Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
Проведен анализ и указаны возможные причины изменений характеристик глубоких уровней в высокоомном Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al после γ-облучения и в течение пострадиационной релаксации. Исследована зависимость свойств плоскопараллельного детектора на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al от концентрации и уровня энергии глубо...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103848 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы / А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 1. — С. 12-19. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |