Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Джабуа, З.У., Тетелошвили, М.Г., Гигинеишвили, А.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103569
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано пр...