Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фо...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103564 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862647360377585664 |
|---|---|
| author | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. |
| author_facet | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. |
| citation_txt | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фотодиода.
Визначено розподіл щільності поверхневих станів в залежності від величини поверхневого потенціалу на гетерограниці nCdS/Si (p). Встановлено, що ультразвукове опромінення зменшує щільності поверхневих станів і це призводить до підвищення спектральної і інтегральної чутливості фотодіода.
Determined distribution density of surface states depending on the magnitude of the surface potential at the nCdS/Si(p) heterojunction. It is established that ultrasonic processing of such photo diodes leads to reduction of the surface states density on the heterojunction interface and raises the spectral and integral sensitivity of photodiodes.
|
| first_indexed | 2025-12-01T13:12:49Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-103564 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T13:12:49Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. 2016-06-20T13:49:06Z 2016-06-20T13:49:06Z 2014 Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103564 53.043., 53.023., 539.234 Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фотодиода. Визначено розподіл щільності поверхневих станів в залежності від величини поверхневого потенціалу на гетерограниці nCdS/Si (p). Встановлено, що ультразвукове опромінення зменшує щільності поверхневих станів і це призводить до підвищення спектральної і інтегральної чутливості фотодіода. Determined distribution density of surface states depending on the magnitude of the surface potential at the nCdS/Si(p) heterojunction. It is established that ultrasonic processing of such photo diodes leads to reduction of the surface states density on the heterojunction interface and raises the spectral and integral sensitivity of photodiodes. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n⁺CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n⁺CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. |
| title | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_alt | Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n⁺CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n⁺CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction |
| title_full | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_fullStr | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_full_unstemmed | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_short | Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_sort | влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе psi-ncds-n⁺cds - структуры на плотности поверхностных состояний psi-ncds – гетероперехода |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103564 |
| work_keys_str_mv | AT sapaevib vliânieulʹtrazvukovogooblučeniânasvoistvainžekcionnogofotopriemnikanaosnovepsincdsncdsstrukturynaplotnostipoverhnostnyhsostoâniipsincdsgeteroperehoda AT mirsagatovša vliânieulʹtrazvukovogooblučeniânasvoistvainžekcionnogofotopriemnikanaosnovepsincdsncdsstrukturynaplotnostipoverhnostnyhsostoâniipsincdsgeteroperehoda AT sapaevib vplivulʹtrazvukovogoopromínennânavlastivostíínžekcíinogofotopriimačanaosnovípsincdsncdsstrukturiínagustinipoverhnevihstanívpsincdsgeteroperehoda AT mirsagatovša vplivulʹtrazvukovogoopromínennânavlastivostíínžekcíinogofotopriimačanaosnovípsincdsncdsstrukturiínagustinipoverhnevihstanívpsincdsgeteroperehoda AT sapaevib influenceoftheultrasonicirradiationonpropertiesoftheinjectionsensorbasedonpsincdsncdsstructureandsurfacestatesdensitypsincdsheterojunction AT mirsagatovša influenceoftheultrasonicirradiationonpropertiesoftheinjectionsensorbasedonpsincdsncdsstructureandsurfacestatesdensitypsincdsheterojunction |