Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2014
• Main Authors: Глушко, П.И., Журавлёв, А.Ю., Семёнов, Н.А., Хованский, Н.А., Широков, Б.М., Шиян, А.В., Щербакова, В.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103567
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, Н.А. Семёнов, Н.А. Хованский, Б.М. Широков, А.В. Шиян, В.В. Щербакова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 219-222. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Исследована кинетика перераспределения фаз в системе MoSi₂-W при 1500—1800 °С. Определены кинетические параметры роста низших силицидов (Mo, W)5Si₃ и уменьшение слоя высшего силицида MoSi₂ в зависимости от температуры окисления. Установлено, что стабильность системы MoSi₂-W превышает стабильность систем MoSi₂-Mo и WSi₂-W. Досліджено кінетику перерозподілу фаз у системі MoSi₂-W при 1500—1800 °С. Визначено кінетичні параметри росту нижчих силіцидів (Mo, W)5Si₃ і зменшення шару вищого силіциду MoSi₂ залежно від температури окислення. Встановлено, що стабільність системи MoSi₂-W перевищує стабільність систем MoSi₂-Mo і WSi₂-W. The kinetics of phase redistribution in the MoSi₂-W system has been investigated in the temperature range 1500—1800 °С. Kinetic parameters for growth of low silicides (Mo, W)5Si₃ and loss of the highest silicide MoSi₂ were determined depending on the temperature of oxidation. It is that stability of multicomponent and multiphase systems MoSі₂-W exceeds stability system MoSі₂-Mo and WSі₂-W.