Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si
Исследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои угле...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102617 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si / И.А. Журавель, Е.А. Бугаев, А.В. Пеньков, Е.Н. Зубарев, В.А. Севрюкова, В.В. Кондратенко // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 20-30. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-102617 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Журавель, И.А. Бугаев, Е.А. Пеньков, А.В Зубарев, Е.Н. Севрюкова, В.А. Кондратенко, В.В. 2016-06-12T04:44:42Z 2016-06-12T04:44:42Z 2014 Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si / И.А. Журавель, Е.А. Бугаев, А.В. Пеньков, Е.Н. Зубарев, В.А. Севрюкова, В.В. Кондратенко // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 20-30. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102617 536.248.1; 539.26; 538.971 Исследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои углерода и кремния, разделенные аморфными перемешанными зонами различной плотности. С ростом температуры происходит изменение периода композиции вследствие роста зон и графитизации углерода. При 700 °C начинается кристаллизация кремния. При 800 °C на основе кристаллического кремния формируется кристаллический SiC кубической модификации. При 900—1000 °C происходит разрушение периодической структуры композиции. Досліджено структуру та фазовий склад багатошарових періодичних композицій C/Si за допомогою малокутової рентгенівської дифракції, просвічувальної електронної мікроскопії та Раманівської спектроскопії при температурах 50—1050 °C. У початковому стані композиція C/Si є аморфними шарами вуглеця та кремнію, розділеними аморфними змішаними зонами різної густини. Зі зростанням температури відбувається змінення періоду композиції внаслідок зростання зон та графітизації вуглецю. При 700 °C починається кристалізація кремнію. При 800 °C на основі кристалічного кремнію формується кристалічний SiC кубічної модифікації. При 900—1000 °C відбувається руйнування періодичної структури композиції. Structure and composition of C/Si periodical multilayers were investigated by means of low-angle X-ray diffraction, transmission electron microscopy and Raman spectroscopy at temperatures within 50—1050 °C range. In as-deposited state C/Si multilayer presents amorphous carbon and silicon layers divided by amorphous intermixing layers of different density. As the temperature increases, multilayer period changes as a result of increase of intermixing layers and carbon graphitization. At 700 °C silicon crystallization begins. At 800 °C crystalline SiC of cubic modification forms on basis of crystalline silicon. At 900—1000 °C destruction of multilayer periodical structure takes place. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si Еволюція структури і механізм термічного руйнування багатошарових композицій С/Si Evolution of structure and mechanism of thermal decomposition of C/Si multilayers Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si |
| spellingShingle |
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si Журавель, И.А. Бугаев, Е.А. Пеньков, А.В Зубарев, Е.Н. Севрюкова, В.А. Кондратенко, В.В. |
| title_short |
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si |
| title_full |
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si |
| title_fullStr |
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si |
| title_full_unstemmed |
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si |
| title_sort |
эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций c/si |
| author |
Журавель, И.А. Бугаев, Е.А. Пеньков, А.В Зубарев, Е.Н. Севрюкова, В.А. Кондратенко, В.В. |
| author_facet |
Журавель, И.А. Бугаев, Е.А. Пеньков, А.В Зубарев, Е.Н. Севрюкова, В.А. Кондратенко, В.В. |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Еволюція структури і механізм термічного руйнування багатошарових композицій С/Si Evolution of structure and mechanism of thermal decomposition of C/Si multilayers |
| description |
Исследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои углерода и кремния, разделенные аморфными перемешанными зонами различной плотности. С ростом температуры происходит изменение периода композиции вследствие роста зон и графитизации углерода. При 700 °C начинается кристаллизация кремния. При 800 °C на основе кристаллического кремния формируется кристаллический SiC кубической модификации. При 900—1000 °C происходит разрушение периодической структуры композиции.
Досліджено структуру та фазовий склад багатошарових періодичних композицій C/Si за допомогою малокутової рентгенівської дифракції, просвічувальної електронної мікроскопії та Раманівської спектроскопії при температурах 50—1050 °C. У початковому стані композиція C/Si є аморфними шарами вуглеця та кремнію, розділеними аморфними змішаними зонами різної густини. Зі зростанням температури відбувається змінення періоду композиції внаслідок зростання зон та графітизації вуглецю. При 700 °C починається кристалізація кремнію. При 800 °C на основі кристалічного кремнію формується кристалічний SiC кубічної модифікації. При 900—1000 °C відбувається руйнування періодичної структури композиції.
Structure and composition of C/Si periodical multilayers were investigated by means of low-angle X-ray diffraction, transmission electron microscopy and Raman spectroscopy at temperatures within 50—1050 °C range. In as-deposited state C/Si multilayer presents amorphous carbon and silicon layers divided by amorphous intermixing layers of different density. As the temperature increases, multilayer period changes as a result of increase of intermixing layers and carbon graphitization. At 700 °C silicon crystallization begins. At 800 °C crystalline SiC of cubic modification forms on basis of crystalline silicon. At 900—1000 °C destruction of multilayer periodical structure takes place.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102617 |
| citation_txt |
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si / И.А. Журавель, Е.А. Бугаев, А.В. Пеньков, Е.Н. Зубарев, В.А. Севрюкова, В.В. Кондратенко // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 20-30. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT žuravelʹia évolûciâstrukturyimehanizmtermičeskogorazrušeniâmnogosloinyhkompoziciicsi AT bugaevea évolûciâstrukturyimehanizmtermičeskogorazrušeniâmnogosloinyhkompoziciicsi AT penʹkovav évolûciâstrukturyimehanizmtermičeskogorazrušeniâmnogosloinyhkompoziciicsi AT zubareven évolûciâstrukturyimehanizmtermičeskogorazrušeniâmnogosloinyhkompoziciicsi AT sevrûkovava évolûciâstrukturyimehanizmtermičeskogorazrušeniâmnogosloinyhkompoziciicsi AT kondratenkovv évolûciâstrukturyimehanizmtermičeskogorazrušeniâmnogosloinyhkompoziciicsi AT žuravelʹia evolûcíâstrukturiímehanízmtermíčnogoruinuvannâbagatošarovihkompozicíissi AT bugaevea evolûcíâstrukturiímehanízmtermíčnogoruinuvannâbagatošarovihkompozicíissi AT penʹkovav evolûcíâstrukturiímehanízmtermíčnogoruinuvannâbagatošarovihkompozicíissi AT zubareven evolûcíâstrukturiímehanízmtermíčnogoruinuvannâbagatošarovihkompozicíissi AT sevrûkovava evolûcíâstrukturiímehanízmtermíčnogoruinuvannâbagatošarovihkompozicíissi AT kondratenkovv evolûcíâstrukturiímehanízmtermíčnogoruinuvannâbagatošarovihkompozicíissi AT žuravelʹia evolutionofstructureandmechanismofthermaldecompositionofcsimultilayers AT bugaevea evolutionofstructureandmechanismofthermaldecompositionofcsimultilayers AT penʹkovav evolutionofstructureandmechanismofthermaldecompositionofcsimultilayers AT zubareven evolutionofstructureandmechanismofthermaldecompositionofcsimultilayers AT sevrûkovava evolutionofstructureandmechanismofthermaldecompositionofcsimultilayers AT kondratenkovv evolutionofstructureandmechanismofthermaldecompositionofcsimultilayers |
| first_indexed |
2025-12-07T17:11:18Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:11:18Z |
| _version_ |
1850870310781321216 |