Buchumschlag

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe

Досліджено вплив впровадження іонів Ni²⁺ на електричні та магнітні властивості кристалів селеніду індію. Показано, що в інтеркалатах Ni₀,₁₅InSe, які отримані впровадженням нікелю при постійному магнітному полі, формуються магнітні кластери домішки з доменною структурою; залежність магнітного моменту...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Боледзюк, В.Б., Ковалюк, З.Д., Кудринський, З.Р., Кушнір, Б.В., Литвин, О.С., Шевченко, А.Д.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103562
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe / В.Б. Боледзюк, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринський, Б.В. Кушнір, О.С. Литвин, А.Д. Шевченко // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 184-189. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In₂Se₃, інтеркальованих кобальтом
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)

Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
von: Мінтянський, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Електричні властивості інтеркальованих шаруватих кристалів In2Se3
von: Boledzyuk, V.B., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
von: Pashayev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)

Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Високоміцний чавун зі зміцненим кремнієм та нікелем α-твердим розчином
von: Бубликов, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію
von: Балицький, О.О.
Veröffentlicht: (2010)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Вплив термічного відпалу на властивості моноселеніду індію та галію, легованого кобальтом і селенідом ванадію
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
von: Воробець, М.О.
Veröffentlicht: (2008)

Отримання та кристалічна структура графіту, інтеркальованого нікелем
von: Наконечна, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)