
дественно зависимости времени жизни от
концентрации носителей при нейтронном
воздействии. Действительно приведённая на
рис. 4 зависимость с высокой степенью досто-
верности (R2 = 0.96) аппроксимируется пря-
мой линией и равносильна известной форму-
ле для времени жизни неосновных носителей
заряда при больших концентрациях ловушек
[13]:
τp = τp0(1 + Nсм/n0). (6)
Это обстоятельство свидетельствует о том,
что зависимость Kτ от флюенса нейтронов ве-
роятнее всего определяется уменьшением
концентрации основных носителей под воз-
действием облучения. На основе данных за-
висимости Kτ(Ф)/Kτ0 от флюенса нейтронов
(рис. 3) с помощью формулы (5) можно полу-
чить следующую зависимость:
Kτ(Ф) = 0.9⋅Kτ0exp(2KρФ). (7)
Полученную зависимость коэффициента
изменения времени жизни неосновных носи-
телей от коэффициента радиационного изме-
нения удельного сопротивления кремния мо-
жно трактовать, как наличие связи между дву-
мя фундаментальными величинами време-
нем жизни неосновных носителей заряда и
концентрацией носителей базовой области.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Таким образом, на основе анализа переход-
ных процессов в кремниевой p+nn+-структуре
можно заключить, что путем радиационного
воздействия можно управлять параметрами
базовой области и временными характерис-
тиками.
ЛИТЕРАТУРА
1. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И.
Действие проникающей радиации на изделия
электронной техники. – М.: Советское радио,
1980. – 138 с.
Рис. 4. Зависимость Kτ0/Kτ(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0).
А.З. РАХМАТОВ, А.В. КАРИМОВ
396
2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов
и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1967.
– 164 с.
3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов,
книга 1. – М.: Мир, 1984. – 122 с.
4. Адирович Э.И., Карагергий-Алкалаев П.М.,
Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в
полупроводниках. – М.: Советское Радио,
1978. – 78 с.
5. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эф-
фекты в полупроводниках и полупроводни-
ковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. –
143 с.
6. Messenger G.C.//Report on International Sym-
posium on Radiation Effects in Semiconductors
(Toulouse). – 1967.
7. Рахматов А.З., Муратов А.Ф., Меркулов А.А.,
Исмаилов Р.И. Способ изготовления огра-
ничителей напряжения. – Патент № 25328,
1994, Бюл. № 23.
8. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С.,
Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиа-
ционные методы в твердотельной электрони-
ке. – М.: Радио и связь, 1990. – 59 с.
9. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М.
Радиационные эффекты в полупроводниковых
приборах. – Минск: Наука и техника, 1978. –
90 с.
10. Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные
диоды. – М.: Советское радио, 1964. – 61 с.
11. Buchler M.G.//Proc. IEEE. – 1968. – Vol. 56,
No. 10. Р. 111.
12. Коноплёва Р.Ф., Новиков С.Р., Рубинова Э.Э.
//ФТП. – 1969. – Т. 3. – С. 1119.
13. Рывкин C.М. Фотоэлектрические явления в
полупроводниках. – М.: Физ.-мат. литер, 1963.
– 156 с.
LITERATURA
1. Kulakov V.M., Ladygin E.A., Shahovcov V.I.
Dejstvie pronikayuschej radiacii na izdeliya
elektronnoj tehniki. – M.: Sovetskoe radio, 1980.
– 138 s.
2. Stepanenko I.P. Osnovy teorii tranzistorov i tran-
zistornyh shem. – M.: Energiya, 1967. – 164 s.
3. Zi S. Fizika poluprovodnikovyh priborov, kniga 1.
– M.: Mir, 1984. – 122 s.
4. Adirovich E.I., Karagergij-Alkalaev P.M., Lej-
derman A.Yu. Toki dvojnoj inzhekcii v polupro-
vodnikah. – M.: Sovetskoe Radio, 1978. – 78 s.
5. Vavilov V.S., Uhin N.A. Radiacionnye effekty v
poluprovodnikah i poluprovodnikovyh priborah. –
M.: Atomizdat, 1969. – 143 s.
6. Messenger G.C.//Report on International Sym-
posium on Radiation Effects in Semiconductors
(Toulouse). – 1967.
7. Rahmatov A.Z., Muratov A.F., Merkulov A.A.,
Ismailov R.I. Sposob izgotovleniya ogranichitelej
napryazheniya. – Patent № 25328, 1994, Byul.
№ 23.
8. Vavilov V.S., Gorin B.M., Danilin N.S., Kiv A.E.,
Nurov Yu.L., Shahovcov V.I. Radiacionnye
metody v tverdotel’noj elektronike. – M.: Radio
i svyaz, 1990. – 59 s.
9. Korshunov F.P., Gatalskij G.V., Ivanov G.M.
Radiacionnye effekty v poluprovodnikovyh
priborah. – Minsk: Nauka i tehnika, 1978. – 90 s.
10. Nosov Yu.R. Poluprovodnikovye impul’snye dio-
dy. – M.: Sovetskoe radio, 1964. – 61 s.
11. Buchler M.G.//Proc. IEEE. – 1968. – Vol. 56,
No. 10. – Р. 111.
12. Konopleva R.F., Novikov S.R., Rubinova E.E.//
FTP. – 1969. – T. 3. – S. 1119.
13. Ryvkin C.M. Foto‘elektricheskie yavleniya v
poluprovodnikah. – M.: Fiz.-mat. liter, 1963. –
156 s.
АНАЛИЗ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В РАДИАЦИОННО ОБЛУЧЕНЫХ КРЕМНИЕВЫХ p+nn+-СТРУКТУРАХ
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4
|