Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано пр...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103569 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862735378740412416 |
|---|---|
| author | Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. |
| author_facet | Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. |
| citation_txt | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния.
Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. Досліджено спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію
The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90—500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are measured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an essential role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:48:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-103569 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:48:31Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. 2016-06-20T14:02:08Z 2016-06-20T14:02:08Z 2014 Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 PACS:7350 Pz.7361 Le.7840 Fy https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103569 Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния. Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. Досліджено спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90—500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are measured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an essential role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия Легування кремнієм і фотоелектричні властивості тонких плівок полуторного сульфіду тулія Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films Article published earlier |
| spellingShingle | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. |
| title | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_alt | Легування кремнієм і фотоелектричні властивості тонких плівок полуторного сульфіду тулія Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films |
| title_full | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_fullStr | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_full_unstemmed | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_short | Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| title_sort | легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103569 |
| work_keys_str_mv | AT džabuazu legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvoistvatonkihplenokpolutornogosulʹfidatuliâ AT tetelošvilimg legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvoistvatonkihplenokpolutornogosulʹfidatuliâ AT gigineišviliav legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvoistvatonkihplenokpolutornogosulʹfidatuliâ AT džabuazu leguvannâkremníêmífotoelektričnívlastivostítonkihplívokpolutornogosulʹfídutulíâ AT tetelošvilimg leguvannâkremníêmífotoelektričnívlastivostítonkihplívokpolutornogosulʹfídutulíâ AT gigineišviliav leguvannâkremníêmífotoelektričnívlastivostítonkihplívokpolutornogosulʹfídutulíâ AT džabuazu dopingbysiliconandphotovoltaicpropertiesofthinthuliumsesquisulfidefilms AT tetelošvilimg dopingbysiliconandphotovoltaicpropertiesofthinthuliumsesquisulfidefilms AT gigineišviliav dopingbysiliconandphotovoltaicpropertiesofthinthuliumsesquisulfidefilms |