Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С - Глушко, П.И.; Журавлёв, А.Ю.; Семёнов, Н.А.; Хованский, Н.А.; Широков, Б.М.; Шиян, А.В.; Щербакова, В.В. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
Исследована кинетика перераспределения фаз в системе MoSi₂-W при 1500—1800 °С. Определены кинетические параметры роста низших силицидов (Mo, W)5Si₃ и уменьшение слоя высшего силицида MoSi₂ в зависимости от температуры окисления. Установлено, что стабильность системы MoSi₂-W превышает стабильность систем MoSi₂-Mo и WSi₂-W. Досліджено кінетику перерозподілу фаз у системі MoSi₂-W при 1500—1800 °С. Визначено кінетичні параметри росту нижчих силіцидів (Mo, W)5Si₃ і зменшення шару вищого силіциду MoSi₂ залежно від температури окислення. Встановлено, що стабільність системи MoSi₂-W перевищує стабільність систем MoSi₂-Mo і WSi₂-W. The kinetics of phase redistribution in the MoSi₂-W system has been investigated in the temperature range 1500—1800 °С. Kinetic parameters for growth of low silicides (Mo, W)5Si₃ and loss of the highest silicide MoSi₂ were determined depending on the temperature of oxidation. It is that stability of multicomponent and multiphase systems MoSі₂-W exceeds stability system MoSі₂-Mo and WSі₂-W.