Cover Image

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы

Проведен анализ и указаны возможные причины изменений характеристик глубоких уровней в высокоомном Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al после γ-облучения и в течение пострадиационной релаксации. Исследована зависимость свойств плоскопараллельного детектора на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al от концентрации и уровня энергии глубо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2016
ISSN:2225-5818
Main Author: Кондрик, А.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Subjects:
Сенсоэлектроника
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103848
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы / А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 1. — С. 12-19. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items