Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фо...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103564 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859730658418491392 |
|---|---|
| author | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. |
| author_facet | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. |
| citation_txt | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фотодиода.
Визначено розподіл щільності поверхневих станів в залежності від величини поверхневого потенціалу на гетерограниці nCdS/Si (p). Встановлено, що ультразвукове опромінення зменшує щільності поверхневих станів і це призводить до підвищення спектральної і інтегральної чутливості фотодіода.
Determined distribution density of surface states depending on the magnitude of the surface potential at the nCdS/Si(p) heterojunction. It is established that ultrasonic processing of such photo diodes leads to reduction of the surface states density on the heterojunction interface and raises the spectral and integral sensitivity of photodiodes.
|
| first_indexed | 2025-12-01T13:12:49Z |
| format | Article |
| fulltext |
Сапаев И. Б., Мирсагатов Ш. А., 2014 © 197
УДК 53.043., 53.023., 539.234
ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ
НА СВОЙСТВА ИНЖЕКЦИОННОГО ФОТОПРИЕМНИКА
НА ОСНОВЕ pSi-nCdS-n+CdS — СТРУКТУРЫ И НА ПЛОТНОСТИ
ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ pSi-nCdS — ГЕТЕРОПЕРЕХОДА
И. Б. Сапаев, Ш. А. Мирсагатов
Физико-технический институт,
Научно-производственное объединение «Физика — Солнце»,
Академия Наук Узбекистана
Поступила в редакцию 13. 05. 2014
Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины
по верхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое
об лучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению
спе ктральной и интегральной чувствительности фотодиода.
Ключевые слова: ультразвук, фотодиод, гетеропереход.
ВПЛИВ УЛЬТРАЗВУКОВОГО ОПРОМІНЕННЯ
НА ВЛАСТИВОСТІ ІНЖЕКЦІЙНОГО ФОТОПРИЙМАЧА
НА ОСНОВІ pSi-nCdS-n +CdS — СТРУКТУРИ І НА ГУСТИНИ
ПОВЕРХНЕВИХ СТАНІВ pSi-nCdS — ГЕТЕРОПЕРЕХОДА
І. Б. Сапаєв, Ш. А. Мірсагатов
Визначено розподіл щільності поверхневих станів в залежності від величини поверхневого
потенціалу на гетерограниці nCdS/Si (p). Встановлено, що ультразвукове опромінення змен
шує щільності поверхневих станів і це призводить до підвищення спектральної і інтегральної
чутливості фотодіода.
Ключові слова: ультразвук, фотодіод, гетероперехід.
INFLUENCE OF THE ULTRASONIC IRRADIATION
ON PROPERTIES OF THE INJECTION SENSOR BASED
ON pSi-nCdS-n+CdS — STRUCTURE AND SURFACE
STATES DENSITY pSi-nCdS — HETEROJUNCTION
I. B. Sapaev, Sh. A. Mirsagatov
Determined distribution density of surface states depending on the magnitude of the surface potential
at the nCdS/Si(p) heterojunction. It is established that ultrasonic processing of such photo diodes le
ads to reduction of the surface states density on the heterojunction interface and raises the spectral
and integral sensitivity of photodiodes.
Keywords: ultrasonic, photodiode, heterojunction.
В последние годы проявляется значите
ль ный интерес к получению и исследо ва
нию гетеропереходов между полупровод
ни ковыми соединениями A2B6 и кремнием,
осо бенно между сульфидом кадмия (CdS) и
кремнием (Si) [1—4].
В этих работах пока зано, что pSinCdS
гетеропереход с низкой плотностью поверх
ностных состояний (Nss) является основным
звеном pSinCdSn+CdSструктуры.
Частотные вольтфарадные характерис ти
ки (ВФХ) позволяют получить информацию
о границе раздела, и они показали наличие
МДПструктуры.
Плотность поверхностных состояний
МДПструктуры была стандарт но опреде
лена по сдвигу экспериментальной C(V)ха
ра ктеристики по отношению к ра с четной
кривой [5].
На рис. 1 приведена экс периментальная
(1) и расчетная (2) вольтфа радная харак
те ри стика типичного инжек ционного фо
топриемника на основе pSinCdSn+CdS
структуры.
ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА ИНЖЕКЦИОННОГО ФОТОПРИЕМНИКА...
ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2198
Экспериментальная вольтфа рад ная хара
к теристика была сня та на частоте тестового
сигнала f = 10 kHz при комнатной темпера
туре.
Величина поверхностного потенциала
(ψS) при заданном напряжении смещения
определялась как и в работе [6].
Зависимость NSS от ψS приведена на рис. 2.
кр. 1. Кривая зависимости NSS(ψS) имеет боль
шую плотность поверхностных состо я ний
при положительном поверхностном потенци
але и она становится равной ~6·1011 cm–2 при
ψs = –0,24 eV, которая соответствует данным
работы [7], где приводится только зна чение
интегральной плотности поверхно с тных со
стояний.
Величина Nss в нижней по ло вине запре
щенной зоны намно го меньше, чем верхней.
Например, Nss ≈ 9,5·109 cm–2 при ψs = 0,08 eV
и Nss ≈ 1,9·1010 cm–2 при ψ
S = 0,48 eV.
Отсюда следует, что эффективная плот
ность поверхностных состояний в нижней
по ловине запрещенной зоны имеет малые
зна чения, и она мало изменяется по величи
не на энергетическом расстоянии ~0,48 eV
от середины запрещенной зоны.
Приведенные экспериментальные резуль
таты подтверждают, что имеется pSinCdS
гетеропереход с низкой плотностью Nss,
не смотря на то, что постоянные кристалли
ческих решеток сульфида кадмия и кремния
отличаются друг от друга более чем на 7 %
[8].
Эти экспериментальные результаты объя
с няются тем, что при получении гетеропе
ре хода образуется про межуточный слой,
ко торый сглаживает раз ницу постоянных
ре шеток сульфида кад мия и кремния.
Такими промежуточны ми сло ями могут
быть: твердый раствор по лупро водников
или окисные слои SiOx, CdOx и SOx, которые
об разуются в процессе получении nCdS
pSi–гетеропары [4].
Далее, представляет интерес выявление
взаимосвязи между плотностью поверхност
ных состояний nCdSpSiгетероперехода и с
вы ходными параметрами pSinCdSn+CdS
структуры, такими как интегральная и спек
тральная чувствительности. Такая взаимос
вязь должна проявляться при изменении Nss.
Плотности поверхностных состояний мож но
изменять технологическим путем или внеш
ним воздействием.
В настоящее время считается установлен
ным фактом, что уль тразвуковое облучение
(УЗО) оказывает вли яние на дефектную
стру ктуру и электрофи зи ческие характерис
ти ки полупроводников и структур на их ос
но ве [9].
На рис. 3 приведена ВАХ характеристика
pSinCdSn+CdS структуры в темноте и при
освещении, до и после УЗО с мощностью 1
W/cm2 и частотой f = 2,5 МHz в течение 15
минут.
Исследование показывает, что УЗО не
влияет на закономерность протекания тока в
C, nF
U, V
2
1
1
3
2
–30 –20 –10 0 10 20 30
Рис. 1. Вольтфарадная характеристика pSinCdS
n+CdS структуры при частоте f = 10 kHz, T = 300 K.
1 — экспериментальная, 2 — расчетная кривые
Рис. 2. Зависимость эффективной плотности поверх
ностных состояний от поверхностного потенциала
до (кр. 1) и после (кр. 2) ультразвукового облучения
Nss, cm–2
Ψss, eV
1×1011
2
1
–0,3
6×1011
5×1011
4×1011
3×1011
2×1011
1×1011
–0,2 –0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0
И. Б. САПАЕВ, Ш. А. МИРСАГАТОВ
ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2 199
структуре в прямой и обратной ветвях ВАХ
в темноте и при освещении, а лишь увели
чивает величины токов при одном и том же
значении напряжения смещения (см. рис. 3а
и 3б кр. 1, 2, 3, 4 и 5, 6, 7, 8).
В прямой ветви ВАХ ток в темноте и при
освещении увеличивается на ~20 %, (см. рис.
3б кр. 5, 7), а в обратной ветви он возрастает
при мерно в два раза (см. рис. 3б кр. 6, 8).
Эти результаты объясняются тем, что
при вклю чении pSinCdSn+CdSструктуры
в пря мом направлении тока, («+»потен
циал на pSi) инжекция электронов идет из
слоя nCdS в pSiслой, и рекомбинацион
ные процес сы лимитируются плотностью
поверхно с т ных состояний, находящихся в
нижней по ловине запрещенной зоны крем
ния.
Так как плотность поверхностных состо
яний в ни жней половине запрещенной зоны
после уль тразвукового облучения (см. рис. 2,
кр. 2) умень шается, в пределах 18—20 %,
поэтому токи в темноте и на свете также на
столько и увеличиваются. Вид зависимости
Nss(ψss) в верхней половине запрещенной
зоны в ре зу ль тате после УЗО изменяется по
сложной закономерности.
Динамика изменения Nss от величины ψss
показывает (рис. 2, кр. 2), что для поверх
ностных состояний, на хо дя щих ся вблизи
средины запрещенной зоны, их плотность
уменьшается примерно в 2 ра за, а, для
а б
Рис. 3. Вольтамперная характеристика pSinCdSn+CdS структуры в полулогарифмическом масштабе: прямая
ветвь в темноте (1) и при освещении E = 10 lux (3) до ультразвукового облучения; обратная ветвь в темноте (2)
и при освещении E = 10 lux (4) до ультразвукового облучения; прямая ветвь в темноте (5) и при освещении E =
10 lux (7) после ультразвукового облучения; обратная ветвь в темноте (6) и при освещении E=10 lux (8), после
ультразвукового облучения
106 3
1
4
2
104
102
100
10–2
10–4
0 10 20 30 40 50 60
J, μA/cm2
U, V
107
7
5
8
6
105
103
101
10–1
10–3
0 10 20 30 40 50 60 U, V
J, µA/cm2
поверхностных состояний, распо ло женных
вдали от нее, (точнее при ψss = —0,24 eV),
их плотность уменьшается всего на 17 % по
сле ультразвукового облучения.
От сюда сле дует, что дефекты, играющие
роль ре ком бинационных центров отжигают
ся сильнее.
В обратном направлении тока в стру к ту
ре происходит инжекция электронов из pSi в
nCdS слой и тогда рекомбинационные про
цессы, и время жизни электронов определя
ются поверхностными состояниями в вер
хней половине запрещенной зоны.
Так как Nss, находящиеся вблизи середины
за пре щенной зоны уменьшаются примерно
в два раза после УЗО, то поэтому токи в об
ра т ном направлении увеличиваются также
при мерно в два раза.
Таким образом, значе ния Sint и Sλ в пря
мом направлении тока возрастают пример
но на 20 % после УЗО при всех величинах
интенсивностей белого света и мощностей
ла зерного облучения, а также напряжений
смещения (табл. 1).
При обратном же направлении тока спек
тральная и интегральная чувствительности
фотоприемника увеличиваются примерно в
2 раза после воздействия ультразвукового
облучения (табл. 2).
ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА ИНЖЕКЦИОННОГО ФОТОПРИЕМНИКА...
ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2200
В резюме можно отметить, что плотно
сти поверхностных состояний в pSi nCdS
Таблица 1
Зависимости интегральной чувствительности (Sint), спектральной чувствительности (Sλ)
от освещенности (Elux), мощности лазерного облучения (Р) и напряжения смещения (U),
до и после ультразвукового облучения при прямом напряжении смещения
Таблица 2
Зависимости интегральной чувствительности (Sint), спектральной чувствительности (Sλ)
от освещенности (Elux), мощности лазерного облучения (Р) и напряжения смещения (U),
до и после ультразвукового облучения при обратном напряжении смещения
Белый свет При лазерном облучении
До
облучения
После
облучения
До
облучения
После
облучения
Е (lux) U, V
0,05
5
10
20
0,26·104
4,2·104
4,47·106
0,316·104
5·104
5,4·106
0,7
36
550
50358
42,85
660
60428
1
5
10
20
0,2·103
3,32·103
3,4·105
0,23·103
3,98·103
4,1·105
50
7,4
121,5
8326
8,86
145,8
9992
,int
A
W
S ,int
A
W
S
2, W
cm
P µ , A
W
Sλ
, A
W
Sλ
Белый свет При лазерном облучении
До
облучения
После
облучения
До
облучения
После
облуче-
ния
Е (lux) U, V
0,1
5
10
60
40,1
47,36
76
80,2
94,72
152
10 1,31
1,883
3,28
2,62
3,766
6,56
,int
A
W
S ,int
A
W
S
2, W
cm
P µ , A
W
Sλ
, A
W
Sλ
гетеропереходе являются основным фа
кто ром, влияющим на спектральную и
И. Б. САПАЕВ, Ш. А. МИРСАГАТОВ
ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2 201
ин тегральную чувствительности ин же к ци
он ного фотоприемника на основе pSinCdS
n+CdSструктуры.
ЛИТЕРАТУРА
1. Беляев А. П., Рубец В. П. Эффект переключе
ния в гетеропереходах SiCdS, син те
зи ро ван ных в резко неравновесных
ус ловиях // ФТП. — 2002. — Т. 36, вып. 7. —
С. 843—846.
2. Трегулов В. В. Исследование фотоэлектри
ческого преобразователя солнечной энер
гии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) //
Вестник ТГТУ. — 2010. — Т. 16, вып. 4. —
Transactions TSTU. — С. 892—896.
3. Саидов А. С., Лейдерман А. Ю., Усмо
нов Ш. Н., Холиков К. Т. Вольтамперная
ха ракте ри стика pn структур на основе
не пре рывно го твер дого раствора (Si2)1–
x(CdS)x// ФТП. — 2009. — Т. 43, вып. 4. —
С. 436—438.
4. Сапаев И. Б. Особенности электрических и
фотоэлектрических свойств AupSinCdS
n+CdS гетероструктур // ДАН. — Узбекис
тан. — 2013, вып. 2. — С. 27—29.
5. Зи С. Физика полупроводниковых прибо
ров., том 1 под редакцией д. ф. — м. н. Р. А.
Суриса. —М.: «Мир», 1984.
6. Мирсагатов Ш. А., Утениязов А. К. Инже
к ционный фотодиод на основе pCdTe
// Письма в ЖТФ. — 2012. — Т. 38,
вып. 1. — С. 70—76.
7. Трегулов В. В. Способ определения плотно
сти поверхностных состояний CdS/Si(p) на
основе анализа вольтфарадных характери
стик // Известия высших учебных заведе
ний. Поволжский регион. — 2012. — № 3
(23). — С. 124—132.
8. Милнс А., Фойхт Д. // Гетеропереходы и
пе реходы металлполупроводник. Под ред.
проф. В. С. Вавилова. — М.: «Мир», 1975.
9. Островский И. В., Стобленко Л. П., Над
то чий А. Б. Образование поверхностно го
уп рочненного слоя в бездислокационном
кре м нии при ультразвуковой обработки //
ФТП. — 2000. — Т. 34, вып. 3. — С. 257—
260.
LITERATURA
1. Belyaev A. P., Rubec V. P. Effekt pereklyuche
niya v geteroperehodah SiCdS, sin te zi ro van
nyh v rezko neravnovesnyh us loviyah // FTP.
— 2002. — Vol. 36, vyp. 7. — P. 843—846.
2. Tregulov V. V. Issledovanie fotoelektricheskogo
preobrazovatelya solnechnoj energii na osnove
geterostruktury CdS/Si(p) // Vestnik TGTU.
— 2010. — Vol. 16, vyp. 4. — Transactions
TSTU. — P. 892—896.
3. Saidov A. S., Lejderman A. Yu., Us mo
nov Sh. N., Holikov K. T. Vol’tampernaya
ha rakte ri stika pn struktur na osnove nepre
ry v no go tver dogo rastvora (Si2)1–x(CdS)x //
FTP. — 2009. — Vol. 43, vyp. 4. — P. 436—
438.
4. Sapaev I. B. Osobennosti elektricheskih i fo
to elektricheskih svojstv AupSinCdSn+CdS
geterostruktur // DAN. — Uzbekis tan. —
2013, vyp. 2. — P. 27—29.
5. Zi S. Fizika poluprovodnikovyh priborov,
vol 1. pod redakciej d. f. — m. n. R. A. Surisa.
M.: «Mir», 1984.
6. Mirsagatov Sh. A., Uteniyazov A. K. Inzhe k
ci onnyj fotodiod na osnove pCdTe // Pis’ma
v ZhTF. — 2012. — Vol. 38, vyp. 1. —
P. 70—76.
7. Tregulov V. V. Sposob opredeleniya plotno sti
poverhnostnyh sostoyanij CdS/Si(p) na osnove
analiza vol’tfaradnyh harakteristik // Izvestiya
vysshih uchebnyh zavedenij. Povolzhskij re gi
on. — 2012. — No. 3 (23). — P. 124—132.
8. Milns A., Fojht D. // Geteroperehody i pe re ho
dy metallpoluprovodnik. Pod red. prof. V. S.
Va vilova. — M.: «Mir», 1975.
9. Ostrovskij I. V., Stoblenko L. P., Nadto
chij A. B. Obrazovanie poverhnostnogo up
ro ch nen nogo sloya v bezdislokacionnom
kre m nii pri ul’trazvukovoj obrabotki // FTP. —
2000. — Vol. 34, vyp. 3. — P. 257—260.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-103564 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T13:12:49Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. 2016-06-20T13:49:06Z 2016-06-20T13:49:06Z 2014 Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103564 53.043., 53.023., 539.234 Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фотодиода. Визначено розподіл щільності поверхневих станів в залежності від величини поверхневого потенціалу на гетерограниці nCdS/Si (p). Встановлено, що ультразвукове опромінення зменшує щільності поверхневих станів і це призводить до підвищення спектральної і інтегральної чутливості фотодіода. Determined distribution density of surface states depending on the magnitude of the surface potential at the nCdS/Si(p) heterojunction. It is established that ultrasonic processing of such photo diodes leads to reduction of the surface states density on the heterojunction interface and raises the spectral and integral sensitivity of photodiodes. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n⁺CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n⁺CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. |
| title | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_alt | Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n⁺CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n⁺CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction |
| title_full | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_fullStr | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_full_unstemmed | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_short | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_sort | влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе psi-ncds-n⁺cds - структуры на плотности поверхностных состояний psi-ncds – гетероперехода |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103564 |
| work_keys_str_mv | AT sapaevib vliânieulʹtrazvukovogooblučeniânasvoistvainžekcionnogofotopriemnikanaosnovepsincdsncdsstrukturynaplotnostipoverhnostnyhsostoâniipsincdsgeteroperehoda AT mirsagatovša vliânieulʹtrazvukovogooblučeniânasvoistvainžekcionnogofotopriemnikanaosnovepsincdsncdsstrukturynaplotnostipoverhnostnyhsostoâniipsincdsgeteroperehoda AT sapaevib vplivulʹtrazvukovogoopromínennânavlastivostíínžekcíinogofotopriimačanaosnovípsincdsncdsstrukturiínagustinipoverhnevihstanívpsincdsgeteroperehoda AT mirsagatovša vplivulʹtrazvukovogoopromínennânavlastivostíínžekcíinogofotopriimačanaosnovípsincdsncdsstrukturiínagustinipoverhnevihstanívpsincdsgeteroperehoda AT sapaevib influenceoftheultrasonicirradiationonpropertiesoftheinjectionsensorbasedonpsincdsncdsstructureandsurfacestatesdensitypsincdsheterojunction AT mirsagatovša influenceoftheultrasonicirradiationonpropertiesoftheinjectionsensorbasedonpsincdsncdsstructureandsurfacestatesdensitypsincdsheterojunction |