Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату
Представлены результаты анализа поверхности имплантированных ионами Si⁺ с дозой 5•10¹³ см⁻² и энергиями 100—150 кеВ пленок железно-иттриевого ґраната, полученные с помощью рентґеновской фотоэлектронной спектроскопии, установлено относительное содержание основных химических элементов в поверхностном...
Saved in:
| Date: | 2014 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102619 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату / В.М. Пилипів, В.О. Коцюбинський, О.З. Гарпуль, І.М. Гасюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 39-44. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-102619 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1026192025-02-09T12:58:23Z Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату Распределение химических элементов в поверхностном слое имплантированых ионами Si⁺ пленок железо-иттриевого граната Distribution of chemical elements in the surface layer of the films implanted ions Si⁺ with yttrium iron garnet Пилипів, В.М. Коцюбинський, В.О. Гарпуль, О.З. Гасюк, І.М. Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. Представлены результаты анализа поверхности имплантированных ионами Si⁺ с дозой 5•10¹³ см⁻² и энергиями 100—150 кеВ пленок железно-иттриевого ґраната, полученные с помощью рентґеновской фотоэлектронной спектроскопии, установлено относительное содержание основных химических элементов в поверхностном слое, получена информация об особенностях электронных состояний атомов на поверхности, валентных и структурных преобразований, происходящих в поверхностном слое под действием имплантации ионами кремния с разной энергией. We have presented an analysis surface implanted of ions Si⁺ with dose of 5 • 10¹³ sm⁻² and the energies of 100—150 keV of iron-yttrium garnet films obtained using X-ray Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. Remove selected We have presented an analysis surface implanted of ions Si⁺ with dose of 5 • 10¹³ sm⁻² and the energies of 100—150 keV of iron-yttrium garnet films obtained using X-ray photoelectron spectroscopy, established the relative content of major chemical elements in the surface layer, obtained information about the features of electronic states atoms on the surface, the valence and structural changes occurring in the surface layer under implanted silicon with different energy. 2014 Article Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату / В.М. Пилипів, В.О. Коцюбинський, О.З. Гарпуль, І.М. Гасюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 39-44. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102619 544.546:548.4 uk Физическая инженерия поверхности application/pdf Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. |
| spellingShingle |
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. Пилипів, В.М. Коцюбинський, В.О. Гарпуль, О.З. Гасюк, І.М. Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату Физическая инженерия поверхности |
| description |
Представлены результаты анализа поверхности имплантированных ионами Si⁺ с дозой 5•10¹³ см⁻² и энергиями 100—150 кеВ пленок железно-иттриевого ґраната, полученные с помощью рентґеновской фотоэлектронной спектроскопии, установлено относительное содержание основных химических элементов в поверхностном слое, получена информация об особенностях электронных состояний атомов на поверхности, валентных и структурных преобразований, происходящих в поверхностном слое под действием имплантации ионами кремния с разной энергией. |
| format |
Article |
| author |
Пилипів, В.М. Коцюбинський, В.О. Гарпуль, О.З. Гасюк, І.М. |
| author_facet |
Пилипів, В.М. Коцюбинський, В.О. Гарпуль, О.З. Гасюк, І.М. |
| author_sort |
Пилипів, В.М. |
| title |
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату |
| title_short |
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату |
| title_full |
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату |
| title_fullStr |
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату |
| title_full_unstemmed |
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату |
| title_sort |
розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами si⁺ плівок залізоітрієвого гранату |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102619 |
| citation_txt |
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату / В.М. Пилипів, В.О. Коцюбинський, О.З. Гарпуль, І.М. Гасюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 39-44. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT pilipívvm rozpodílhímíčnihelementívvpoverhnevomušaríímplantovanihíonamisiplívokzalízoítríêvogogranatu AT kocûbinsʹkijvo rozpodílhímíčnihelementívvpoverhnevomušaríímplantovanihíonamisiplívokzalízoítríêvogogranatu AT garpulʹoz rozpodílhímíčnihelementívvpoverhnevomušaríímplantovanihíonamisiplívokzalízoítríêvogogranatu AT gasûkím rozpodílhímíčnihelementívvpoverhnevomušaríímplantovanihíonamisiplívokzalízoítríêvogogranatu AT pilipívvm raspredeleniehimičeskihélementovvpoverhnostnomsloeimplantirovanyhionamisiplenokželezoittrievogogranata AT kocûbinsʹkijvo raspredeleniehimičeskihélementovvpoverhnostnomsloeimplantirovanyhionamisiplenokželezoittrievogogranata AT garpulʹoz raspredeleniehimičeskihélementovvpoverhnostnomsloeimplantirovanyhionamisiplenokželezoittrievogogranata AT gasûkím raspredeleniehimičeskihélementovvpoverhnostnomsloeimplantirovanyhionamisiplenokželezoittrievogogranata AT pilipívvm distributionofchemicalelementsinthesurfacelayerofthefilmsimplantedionssiwithyttriumirongarnet AT kocûbinsʹkijvo distributionofchemicalelementsinthesurfacelayerofthefilmsimplantedionssiwithyttriumirongarnet AT garpulʹoz distributionofchemicalelementsinthesurfacelayerofthefilmsimplantedionssiwithyttriumirongarnet AT gasûkím distributionofchemicalelementsinthesurfacelayerofthefilmsimplantedionssiwithyttriumirongarnet |
| first_indexed |
2025-11-26T00:17:48Z |
| last_indexed |
2025-11-26T00:17:48Z |
| _version_ |
1849809980367044608 |