Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия

Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия

Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано пр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2014
Hauptverfasser: Джабуа, З.У., Тетелошвили, М.Г., Гигинеишвили, А.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103569
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-103569
record_format dspace
spelling Джабуа, З.У.
Тетелошвили, М.Г.
Гигинеишвили, А.В.
2016-06-20T14:02:08Z
2016-06-20T14:02:08Z
2014
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
1999-8074
PACS:7350 Pz.7361 Le.7840 Fy
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103569
Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния.
Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. Досліджено спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію
The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90—500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are measured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an essential role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
Легування кремнієм і фотоелектричні властивості тонких плівок полуторного сульфіду тулія
Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
spellingShingle Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
Джабуа, З.У.
Тетелошвили, М.Г.
Гигинеишвили, А.В.
title_short Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_full Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_fullStr Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_full_unstemmed Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_sort легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
author Джабуа, З.У.
Тетелошвили, М.Г.
Гигинеишвили, А.В.
author_facet Джабуа, З.У.
Тетелошвили, М.Г.
Гигинеишвили, А.В.
publishDate 2014
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Легування кремнієм і фотоелектричні властивості тонких плівок полуторного сульфіду тулія
Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
description Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния. Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. Досліджено спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90—500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are measured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an essential role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103569
citation_txt Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT džabuazu legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvoistvatonkihplenokpolutornogosulʹfidatuliâ
AT tetelošvilimg legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvoistvatonkihplenokpolutornogosulʹfidatuliâ
AT gigineišviliav legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvoistvatonkihplenokpolutornogosulʹfidatuliâ
AT džabuazu leguvannâkremníêmífotoelektričnívlastivostítonkihplívokpolutornogosulʹfídutulíâ
AT tetelošvilimg leguvannâkremníêmífotoelektričnívlastivostítonkihplívokpolutornogosulʹfídutulíâ
AT gigineišviliav leguvannâkremníêmífotoelektričnívlastivostítonkihplívokpolutornogosulʹfídutulíâ
AT džabuazu dopingbysiliconandphotovoltaicpropertiesofthinthuliumsesquisulfidefilms
AT tetelošvilimg dopingbysiliconandphotovoltaicpropertiesofthinthuliumsesquisulfidefilms
AT gigineišviliav dopingbysiliconandphotovoltaicpropertiesofthinthuliumsesquisulfidefilms
first_indexed 2025-12-07T19:48:31Z
last_indexed 2025-12-07T19:48:31Z
_version_ 1850880201774333952

Ähnliche Einträge