Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта

Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта

В статье показаны тенденции развития ФЭП, которые основаны на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Для этих целей применяют различные конструкции ФЭП. Существуют ФЭП на основе монокристаллического либо аморфного Si, органические, фотохимические, многослойн...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2014
Hauptverfasser: Чернышов, Н.Н., Слипченко, Н.И., Селевко, С.Н., Умяров, Р.Я., Садым, Д.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102627
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, С.Н. Селевко, Р.Я. Умяров, Д.Н. Садым // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 114-122. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-102627
record_format dspace
spelling Чернышов, Н.Н.
Слипченко, Н.И.
Селевко, С.Н.
Умяров, Р.Я.
Садым, Д.Н.
2016-06-12T05:08:26Z
2016-06-12T05:08:26Z
2014
Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, С.Н. Селевко, Р.Я. Умяров, Д.Н. Садым // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 114-122. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102627
621.039.05
В статье показаны тенденции развития ФЭП, которые основаны на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Для этих целей применяют различные конструкции ФЭП. Существуют ФЭП на основе монокристаллического либо аморфного Si, органические, фотохимические, многослойные и другие. Многослойные ФЭП имеют высокий уровень КПД, но техпроцесс для их производства очень громоздок. В этой статье рассмотрены ФЭП на основе монокристаллического Si, так как они достигли большого распространения, показано их описание структуры и принцип действия. Практическое значение работы заключается в том, что в работе сделано описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, сделано описание компьютерной модели ФЭП и рассмотрены методы повышения КПД.
У статті показані тенденції розвитку ФЕП, які засновані на підвищенні рівня ККД за рахунок оптимізації конструктивних та фізичних параметрів. Для цих цілей застосовують різні конструкції ФЕП. Існують ФЕП на основі монокристалічного або аморфного Si, органічні, фотохімічні, багатошарові та інші. Багатошарові ФЕП мають високий рівень ККД, але технологічний процес для їхнього виробництва дуже громіздкий. У цій статті розглянуті ФЕП на основі монокристалічного Si, тому що вони досягли великого поширення, показано опис їх структури та принцип дії. Практичне значення роботи полягає в тому, що в роботі зроблено опис фотоелектромагнітного та магнітоконцентраційних ефектів, зроблено опис комп’ютерної моделі ФЕП та розглянуто методи підвищення ККД.
The paper shows tendencies of developing photoelectric converters (PEC) which are based on the efficiency increase due to optimization of both design and physical parameters. Different PEC designs are used for these purposes. There are PECs on the base of both monocrystal and amorphous Si, process of their manufacture is very complex. The paper considers PECs on the base of monocrystal Si, as they are widely used, and shows description of the structure and principle of action of a PEC on the base of monocrystal Si. The practical importance of the paper consists in that fact that it describes photoelectric magnetic and magneto-concentration effects and PEC computer model as well as it considers methods of efficiency improvement.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
Дослідження моделі фотоелектричного перетворювача на основі монокристалічного кремнію за допомогою фото-елекромагнітного та магнітоконцентраційного ефекту
Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
spellingShingle Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
Чернышов, Н.Н.
Слипченко, Н.И.
Селевко, С.Н.
Умяров, Р.Я.
Садым, Д.Н.
title_short Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
title_full Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
title_fullStr Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
title_full_unstemmed Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
title_sort исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
author Чернышов, Н.Н.
Слипченко, Н.И.
Селевко, С.Н.
Умяров, Р.Я.
Садым, Д.Н.
author_facet Чернышов, Н.Н.
Слипченко, Н.И.
Селевко, С.Н.
Умяров, Р.Я.
Садым, Д.Н.
publishDate 2014
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Дослідження моделі фотоелектричного перетворювача на основі монокристалічного кремнію за допомогою фото-елекромагнітного та магнітоконцентраційного ефекту
Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect
description В статье показаны тенденции развития ФЭП, которые основаны на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Для этих целей применяют различные конструкции ФЭП. Существуют ФЭП на основе монокристаллического либо аморфного Si, органические, фотохимические, многослойные и другие. Многослойные ФЭП имеют высокий уровень КПД, но техпроцесс для их производства очень громоздок. В этой статье рассмотрены ФЭП на основе монокристаллического Si, так как они достигли большого распространения, показано их описание структуры и принцип действия. Практическое значение работы заключается в том, что в работе сделано описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, сделано описание компьютерной модели ФЭП и рассмотрены методы повышения КПД. У статті показані тенденції розвитку ФЕП, які засновані на підвищенні рівня ККД за рахунок оптимізації конструктивних та фізичних параметрів. Для цих цілей застосовують різні конструкції ФЕП. Існують ФЕП на основі монокристалічного або аморфного Si, органічні, фотохімічні, багатошарові та інші. Багатошарові ФЕП мають високий рівень ККД, але технологічний процес для їхнього виробництва дуже громіздкий. У цій статті розглянуті ФЕП на основі монокристалічного Si, тому що вони досягли великого поширення, показано опис їх структури та принцип дії. Практичне значення роботи полягає в тому, що в роботі зроблено опис фотоелектромагнітного та магнітоконцентраційних ефектів, зроблено опис комп’ютерної моделі ФЕП та розглянуто методи підвищення ККД. The paper shows tendencies of developing photoelectric converters (PEC) which are based on the efficiency increase due to optimization of both design and physical parameters. Different PEC designs are used for these purposes. There are PECs on the base of both monocrystal and amorphous Si, process of their manufacture is very complex. The paper considers PECs on the base of monocrystal Si, as they are widely used, and shows description of the structure and principle of action of a PEC on the base of monocrystal Si. The practical importance of the paper consists in that fact that it describes photoelectric magnetic and magneto-concentration effects and PEC computer model as well as it considers methods of efficiency improvement.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102627
citation_txt Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, С.Н. Селевко, Р.Я. Умяров, Д.Н. Садым // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 114-122. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT černyšovnn issledovaniemodelifotoélektričeskogopreobrazovatelânaosnovemonokristalličeskogokremniâpripomoŝifotoélektromagnitnogoimagnitokoncentracionnogoéffekta
AT slipčenkoni issledovaniemodelifotoélektričeskogopreobrazovatelânaosnovemonokristalličeskogokremniâpripomoŝifotoélektromagnitnogoimagnitokoncentracionnogoéffekta
AT selevkosn issledovaniemodelifotoélektričeskogopreobrazovatelânaosnovemonokristalličeskogokremniâpripomoŝifotoélektromagnitnogoimagnitokoncentracionnogoéffekta
AT umârovrâ issledovaniemodelifotoélektričeskogopreobrazovatelânaosnovemonokristalličeskogokremniâpripomoŝifotoélektromagnitnogoimagnitokoncentracionnogoéffekta
AT sadymdn issledovaniemodelifotoélektričeskogopreobrazovatelânaosnovemonokristalličeskogokremniâpripomoŝifotoélektromagnitnogoimagnitokoncentracionnogoéffekta
AT černyšovnn doslídžennâmodelífotoelektričnogoperetvorûvačanaosnovímonokristalíčnogokremníûzadopomogoûfotoelekromagnítnogotamagnítokoncentracíinogoefektu
AT slipčenkoni doslídžennâmodelífotoelektričnogoperetvorûvačanaosnovímonokristalíčnogokremníûzadopomogoûfotoelekromagnítnogotamagnítokoncentracíinogoefektu
AT selevkosn doslídžennâmodelífotoelektričnogoperetvorûvačanaosnovímonokristalíčnogokremníûzadopomogoûfotoelekromagnítnogotamagnítokoncentracíinogoefektu
AT umârovrâ doslídžennâmodelífotoelektričnogoperetvorûvačanaosnovímonokristalíčnogokremníûzadopomogoûfotoelekromagnítnogotamagnítokoncentracíinogoefektu
AT sadymdn doslídžennâmodelífotoelektričnogoperetvorûvačanaosnovímonokristalíčnogokremníûzadopomogoûfotoelekromagnítnogotamagnítokoncentracíinogoefektu
AT černyšovnn photoelectricconvertermodelstudingbasedonmonocrystalsiusingphotoelectromagneticandmagnetoconcentrationeffect
AT slipčenkoni photoelectricconvertermodelstudingbasedonmonocrystalsiusingphotoelectromagneticandmagnetoconcentrationeffect
AT selevkosn photoelectricconvertermodelstudingbasedonmonocrystalsiusingphotoelectromagneticandmagnetoconcentrationeffect
AT umârovrâ photoelectricconvertermodelstudingbasedonmonocrystalsiusingphotoelectromagneticandmagnetoconcentrationeffect
AT sadymdn photoelectricconvertermodelstudingbasedonmonocrystalsiusingphotoelectromagneticandmagnetoconcentrationeffect
first_indexed 2025-12-07T19:14:16Z
last_indexed 2025-12-07T19:14:16Z
_version_ 1850878047213846528

Ähnliche Einträge