Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2016
• Main Author: Кондрик, А.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Subjects: Сенсоэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103848
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы / А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 1. — С. 12-19. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Проведен анализ и указаны возможные причины изменений характеристик глубоких уровней в высокоомном Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al после γ-облучения и в течение пострадиационной релаксации. Исследована зависимость свойств плоскопараллельного детектора на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al от концентрации и уровня энергии глубо...