Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики

Рассматриваются физические процессы образования и управления кластерными объединениями в проводящих квантовых структурах в монокристалле кремния. Выделены основные радиационные процессы с пространственной изотропией вылета осколков ядер тяжелых элементов при их фотоделении для обработки кремниевых с...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2009
Main Author: Ефимов, В.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2009
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101958
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 4. — С. 402-407. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-101958
record_format dspace
spelling Ефимов, В.П.
2016-06-09T13:26:50Z
2016-06-09T13:26:50Z
2009
Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 4. — С. 402-407. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101958
621.3.049.77
Рассматриваются физические процессы образования и управления кластерными объединениями в проводящих квантовых структурах в монокристалле кремния. Выделены основные радиационные процессы с пространственной изотропией вылета осколков ядер тяжелых элементов при их фотоделении для обработки кремниевых структур. На основе полученных экспериментальных результатов разработана схема кремниевого фотопреобразователя третьего поколения для гелиоэнергетики.
Розглядаються фізичні процеси створення та управління кластерними об’єднаннями в електропровідних квантових структурах в монокристалічному кремнію. Виділено основні радіаційні процеси з просторовою ізотропією вильоту уламків ядер важких елементів під час фотоділення для обробки кремнієвих структур. На основі отриманих експериментальних результатів розроблено схему кремнієвого фотоперетворювача третього покоління для геліоенергетики.
The physical processes of formation and control of the conducting quantum cluster structures in single-crystal silicon are considered. The main radiation processes with spatial isotropy of the escape of nuclei fragments of heavy elements in their photofission for processing silicon structures are determined. Based on the experimental results the scheme of the silicon photoconverters for thirdgeneration solar energy have been designed.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики
spellingShingle Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики
Ефимов, В.П.
title_short Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики
title_full Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики
title_fullStr Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики
title_full_unstemmed Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики
title_sort кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики
author Ефимов, В.П.
author_facet Ефимов, В.П.
publishDate 2009
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
description Рассматриваются физические процессы образования и управления кластерными объединениями в проводящих квантовых структурах в монокристалле кремния. Выделены основные радиационные процессы с пространственной изотропией вылета осколков ядер тяжелых элементов при их фотоделении для обработки кремниевых структур. На основе полученных экспериментальных результатов разработана схема кремниевого фотопреобразователя третьего поколения для гелиоэнергетики. Розглядаються фізичні процеси створення та управління кластерними об’єднаннями в електропровідних квантових структурах в монокристалічному кремнію. Виділено основні радіаційні процеси з просторовою ізотропією вильоту уламків ядер важких елементів під час фотоділення для обробки кремнієвих структур. На основі отриманих експериментальних результатів розроблено схему кремнієвого фотоперетворювача третього покоління для геліоенергетики. The physical processes of formation and control of the conducting quantum cluster structures in single-crystal silicon are considered. The main radiation processes with spatial isotropy of the escape of nuclei fragments of heavy elements in their photofission for processing silicon structures are determined. Based on the experimental results the scheme of the silicon photoconverters for thirdgeneration solar energy have been designed.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101958
citation_txt Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 4. — С. 402-407. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT efimovvp klasternyeobrazovaniâprovodâŝihkvantovyhstrukturvmonokristalličeskomkremniidlâgelioénergetiki
first_indexed 2025-12-02T07:28:38Z
last_indexed 2025-12-02T07:28:38Z
_version_ 1850861870958772224