Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

• Опубліковано в: : Электрические контакты и электроды
• Дата: 2014
• Автори: Кучинский, П.В., Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Ковалева, Т.Б., Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьев, Я.А., Гапоненко, С.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2014
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104006
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi. Запропоновано новий метод формування бар’єра Шоттки, який включає магнетронне нанесення з многокомпонентної мішені, що має в складі ванадій, платину та нікель, тонкої плівки на кремнії з наступною ступеневою термообробкою. З використанням данного методу виготовлено діоди Шоттки з высотою бар’єру 0,69—0,71 В. Встановлено, що бар’ерний шар складається з сіліцидної фази Ni1-xPtxSi. A new method of forming a Schottky barrier, including a magnetron deposition of thin compound metal films (Pt, Ni and V) on silicon and a subsequent heat treatment step, was proposed. Using this method Schottky diodes were fabricated with a barrier height from 0,69 to 0,71 V. It was found that the barrier layer consists of Ni1-xPtxSi silicide phase.