Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
Досліджено вплив впровадження іонів Ni²⁺ на електричні та магнітні властивості кристалів селеніду індію. Показано, що в інтеркалатах Ni₀,₁₅InSe, які отримані впровадженням нікелю при постійному магнітному полі, формуються магнітні кластери домішки з доменною структурою; залежність магнітного моменту...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | Боледзюк, В.Б., Ковалюк, З.Д., Кудринський, З.Р., Кушнір, Б.В., Литвин, О.С., Шевченко, А.Д. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103562 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe / В.Б. Боледзюк, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, Б.В. Кушнір, О.С. Литвин, А.Д. Шевченко // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 184-189. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In₂Se₃, інтеркальованих кобальтом
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)
Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
von: Pashayev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Pashayev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Високоміцний чавун зі зміцненим кремнієм та нікелем α-твердим розчином
von: Бубликов, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Бубликов, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Вплив термічного відпалу на властивості моноселеніду індію та галію, легованого кобальтом і селенідом ванадію
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Отримання та кристалічна структура графіту, інтеркальованого нікелем
von: Наконечна, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Наконечна, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
von: Zaslonkin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Zaslonkin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In₄Se₃, інтеркальованих сріблом
von: Галій, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Галій, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Ähnliche Einträge
-
Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In₂Se₃, інтеркальованих кобальтом
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013) -
Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)