Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода

Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизаци...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2014
Hauptverfasser: Каримов, А.В., Каримов, А.А., Рахманов, А.З., Дадаматова К.Т.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102616
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-102616
record_format dspace
spelling Каримов, А.В.
Каримов, А.А.
Рахманов, А.З.
Дадаматова К.Т.
2016-06-12T04:41:10Z
2016-06-12T04:41:10Z
2014
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102616
621.383.52
Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизации электрических характеристик и материалов конструкции силовых диодов.
Розглянуто теплові процеси у високочастотному діоді, що дозволяють визначити динаміку змінювання температури у кожній частині діода в залежності від тривалості дії імпульсу, а також прогнозувати максимальну робочу температуру. Отримані результати становлять інтерес для оптимізації електричних характеристик і матеріалів конструкції силових діодів.
Thermal processes are considered in the high speed diode, allowing to define the dynamics of temperature changes in each part of the diode as a function of acting pulse duration, as well as to predict the maximum operating temperature. The results are of interest to optimize the electrical characteristics and the materials of construction of power diodes.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
Моделювання теплових процесів високочастотного кремнієвого p-i-n-діода
Modeling of thermal processes high-frequency silicon p-i-n-diode
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
spellingShingle Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
Каримов, А.В.
Каримов, А.А.
Рахманов, А.З.
Дадаматова К.Т.
title_short Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_full Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_fullStr Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_full_unstemmed Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_sort моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
author Каримов, А.В.
Каримов, А.А.
Рахманов, А.З.
Дадаматова К.Т.
author_facet Каримов, А.В.
Каримов, А.А.
Рахманов, А.З.
Дадаматова К.Т.
publishDate 2014
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Моделювання теплових процесів високочастотного кремнієвого p-i-n-діода
Modeling of thermal processes high-frequency silicon p-i-n-diode
description Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизации электрических характеристик и материалов конструкции силовых диодов. Розглянуто теплові процеси у високочастотному діоді, що дозволяють визначити динаміку змінювання температури у кожній частині діода в залежності від тривалості дії імпульсу, а також прогнозувати максимальну робочу температуру. Отримані результати становлять інтерес для оптимізації електричних характеристик і матеріалів конструкції силових діодів. Thermal processes are considered in the high speed diode, allowing to define the dynamics of temperature changes in each part of the diode as a function of acting pulse duration, as well as to predict the maximum operating temperature. The results are of interest to optimize the electrical characteristics and the materials of construction of power diodes.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102616
citation_txt Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT karimovav modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda
AT karimovaa modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda
AT rahmanovaz modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda
AT dadamatovakt modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda
AT karimovav modelûvannâteplovihprocesívvisokočastotnogokremníêvogopindíoda
AT karimovaa modelûvannâteplovihprocesívvisokočastotnogokremníêvogopindíoda
AT rahmanovaz modelûvannâteplovihprocesívvisokočastotnogokremníêvogopindíoda
AT dadamatovakt modelûvannâteplovihprocesívvisokočastotnogokremníêvogopindíoda
AT karimovav modelingofthermalprocesseshighfrequencysiliconpindiode
AT karimovaa modelingofthermalprocesseshighfrequencysiliconpindiode
AT rahmanovaz modelingofthermalprocesseshighfrequencysiliconpindiode
AT dadamatovakt modelingofthermalprocesseshighfrequencysiliconpindiode
first_indexed 2025-12-07T13:35:39Z
last_indexed 2025-12-07T13:35:39Z
_version_ 1850856743599341568