Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2009
• Main Author: Ефимов, В.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2009
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101958
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 4. — С. 402-407. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Рассматриваются физические процессы образования и управления кластерными объединениями в проводящих квантовых структурах в монокристалле кремния. Выделены основные радиационные процессы с пространственной изотропией вылета осколков ядер тяжелых элементов при их фотоделении для обработки кремниевых структур. На основе полученных экспериментальных результатов разработана схема кремниевого фотопреобразователя третьего поколения для гелиоэнергетики. Розглядаються фізичні процеси створення та управління кластерними об’єднаннями в електропровідних квантових структурах в монокристалічному кремнію. Виділено основні радіаційні процеси з просторовою ізотропією вильоту уламків ядер важких елементів під час фотоділення для обробки кремнієвих структур. На основі отриманих експериментальних результатів розроблено схему кремнієвого фотоперетворювача третього покоління для геліоенергетики. The physical processes of formation and control of the conducting quantum cluster structures in single-crystal silicon are considered. The main radiation processes with spatial isotropy of the escape of nuclei fragments of heavy elements in their photofission for processing silicon structures are determined. Based on the experimental results the scheme of the silicon photoconverters for thirdgeneration solar energy have been designed.