Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОП-элементы: фронтальный Al-n-Al₂O₃-p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). М...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103565 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 201-211. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862564386011348992 |
|---|---|
| author | Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
| author_facet | Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
| citation_txt | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 201-211. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОП-элементы: фронтальный Al-n-Al₂O₃-p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). Механизм возникновения СУ связан с инжекцией электронов из тыловой области структуры и возникновением в базе (p-CdTe) встречных диффузионных и дрейфовых токов, компенсирующих друг друга. Эти физические процессы приводят к возрастанию сопротивления базы в широком диапазоне напряжения смещения Vb ~ 0,3—70 V, где ток I остается почти постоянным (~6,7•10⁻⁷ A/cm² в начале и ~6,9•10⁻⁷ A/cm² в конце диапазона). Установлено, что в начале СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксационные процессы переноса обуславливаются рекомбинацией неравновесных носителей, инжектированных в базу, а в конце СУ (Vb ~ 70 V) такие процессы целиком определяются временем пролета неравновесных носителей через базу.
Створена плівкова структура з базою p-CdTe (w = 120 μm), що має з двох сторін МОП-елементи: фронтальний Al-n-Al₂O₃-p-CdTe і тиловий Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включенні такої структури в зворотному напрямку струму з’являється протяжна сублінейна ділянка (СУ) на вольтамперної характеристиці (ВАХ). Механізм виникнення СУ пов’язаний з інжекцією електронів з тилової області структури і виникненням в базі (p-CdTe) зустрічних дифузійних і дрейфових струмів, компенсують один одного. Ці фізичні процеси призводять до зростання опору бази в широкому діапазоні напруги зсуву Vb ~ 0,3—70 V, де струм I залишається майже постійним (~6,7•10⁻⁷ A/cm² на початку і ~6,9 10⁻⁷ A/cm² в кінці діапазону). Встановлено, що на початку СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксаційні процеси перенесення обумовлюються рекомбинацией нерівноважних носіїв, інжектованих в базу, а наприкінці СУ (Vb ~ 70 V) такі процеси цілком визначаються часом прольоту нерівноважних носіїв через базу.
The film structure with p-CdTe base (w = 120 μm) having from two sides MOS-elements (the frontal Al-n-Al₂O₃-p-CdTe and the rear Mo-MoO3-p-CdTe) is created. The extended sub linear section (SS) on the current-voltage characteristic is appeared if to turn on such structure in the opposite direction of the of the current. Mechanism of an appearance of SS is associated with the injection of electrons from the rear MOS-element and appearance in the base the diffusion and drift currents what compensate each other. These physical processes lead to an increasing of the base resistance in the wide range of the biased voltage (Vb ≈ 0.3—70 V) where current (I) remains almost constant (≈6.7•10⁻⁷ A/cm² in the beginning and (≈6.9•10⁻⁷ A/cm² in the end of the range). It is established that in the beginning of SS (Vb ≈ 0.3 V) relaxation processes of transfer are determined by recombination of no equilibrium carriers what were injected into the base and such processes entirely are defined by time of the transit of these carriers through the base.
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:40:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-103565 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T23:40:45Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. 2016-06-20T13:51:08Z 2016-06-20T13:51:08Z 2014 Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 201-211. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103565 53.043., 53.023.539.234 Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОП-элементы: фронтальный Al-n-Al₂O₃-p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). Механизм возникновения СУ связан с инжекцией электронов из тыловой области структуры и возникновением в базе (p-CdTe) встречных диффузионных и дрейфовых токов, компенсирующих друг друга. Эти физические процессы приводят к возрастанию сопротивления базы в широком диапазоне напряжения смещения Vb ~ 0,3—70 V, где ток I остается почти постоянным (~6,7•10⁻⁷ A/cm² в начале и ~6,9•10⁻⁷ A/cm² в конце диапазона). Установлено, что в начале СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксационные процессы переноса обуславливаются рекомбинацией неравновесных носителей, инжектированных в базу, а в конце СУ (Vb ~ 70 V) такие процессы целиком определяются временем пролета неравновесных носителей через базу. Створена плівкова структура з базою p-CdTe (w = 120 μm), що має з двох сторін МОП-елементи: фронтальний Al-n-Al₂O₃-p-CdTe і тиловий Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включенні такої структури в зворотному напрямку струму з’являється протяжна сублінейна ділянка (СУ) на вольтамперної характеристиці (ВАХ). Механізм виникнення СУ пов’язаний з інжекцією електронів з тилової області структури і виникненням в базі (p-CdTe) зустрічних дифузійних і дрейфових струмів, компенсують один одного. Ці фізичні процеси призводять до зростання опору бази в широкому діапазоні напруги зсуву Vb ~ 0,3—70 V, де струм I залишається майже постійним (~6,7•10⁻⁷ A/cm² на початку і ~6,9 10⁻⁷ A/cm² в кінці діапазону). Встановлено, що на початку СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксаційні процеси перенесення обумовлюються рекомбинацией нерівноважних носіїв, інжектованих в базу, а наприкінці СУ (Vb ~ 70 V) такі процеси цілком визначаються часом прольоту нерівноважних носіїв через базу. The film structure with p-CdTe base (w = 120 μm) having from two sides MOS-elements (the frontal Al-n-Al₂O₃-p-CdTe and the rear Mo-MoO3-p-CdTe) is created. The extended sub linear section (SS) on the current-voltage characteristic is appeared if to turn on such structure in the opposite direction of the of the current. Mechanism of an appearance of SS is associated with the injection of electrons from the rear MOS-element and appearance in the base the diffusion and drift currents what compensate each other. These physical processes lead to an increasing of the base resistance in the wide range of the biased voltage (Vb ≈ 0.3—70 V) where current (I) remains almost constant (≈6.7•10⁻⁷ A/cm² in the beginning and (≈6.9•10⁻⁷ A/cm² in the end of the range). It is established that in the beginning of SS (Vb ≈ 0.3 V) relaxation processes of transfer are determined by recombination of no equilibrium carriers what were injected into the base and such processes entirely are defined by time of the transit of these carriers through the base. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe Сублінійні зворотні ВАХ товстих плівкових структур на основі CdTe Sublinear reverse current-voltage characteristics of thick film structures based on CdTe Article published earlier |
| spellingShingle | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
| title | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_alt | Сублінійні зворотні ВАХ товстих плівкових структур на основі CdTe Sublinear reverse current-voltage characteristics of thick film structures based on CdTe |
| title_full | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_fullStr | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_full_unstemmed | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_short | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_sort | сублинейные обратные вах толстых пленочных структур на основе cdte |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103565 |
| work_keys_str_mv | AT mirsagatovša sublineinyeobratnyevahtolstyhplenočnyhstrukturnaosnovecdte AT ačilovas sublineinyeobratnyevahtolstyhplenočnyhstrukturnaosnovecdte AT zaverûhinbn sublineinyeobratnyevahtolstyhplenočnyhstrukturnaosnovecdte AT mirsagatovša sublíníinízvorotnívahtovstihplívkovihstrukturnaosnovícdte AT ačilovas sublíníinízvorotnívahtovstihplívkovihstrukturnaosnovícdte AT zaverûhinbn sublíníinízvorotnívahtovstihplívkovihstrukturnaosnovícdte AT mirsagatovša sublinearreversecurrentvoltagecharacteristicsofthickfilmstructuresbasedoncdte AT ačilovas sublinearreversecurrentvoltagecharacteristicsofthickfilmstructuresbasedoncdte AT zaverûhinbn sublinearreversecurrentvoltagecharacteristicsofthickfilmstructuresbasedoncdte |