Buchumschlag

Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода

Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Сапаев, И.Б., Мирсагатов, Ш.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103564
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
von: I. B. Sapaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
von: I. B. Sapaev, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
von: I. B. Sapaev
Veröffentlicht: (2013)

Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
von: T. T. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
von: Сапаев, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
von: Sh. B. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
von: Ачилов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
von: G. P. Parkhomenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure
von: Semikina, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
von: I. H. Orletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
von: I. G. Orletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
von: Сапаев, И.Б.
Veröffentlicht: (2013)

Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
von: A. T. Voroshchenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
von: N. Alimov, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si
von: Алимов, Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1. 8S heterostructure
von: T. V. Semikina, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoelectrical analysis of n-TiO₂/p-CdTe heterojunction solar cells
von: Brus, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
von: Gorley, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
von: V. V. Brus, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe
von: A. I. Mostovoj, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование влияния параметров инжекционного литья термопластичных масс на основе порошков AIN, Si₃N₄, SiC, WC на процесс формования заготовок
von: Ивженко, В.В.
Veröffentlicht: (2008)

The Best $m$-Term Trigonometric Approximations of the Classes $L_{\beta ,p}^\Psi$ in Uniform Metric
von: Fedorenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Thin-film solar converters based on the p-Cu₁.₈S/n-CdTe surface-barrier structure
von: Bobrenko, Yu.N., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
von: Жураев, Н., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Исследование влияния параметров инжекционного литья термопластичных масс на основе порошков AlN, Si₃N₄ и парафина на выход изделий при удалении связующего
von: Ивженко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Квантование магнитного момента в наносандвичах CdBxF₂₋x/p-CdF₂₋QW/CdBxF₂₋x
von: Баграев, Н.Т., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Electrical properties of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterostructure
von: P. M. Gorley, et al.
Veröffentlicht: (2010)