Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Олимов, Л.О., Абдурахманов, Б.М., Омонбоев, Ф.Л.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102614
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ / Л.О. Олимов, Б.М. Абдурахманов, Ф.Л. Омонбоев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 4-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Обнаружен эффект смены полярности напряжения и направления тока в однородно нагреваемых беспереходных образцах поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ, происходящие в результате совместного проявления процессов эмиссии и захвата носителей заряда на глубоких энергетических состояниях, обусловленных дефектами на межзеренных границах и миграцией в эту область атомов, растворенного в кремнии кислорода. Виявлено ефект змінювання полярності напруги і напрямку струму в однорідно нагрітих бесперехідних зразках полікристалічного кремнію, легованого лужними металами на ділянці міжзеренних границь, що відбуваються в результаті спільного проявлення процесів емісії та захоплення носіїв заряду на глибоких енергетичних станах, обумовлених дефектами на міжзеренних границях і міграцією в цю область атомів, розчиненого в кремнії кисню. The effect of changing the polarity of the voltage and current direction in a uniformly heated besperehodnyh samples of polycrystalline silicon doped with alkali metals in the grain boundaries, occurring as a result of the joint manifestations of the processes of emission and capture of carriers in deep energy states due to defects at the grain boundaries and the migration of atoms in this area dissolved in silicon oxygen.