Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизаци...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102616 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862626014391173120 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Каримов, А.А. Рахманов, А.З. Дадаматова К.Т. |
| author_facet | Каримов, А.В. Каримов, А.А. Рахманов, А.З. Дадаматова К.Т. |
| citation_txt | Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизации электрических характеристик и материалов конструкции силовых диодов.
Розглянуто теплові процеси у високочастотному діоді, що дозволяють визначити динаміку змінювання температури у кожній частині діода в залежності від тривалості дії імпульсу, а також прогнозувати максимальну робочу температуру. Отримані результати становлять інтерес для оптимізації електричних характеристик і матеріалів конструкції силових діодів.
Thermal processes are considered in the high speed diode, allowing to define the dynamics of temperature changes in each part of the diode as a function of acting pulse duration, as well as to predict the maximum operating temperature. The results are of interest to optimize the electrical characteristics and the materials of construction of power diodes.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:35:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-102616 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:35:39Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Каримов, А.А. Рахманов, А.З. Дадаматова К.Т. 2016-06-12T04:41:10Z 2016-06-12T04:41:10Z 2014 Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102616 621.383.52 Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизации электрических характеристик и материалов конструкции силовых диодов. Розглянуто теплові процеси у високочастотному діоді, що дозволяють визначити динаміку змінювання температури у кожній частині діода в залежності від тривалості дії імпульсу, а також прогнозувати максимальну робочу температуру. Отримані результати становлять інтерес для оптимізації електричних характеристик і матеріалів конструкції силових діодів. Thermal processes are considered in the high speed diode, allowing to define the dynamics of temperature changes in each part of the diode as a function of acting pulse duration, as well as to predict the maximum operating temperature. The results are of interest to optimize the electrical characteristics and the materials of construction of power diodes. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода Моделювання теплових процесів високочастотного кремнієвого p-i-n-діода Modeling of thermal processes high-frequency silicon p-i-n-diode Article published earlier |
| spellingShingle | Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода Каримов, А.В. Каримов, А.А. Рахманов, А.З. Дадаматова К.Т. |
| title | Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода |
| title_alt | Моделювання теплових процесів високочастотного кремнієвого p-i-n-діода Modeling of thermal processes high-frequency silicon p-i-n-diode |
| title_full | Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода |
| title_fullStr | Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода |
| title_full_unstemmed | Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода |
| title_short | Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода |
| title_sort | моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102616 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda AT karimovaa modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda AT rahmanovaz modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda AT dadamatovakt modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda AT karimovav modelûvannâteplovihprocesívvisokočastotnogokremníêvogopindíoda AT karimovaa modelûvannâteplovihprocesívvisokočastotnogokremníêvogopindíoda AT rahmanovaz modelûvannâteplovihprocesívvisokočastotnogokremníêvogopindíoda AT dadamatovakt modelûvannâteplovihprocesívvisokočastotnogokremníêvogopindíoda AT karimovav modelingofthermalprocesseshighfrequencysiliconpindiode AT karimovaa modelingofthermalprocesseshighfrequencysiliconpindiode AT rahmanovaz modelingofthermalprocesseshighfrequencysiliconpindiode AT dadamatovakt modelingofthermalprocesseshighfrequencysiliconpindiode |