Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия - Джабуа, З.У.; Тетелошвили, М.Г.; Гигинеишвили, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния. Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. Досліджено спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90—500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are measured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an essential role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon.