Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Каримов, А.В., Каримов, А.А., Рахманов, А.З., Дадаматова К.Т.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102616
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизации электрических характеристик и материалов конструкции силовых диодов. Розглянуто теплові процеси у високочастотному діоді, що дозволяють визначити динаміку змінювання температури у кожній частині діода в залежності від тривалості дії імпульсу, а також прогнозувати максимальну робочу температуру. Отримані результати становлять інтерес для оптимізації електричних характеристик і матеріалів конструкції силових діодів. Thermal processes are considered in the high speed diode, allowing to define the dynamics of temperature changes in each part of the diode as a function of acting pulse duration, as well as to predict the maximum operating temperature. The results are of interest to optimize the electrical characteristics and the materials of construction of power diodes.